Metallorganische Gasphasenepitaxie für Quantendraht-Laser auf InP-Basis:
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| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2000
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| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
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| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: Braunschweig, Techn. Univ., Diss., 2000 |
| Beschreibung: | XII, 106 S. Ill., graph. Darst. : 21 cm |
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I
NHALTSVERZEICHNIS
VII
INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
2
KONZEPT
DES
QUANTENDRAHT-LASERS
4
3
SIMULATION
DER
STROMFUEHRUNG
7
4
MATERIALCHARAKTERISIERUNG
_
13
4.1
DAS
MATERIALSYSTEM
INGAASP
13
4.2 ROENTGENDIFFRAKTOMETRIE
15
4.2.1
EINZEL
SCHICHTEN
18
4.2.2
VIELFACHQUANTENSCHICHTEN
20
4.3
PHOTOLUMINESZENZSPEKTROSKOPIE
27
4.4
BESTIMMUNG
DER
ZUSAMMENSETZUNG
28
5
KRISTALLWACHSTUM
33
5.1
GRUNDLAGEN
DER
MELALLORGANISCHE
GASPHASENEPITAXIE
33
5.2
SUBSTRATVORBEREITUNG
37
5.2.1
VORBEREITUNG
PLANARER
SUBSTRATE
38
5.2.2
V-NUTEN
FUER
DIE
EPITAXIE
38
53
WACHSTUM
VON
INGAASP
43
5.4
WACHSTUM
AUF
STRUKTURIERTEN
SUBSTRATEN
45
5.4.1
MASSENTRANSPORT
46
5.4.2
WACHSTUMSTEMPERATUR
UND
REAKTORDRUCK
48
5.4.3
QUANTENDRAEHTE
56
5.5
DOTIERUNG
59
5.5.1
N-DOTIERUNG
59
5.5.2
P-DOTIERUNG
61
5.5.3
FE-DOTIERUNG
65
5.5.4
DELTA-DOTIERUNG
VON
MQWS
66
6 HERSTELLUNG
UND CHARAKTERISIERUNG
VON
LASERN
72
6.1
PLANARER
LASER
73
6.2
QUANTENDRAHT-LASER
80
VIII
7
ZUSAMMENFASSUNG_
91
ANHANG
_
_93
LITERATURVERZEICHNIS
96 |
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