Natürliche Übergitterordnung im Verbindungshalbleiter GaInP: eine Spielerei der Natur mit vielfältigen Anwendungsmöglichkeiten
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Erlangen
Lehrstuhl für Mikrocharakterisierung, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
2000
|
| Schriftenreihe: | Physik mikrostrukturierter Halbleiter
14 |
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| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Habil.-Schr., 2001 |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINFUEHRUNG
UND
UEBERBLICK
5
1.1
VON
DER
ANTIKE
ZU
HALBLEITERUEBERGITTERN
.
5
1.2
DAS
PHAENOMEN
DER
SPONTANEN
SELBSTORDNUNG
.
7
1.3
DAS
MATERIALSYSTEM
(AL)GALNP
.
8
2
NATUERLICHE
UEBERGITTERORDNUNG
IN
GALNP
11
2.1
STRUKTUR
GEORDNETER
KRISTALLE
.
11
2.1.1
ELEMENTARZELLE
IM
ORTS
UND
A:-RAUM
.
13
2.1.2
REALE
STRUKTUR
GEORDNETER
GALNP
KRISTALLE
.
15
2.1.3
MECHANISMEN
ZUR
AUSBILDUNG
GEORDNETER
KRISTALLE
.
16
2.2
AUSWIRKUNGEN
DER
KRISTALLORDNUNG
.
17
2.2.1
BANDLUECKENREDUZIERUNG
.
18
2.2.2
VALENZBANDAUFSPALTUNG
.
19
2.2.3
QUANTITATIVE
ABHAENGIGKEIT
VOM
ORDNUNGSGRAD
.
20
2.3
POLARISATIONSANISOTROPIE
.
23
2.3.1
EINFACHES
MODELL
.
23
2.3.2
ABSORPTIONSSPEKTREN
.
24
2.4
THEORETISCHE
BESCHREIBUNG
GEORDNETER
KRISTALLE
.
25
2.4.1
GRUNDLAGEN
DES
THEORETISCHEN
MODELLS
.
26
2.4.2
SPIN-BAHN-AUFSPALTUNG
UND
MATERIALZUSAMMENSETZUNG
.
27
2.4.3
GITTERFEHLANPASSUNG
.
29
2.4.4
KRISTALLORDNUNG
.
33
2.4.5
ZUSAMMENFASSUNG
DER
EFFEKTE
.
35
2.4.6
BESCHREIBUNG
OPTISCHER
UEBERGAENGE
-
ANISOTROPIE
DER
OPTISCHEN
UEBERGANGSMATRIXELEMENTE
.
36
2.4.7
AUSWERTUNG
UND
DISKUSSION
.
40
3
UNTERSUCHUNGEN
DER
BANDSTRUKTUR
51
3.1
FRANZ-KELDYSH
EFFEKT
.
52
3.2
MESSPRINZIP
UND
PROBENDESIGN
.
53
3.2.1
PROBEN
.
54
3.2.2
VERSUCHSAUFBAU
.
55
3.3
VERGLEICH
VON
ABSORPTION
UND
ELEKTROABSORPTION
.
56
3.4
FUNDAMENTALE
BANDKANTE
.
60
3.5
SPLIT-OFF
BANDKANTE
.
63
4
INHALTSVERZEICHNIS
3.6
HOEHERE
UEBERGAENGE
.
64
3.6.1
LITERATURUEBERBLICK
.
64
3.6.2
ELEKTROABSORPTION
AN
ZURUECKGEFALTETEN
L-PUNKTZUSTAENDEN
.
65
3.6.3
ELEKTROABSORPTION
AN
ZURUECKGEFALTETEN
X-PUNKTZUSTAENDEN
.
68
3.7
DIE
ERGEBNISSE
IM
UEBERBLICK
.
71
4
POLARISATIONSSENSITIVE
BAUELEMENTE
75
4.1
MOTIVATION
.
75
4.2
MOEGLICHE
ANWENDUNGSBEREICHE
.
76
4.3
POLARISATIONSDETEKTOREN
.
78
4.3.1
PIN-PHOTODIODEN
.
78
4.3.2
POLARISATIONSDETEKTOREN
MIT
HOHER
VERSTAERKUNG
.
81
4.4
POLARISATIONSSCHALTER
.
85
4.4.1
GRENZWERTSCHALTER
MIT
HOHEM
KONTRAST
.
86
4.4.2
INTENSITAETSUNABHAENGIGKEIT
DES
SCHALTVERHALTENS
.
88
4.4.3
BISTABILER
POLARISATIONSSCHALTER
.
89
4.4.4
MONOLITHISCH
INTEGRIERTE
VERSION
.
93
4.5
POLARISATIONSGESTEUERTE
LOGIKKOMPONENTEN
.
96
4.5.1
(N)AND
UND
(N)OR-GATTER
.
96
4.5.2
POLARISATIONSGESTEUERTES
RS-FLIP-FLOP
.
101
4.6
LEUCHTDIODEN
.
103
4.6.1
ANISOTROPIE
DER
EMISSION
.
104
4.6.2
ELEKTROLUMINEZENZSPEKTREN
.
107
5
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
113
LITERATURVERZEICHNIS
117
A
MATERIALPARAMETER
GALNP
125
B
SYMBOLE
UND
ABKUERZUNGEN
127 |
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