Präparation und Charakterisierung von Oberflächen der III/V-Nitridhalbleiter AlN und GaN und Untersuchung ihrer elektronischen Struktur:
Zs.-Fassung.
Gespeichert in:
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| Veröffentlicht: |
1999
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| Zusammenfassung: | Zs.-Fassung. |
| Beschreibung: | Kiel, Univ., Diss., 1999 |
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