Nanostrukturierung mit dem Rasterkraftmikroskop: vom zweidimensionalen Elektronengas zum Einzelelektronentransistor
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Berlin
Logos-Verl.
2000
|
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
Beschreibung: | Zugl.: Hannover, Univ., Diss., 2000 |
Beschreibung: | 167 S. Ill., graph. Darst. |
ISBN: | 3897223619 |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV013053097 | ||
003 | DE-604 | ||
005 | 20000823 | ||
007 | t | ||
008 | 000222s2000 gw ad|| m||| 00||| ger d | ||
016 | 7 | |a 958428085 |2 DE-101 | |
020 | |a 3897223619 |9 3-89722-361-9 | ||
035 | |a (OCoLC)76132168 | ||
035 | |a (DE-599)BVBBV013053097 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
041 | 0 | |a ger | |
044 | |a gw |c DE | ||
049 | |a DE-703 | ||
084 | |a UP 3150 |0 (DE-625)146377: |2 rvk | ||
100 | 1 | |a Schumacher, Hans W. |e Verfasser |4 aut | |
245 | 1 | 0 | |a Nanostrukturierung mit dem Rasterkraftmikroskop |b vom zweidimensionalen Elektronengas zum Einzelelektronentransistor |c von Hans Werner Schumacher |
264 | 1 | |a Berlin |b Logos-Verl. |c 2000 | |
300 | |a 167 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b n |2 rdamedia | ||
338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
500 | |a Zugl.: Hannover, Univ., Diss., 2000 | ||
650 | 0 | 7 | |a Rasterkraftmikroskop |0 (DE-588)4333578-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Nanostrukturiertes Material |0 (DE-588)4342626-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Galliumarsenid |0 (DE-588)4019155-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Heterostruktur |0 (DE-588)4123378-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Mischkristall |0 (DE-588)4170112-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Lithografie |g Halbleitertechnologie |0 (DE-588)4191584-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Transistor |0 (DE-588)4060646-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Einelektronen-Tunneleffekt |0 (DE-588)4297542-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Aluminiumarsenid |0 (DE-588)4324566-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
689 | 0 | 0 | |a Lithografie |g Halbleitertechnologie |0 (DE-588)4191584-7 |D s |
689 | 0 | 1 | |a Nanostrukturiertes Material |0 (DE-588)4342626-8 |D s |
689 | 0 | 2 | |a Rasterkraftmikroskop |0 (DE-588)4333578-0 |D s |
689 | 0 | |5 DE-604 | |
689 | 1 | 0 | |a Aluminiumarsenid |0 (DE-588)4324566-3 |D s |
689 | 1 | 1 | |a Galliumarsenid |0 (DE-588)4019155-2 |D s |
689 | 1 | 2 | |a Mischkristall |0 (DE-588)4170112-4 |D s |
689 | 1 | 3 | |a Heterostruktur |0 (DE-588)4123378-5 |D s |
689 | 1 | 4 | |a Transistor |0 (DE-588)4060646-6 |D s |
689 | 1 | 5 | |a Einelektronen-Tunneleffekt |0 (DE-588)4297542-6 |D s |
689 | 1 | |5 DE-604 | |
856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008894469&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
943 | 1 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008894469 |
Datensatz im Suchindex
_version_ | 1807322990714552320 |
---|---|
adam_text |
INHALTSVERZEICHNIS
ABSTRACT
5
EINLEITUNG
9
1
NIEDERDIMENSIONALE
ELEKTRONENSYSTEME
13
1.1
FREIE
ELEKTRONEN:
VON
3D
BIS
ID
.
13
1.2
TUNNELBARRIEREN
.
17
1.2.1
STROM-SPANNUNGS-KENNLINIEN
.
21
1.2.2
THERMISCH
AKTIVIERTER
TRANSPORT
.
24
1.2.3
MESSUNG
DES
HEBELFAKTORS
.
26
1.3
RESONANTE
TUNNELDIODE
.
29
1.4
EINZELELEKTRONENTRANSISTOR
.
34
2
PROBENSTRUKTUR
41
2.1
HETEROSTRUKTUREN
.
41
2.2
HALLSTRUKTUREN
.
44
3
MESSAUFBAU
47
3.1
DAS
RASTERKRAFTMIKROSKOP
.
47
3.1.1
DER
MESSKOPF
.
47
3.1.2
DIE
SPITZEN
.
49
3.2
TIEFE
TEMPERATUREN
.
52
3.2.1
KANNENMESSPLAETZE
.
52
3.2.2
4
HE-SYSTEM
.
52
3.2.3
3
HE-SYSTEM
.
52
3.3
HOHE
MAGNETFELDER
.
53
3.4
TRANSPORTMESSUNGEN
.
53
4
STRUKTURIERUNG
MIT
DEM
RASTERKRAFTMIKROSKOP
57
4.1
MECHANISCHE
STRUKTURIERUNG
.
57
4.1.1
BESTIMMUNG
DER
RASTERKRAEFTE
.
58
4.1.2
GEREGELTE
MECHANISCHE
STRUKTURIERUNG
.
60
4.1.3
KONTROLLIERTE
MECHANISCHE
STRUKTURIERUNG
.
63
4.2
LOKALE
ANODISCHE
OXIDATION
.
70
8
INHALTSVERZEICHNIS
4.2.1
MECHANISMUS
.
71
4.2.2
DURCHFUEHRUNG
.
73
4.2.3
LOKALE
ANODISCHE
OXIDATION
AN
SILIZIUM
.
75
4.2.4
LOKALE
ANODISCHE
OXIDATION
AN
GAAS/ALGAI-^
AS
HETEROSTRUKTUREN
.
77
4.3
SPITZENABNUTZUNG
.
83
5
CHARAKTERISIERUNG
DER
BARRIEREN
87
5.1
MECHANISCH
HERGESTELLTE
BARRIEREN
.
88
5.1.1
STROM-SPANNUNGS-KENNLINIEN
.
88
5.1.2
THERMISCH
AKTIVIERTER
TRANSPORT
.
93
5.1.3
BANDSTRUKTURRECHNUNGEN
.
99
5.2
OXIDIERTE
BARRIEREN
.
104
5.2.1
STROM-SPANNUNGS-KENNLINIEN
.
104
5.2.2
THERMISCH
AKTIVIERTER
TRANSPORT
.
105
5.2.3
BANDSTRUKTURRECHNUNGEN
.
108
5.3
VERGLEICH
DER
STRUKTURIERUNGSERGEBNISSE
.
111
6
HERSTELLUNG
UND
CHARAKTERISIERUNG
MESOSKOPISCHER
BAUTEILE
115
6.1
MECHANISCH
HERGESTELLTER
IN-PLANE-GATE-TRANSISTOR
.
115
6.2
MECHANISCH
HERGESTELLTER
EINZELELEKTRONENTRANSISTOR
.
121
6.3
EINZELELEKTRONENTRANSISTOR
MIT
OXIDIERTEN
BARRIEREN
.
129
6.4
RESONANTE
TUNNELDIODE
MIT
OXIDIERTEN
BARRIEREN
.
136
7
ZUSAMMENFASSUNG
143
LITERATURVERZEICHNIS
147
ABBILDUNGSVERZEICHNIS
155
TABELLENVERZEICHNIS
159
SYMBOLVERZEICHNIS
161
DANKSAGUNG
165
LEBENSLAUF
167 |
any_adam_object | 1 |
author | Schumacher, Hans W. |
author_facet | Schumacher, Hans W. |
author_role | aut |
author_sort | Schumacher, Hans W. |
author_variant | h w s hw hws |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV013053097 |
classification_rvk | UP 3150 |
ctrlnum | (OCoLC)76132168 (DE-599)BVBBV013053097 |
discipline | Physik |
format | Book |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00000nam a2200000 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV013053097</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20000823</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">000222s2000 gw ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">958428085</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3897223619</subfield><subfield code="9">3-89722-361-9</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)76132168</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV013053097</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">DE</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-703</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UP 3150</subfield><subfield code="0">(DE-625)146377:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Schumacher, Hans W.</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Nanostrukturierung mit dem Rasterkraftmikroskop</subfield><subfield code="b">vom zweidimensionalen Elektronengas zum Einzelelektronentransistor</subfield><subfield code="c">von Hans Werner Schumacher</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Berlin</subfield><subfield code="b">Logos-Verl.</subfield><subfield code="c">2000</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">167 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Hannover, Univ., Diss., 2000</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Rasterkraftmikroskop</subfield><subfield code="0">(DE-588)4333578-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Nanostrukturiertes Material</subfield><subfield code="0">(DE-588)4342626-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Galliumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4019155-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Heterostruktur</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123378-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Mischkristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170112-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Lithografie</subfield><subfield code="g">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4191584-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Transistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4060646-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Einelektronen-Tunneleffekt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4297542-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Aluminiumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4324566-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Lithografie</subfield><subfield code="g">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4191584-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Nanostrukturiertes Material</subfield><subfield code="0">(DE-588)4342626-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Rasterkraftmikroskop</subfield><subfield code="0">(DE-588)4333578-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Aluminiumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4324566-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="1"><subfield code="a">Galliumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4019155-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="2"><subfield code="a">Mischkristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170112-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="3"><subfield code="a">Heterostruktur</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123378-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="4"><subfield code="a">Transistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4060646-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="5"><subfield code="a">Einelektronen-Tunneleffekt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4297542-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008894469&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008894469</subfield></datafield></record></collection> |
genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
genre_facet | Hochschulschrift |
id | DE-604.BV013053097 |
illustrated | Illustrated |
indexdate | 2024-08-14T01:05:17Z |
institution | BVB |
isbn | 3897223619 |
language | German |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008894469 |
oclc_num | 76132168 |
open_access_boolean | |
owner | DE-703 |
owner_facet | DE-703 |
physical | 167 S. Ill., graph. Darst. |
publishDate | 2000 |
publishDateSearch | 2000 |
publishDateSort | 2000 |
publisher | Logos-Verl. |
record_format | marc |
spelling | Schumacher, Hans W. Verfasser aut Nanostrukturierung mit dem Rasterkraftmikroskop vom zweidimensionalen Elektronengas zum Einzelelektronentransistor von Hans Werner Schumacher Berlin Logos-Verl. 2000 167 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Zugl.: Hannover, Univ., Diss., 2000 Rasterkraftmikroskop (DE-588)4333578-0 gnd rswk-swf Nanostrukturiertes Material (DE-588)4342626-8 gnd rswk-swf Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd rswk-swf Heterostruktur (DE-588)4123378-5 gnd rswk-swf Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd rswk-swf Lithografie Halbleitertechnologie (DE-588)4191584-7 gnd rswk-swf Transistor (DE-588)4060646-6 gnd rswk-swf Einelektronen-Tunneleffekt (DE-588)4297542-6 gnd rswk-swf Aluminiumarsenid (DE-588)4324566-3 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Lithografie Halbleitertechnologie (DE-588)4191584-7 s Nanostrukturiertes Material (DE-588)4342626-8 s Rasterkraftmikroskop (DE-588)4333578-0 s DE-604 Aluminiumarsenid (DE-588)4324566-3 s Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 s Mischkristall (DE-588)4170112-4 s Heterostruktur (DE-588)4123378-5 s Transistor (DE-588)4060646-6 s Einelektronen-Tunneleffekt (DE-588)4297542-6 s DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008894469&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
spellingShingle | Schumacher, Hans W. Nanostrukturierung mit dem Rasterkraftmikroskop vom zweidimensionalen Elektronengas zum Einzelelektronentransistor Rasterkraftmikroskop (DE-588)4333578-0 gnd Nanostrukturiertes Material (DE-588)4342626-8 gnd Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd Heterostruktur (DE-588)4123378-5 gnd Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd Lithografie Halbleitertechnologie (DE-588)4191584-7 gnd Transistor (DE-588)4060646-6 gnd Einelektronen-Tunneleffekt (DE-588)4297542-6 gnd Aluminiumarsenid (DE-588)4324566-3 gnd |
subject_GND | (DE-588)4333578-0 (DE-588)4342626-8 (DE-588)4019155-2 (DE-588)4123378-5 (DE-588)4170112-4 (DE-588)4191584-7 (DE-588)4060646-6 (DE-588)4297542-6 (DE-588)4324566-3 (DE-588)4113937-9 |
title | Nanostrukturierung mit dem Rasterkraftmikroskop vom zweidimensionalen Elektronengas zum Einzelelektronentransistor |
title_auth | Nanostrukturierung mit dem Rasterkraftmikroskop vom zweidimensionalen Elektronengas zum Einzelelektronentransistor |
title_exact_search | Nanostrukturierung mit dem Rasterkraftmikroskop vom zweidimensionalen Elektronengas zum Einzelelektronentransistor |
title_full | Nanostrukturierung mit dem Rasterkraftmikroskop vom zweidimensionalen Elektronengas zum Einzelelektronentransistor von Hans Werner Schumacher |
title_fullStr | Nanostrukturierung mit dem Rasterkraftmikroskop vom zweidimensionalen Elektronengas zum Einzelelektronentransistor von Hans Werner Schumacher |
title_full_unstemmed | Nanostrukturierung mit dem Rasterkraftmikroskop vom zweidimensionalen Elektronengas zum Einzelelektronentransistor von Hans Werner Schumacher |
title_short | Nanostrukturierung mit dem Rasterkraftmikroskop |
title_sort | nanostrukturierung mit dem rasterkraftmikroskop vom zweidimensionalen elektronengas zum einzelelektronentransistor |
title_sub | vom zweidimensionalen Elektronengas zum Einzelelektronentransistor |
topic | Rasterkraftmikroskop (DE-588)4333578-0 gnd Nanostrukturiertes Material (DE-588)4342626-8 gnd Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd Heterostruktur (DE-588)4123378-5 gnd Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd Lithografie Halbleitertechnologie (DE-588)4191584-7 gnd Transistor (DE-588)4060646-6 gnd Einelektronen-Tunneleffekt (DE-588)4297542-6 gnd Aluminiumarsenid (DE-588)4324566-3 gnd |
topic_facet | Rasterkraftmikroskop Nanostrukturiertes Material Galliumarsenid Heterostruktur Mischkristall Lithografie Halbleitertechnologie Transistor Einelektronen-Tunneleffekt Aluminiumarsenid Hochschulschrift |
url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008894469&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
work_keys_str_mv | AT schumacherhansw nanostrukturierungmitdemrasterkraftmikroskopvomzweidimensionalenelektronengaszumeinzelelektronentransistor |