Dotierung von 4H-SiC durch Ionenimplantation:
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2000
|
| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Erlanger Berichte Mikroelektronik
2000,1 |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 1999 |
| Beschreibung: | 149 S. Ill., graph. Darst. |
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INHALTSVERZEICHNIS
1.
EINLEITUNG
.
1
2.
GRUNDLAGEN
.
6
2.1
ABBREMSUNG
VON
IONEN
IN
FESTKOERPERN
.
6
2.1.1
NUKLEARE
ABBREMSUNG
.
7
2.1.2
ELEKTRONISCHE
ABBREMSUNG
.
10
2.2
REICHWEITEPARAMETER
UND
-VERTEILUNGEN
.
13
2.2.1
THEORETISCHE
BESCHREIBUNG
.
13
2.2.2
COMPUTERSIMULATION
MIT
MONTE-CARLO
UND
TRANSPORTTHEORETISCHEN
VERFAHREN.
15
2.3
STRAHLENSCHAEDEN
.
17
2.3.1
DEFEKTGENERATION
UND
AUSHEILPROZESS
.
17
2.3.2
COMPUTERSIMULATIONEN
VON
STRAHLENSCHAEDEN
.
21
3.
EXPERIMENTELLE
VORGEHENSWEISE
.
24
3.1
PROBENPRAEPARATION
.
24
3.1.1
AUSGANGSMATERIAL
UND
VORREINIGUNG
.
24
3.1.2
IONENIMPLANTATION
.
25
3.1.3
AUSHEILVERFAHREN
.
31
3.1.4
KONTAKTIERUNG
.
32
3.2
CHARAKTERISIERUNGSMETHODEN
.
33
3.2.1
SEKUNDAERIONEN-MASSENSPEKTROSKOPIE
.
33
3.2.2
TIEFTEMPERATUR-PHOTOLUMINESZENZ
.
34
3.2.3
TRANSMISSIONSELEKTRONENMIKROSKOPIE
.
34
3.2.4
KAPAZITAETS-SPANNUNGS-MESSUNG
.
36
3.2.5
STROM-SPANNUNGS-MESSUNG
.
39
4.
REICHWEITEPARAMETER
VON
ALUMINIUM-,
BOR
UND
STICKSTOFFPROFILEN
IN4H-SIC
.
41
4.1
EXPERIMENTELLE
ERGEBNISSE
.
41
4.2
BESTIMMUNG
DER
REICHWEITEPARAMETER
.
.
49
4.2.1
ANPASSUNG
DER
GEMESSENEN
PROFILE
.
49
4.2.2
ANPASSUNG
DER
REICHWEITEPARAMETER
.
50
4.3
ERGEBNISSE
DER
PROFILANPASSUNG
.
52
4.3.1
REICHWEITEPARAMETER
VON
10
KEV BIS
5,8
MEV
.
52
4.3.2
VERGLEICH
VON
SIMULIERTEN
UND
GEMESSENEN
PROFILEN
.
61
4.4
DISKUSSION
.
65
5.
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
ALIUNINIUMIMPLANTIERTEN
SCHICHTEN
.
77
5.1
ELEKTRISCHE
AKTIVIERUNG
.
77
5.1.1
ERGEBNISSE
DER
KAPAZITAETS-SPANNUNGS-MESSUNGEN
.
78
5.1.2
DISKUSSION
DER
ELEKTRISCHEN
AKTIVIERUNG
.
81
5.2
ELEKTRISCHE
LEITFAEHIGKEIT
.
82
5.2.1
ERGEBNISSE
DER
SCHICHTWIDERSTANDSMESSUNGEN
.
83
5.2.2
DISKUSSION
DER
ELEKTRISCHEN
LEITFAEHIGKEIT
UND
BEWEGLICHKEIT
.
91
5.3
STRAHLENSCHAEDEN
.
95
5.3.1
TIEFTEMPERATUR-PHOTOLUMINESZENZ-MESSUNGEN
.
95
5.3.2
TRANSMISSIONSELEKTRONENMIKROSKOPIE
-
UNTERSUCHUNGEN
.
103
5.3.3
DISKUSSION
.
116
5.3.3.1
PHAENOMENOLOGISCHES
MODELL
DER
DEFEKTBILDUNG
.
116
5.3.3.2
VERAENDERUNG
DER
OBERFLAECHENNAHEN
SCHICHTEN
.
123
5.4
KORRELATION
VON
STRAHLENSCHAEDEN
UND
ELEKTRISCHER
LEITFAEHIGKEIT
.
124
6.
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
.
128
ANHANG:
SCHICHTWIDERSTAENDE
UND
LEITFAEHIGKEITEN
.
132
LITERATURVERZEICHNIS
.
134
ABKUERZUNGEN
UND
SYMBOLE
.
142
STICHWORTVERZEICHNIS
.
147 |
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