Rastertunnelmikroskopie an III-V-Halbleitern: Nanostrukturierung und lokal angeregte Lumineszenz
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1999
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
3
2
THEORIE
DES
RASTERTUNNELMIKROSKOPS
7
2.1
TUNNELN
VON
ELEKTRONEN
DURCH
EINE
BARRIERE
7
2.2
BESTIMMUNG
DER
EFFEKTIVEN
TUNNELBARRIERE
9
2.3
TUNNELN
AUF
HALBLEITERN
10
2.4
DER
SCHOTTKY-EFFEKT
12
2.5
TUNNELN
VERSUS
EMISSION
VON
ELEKTRONEN
12
3
AUFBAU
DES
EXPERIMENTS
15
3.1
AUSWECHSELN
DER
SPITZEN
IM
VAKUUM
15
32
PRAEPARATION
VON
BRUCHKANTEN
16
33
DETEKTION
DER
LICHTEMISSION
17
4
HALBLEITEROBERFLAECHEN
IM
RTM
21
4.1
SI(LLL)
21
42
GAAS(LOO)
22
43
GAAS(110)
24
4.3.1
PRAEPARATION
24
4.3.2
ERGEBNISSE
24
4.4
INAS-QUANTENPUNKTE
26
4.5
GAN
AUF
SI-SUBSTRAT
29
4.6
GAN-SCHICHTEN
AUF
6H-SIC
UND
AI2O3
30
4.6.1
HERSTELLUNG
UND
PRAEPARATION
30
4.6.2
RTM-UNTERSUCHUNGEN
31
4.6.3
VERGLEICH
MIT
TEM-UNTERSUCHUNGEN
34
4.7
GAN
MIT
SCHRAUBENVERSETZUNGEN
35
4.8
MBE-GAN
UND
-ALGAN
37
4.9
INGAN
QUANTENPUNKTE
39
4.10
GAN-DOTS
AUF
ALGAN
40
5
STRUKTURIERUNG
VON
HALBLEITERN
43
5.1
METALLISCHE
ABSCHEIDUNGEN
AUF
SILICIUM
43
5.1.1
VERFAHREN
43
5.1.2
CHEMISCHE
ANALYSE
DER
DEPOSITUM
45
52
STRUKTURIERUNG
VON
GAAS
46
53
STRUKTURIERUNG
MIT
LASERINTERFERENZ
51
5.4
DER
QUANTEN-INTERFERENZ-TRANSISTOR
53
5.4.1
THEORIE
53
5.42
REALISIERUNG
MIT
ELEKTRONENSTRAHL-LITHOGRAPHIE
54
5.4.3
MOEGLICHE
REALISIERUNG
MIT
DEM
RTM
55
6
LICHTEMISSION
MIT
DEM
RTM
57
6.1
LICHTMISSION
VON
METALLOBERFLAECHEN
57
62
THEORIE
59
6.2.1
EXTERNE
EFFIZIENZ
59
6.2.2
EFFIZIENZ
DER
OPTIK
UND
DETEKTION
60
2
6.2.3
QUANTENEFFIZIENZ
61
6.3
VORVERSUCHE
MIT
SILICIUM
62
6.4
LICHT
AUS
GAAS
64
6.4.1
RTL-ABHAENGIGKEIT
VOM
STROM
66
6.4.2
RTL-ABHAENGIGKEIT
VON
DER
SPANNUNG
67
6.5
ORT
DER
LICHTENTSTEHUNG
67
6.5.1
POTENTIALVERTEILUNG
IN
DER
PROBE
68
6.5.2
DIFFUSION
DER
ELEKTRONEN
70
6.5.3
ANDERE
EFFEKTE
71
6.5.4
INTENSITAETSVERTEILUNG
72
6.5.5
SCHLUSSFOLGERUNGEN
74
ANDERE
MATERIALIEN
74
TEMPERATUR
75
LOKALISIERUNG
DER
MINORITAETSLADUNGSTRAEGER
75
OBERFLAECHENKONTAMINATIONEN
YY
75
6.6
ALGAAS
76
6.7
PHOTOMNAPPING
77
6.8
LICHTEMISSION
AUS
INAS
ODER
IN
Z
GAI
X
AS-QUANTENDOTS
80
6.9
LICHT
AUS
GAN
UND
ALGAN
81
6.9.1
GAN
AUF
SI
81
6.9.2
GAN
UND
ALGAN
AUF
A1
2
O
3
82
6.9.3
ALGAN
86
6.10
LICHT
AUS
INGAN
UND
GAN-QUANTENDOTS
87
7
ZUSAETZLICHE
EXPERIMENTE
89
7.1
FERROELEKTRISCHE
MATERIALIEN
89
7.1.1
PROBENPRAEPARATION
89
7.1.2
ERGEBNISSE
89
7.1.3
INTERPRETATION
90
8
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
93
8.1
ZUSAMMENFASSUNG
93
8.2
AUSBLICK
93
LITERATURVERZEICHNIS
95
VEROEFFENTLICHUNGEN
99
DANKSAGUNG
101 |
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