Molekularstrahlepitaxie von Kupferindiumsulfid auf Silizium:
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INHALT
1.
EINLEITUNG
.
1
2.
DAS
CUINS2-SILIZIUM-HETEROSYSTEM:
MATERIALEIGENSCHAFTEN
.
5
2.1
GRUNDLEGENDE
MATERIALEIGENSCHAFTEN
VON
CUINS2
5
2.2
ZUM
HETEROSYSTEM
CUINSI-SILIZIUM
14
3.
METHODEN
DER
CHARAKTERISIERUNG
UND
PRAEPARATIONSVERFAHREN
.
17
3.1
UEBERSICHT
UEBER
DIE
CHARAKTERISIERUNGSVERFAHREN
17
3.2
PRAEPARATIONSVERFAHREN
40
4.
INITIELLES
WACHSTUM
VON
CUINS2
AUF
SI(
111)
.
51
4.1
CHARAKTERISIERUNG
DER
EPITAXIESUBSTRATE
51
4.2
ADSORPTION
VON
SCHWEFEL
AUF
SI(
111
):H
60
4.3
GRENZFLAECHEN-REAKTION
66
4.4
NACHWEIS
DER
EPITAXIE
70
5.
KRISTALLSTRUKTUR
UND
DEFEKTE
EPITAKTISCHER
CUINS2-FILME
.
75
5.1
ZUR
KATIONENORDNUNG
IN
EPITAKTISCHEN
CUINS2-FILMEN
75
5.2
ZUR
DEFEKTDICHTE
IN
EPITAKTISCHEN
CUINS2/SI(L
1
1)-FILMEN
85
5.3
DIE
MIKROSKOPISCHE
DEFEKTSTRUKTUR
EPITAKTISCHER
CUINS2/SI(L
1
1)-FILME
99
5.4
SEKUNDAERPHASEN
119
5.5
ZWISCHENRESUMDE:
DEFEKTSTRUKTUR
UND
-DICHTE
CU-REICHER
UND
CU-ARMER
CUINS2-FILME
IM
VERGLEICH
127
6.
DISKUSSION
.
131
6.1
STRUKTURVARIANTEN
VON
CUINS2
131
6.2
ZUSAMMENSETZUNGSABHAENGIGE
DEFEKTSTRUKTUR
135
6.3
VERGLEICH
MIT
LITERATURWERTEN
142
7.
ZUSAMMENFASSUNG
.
145
LITERATURVERZEICHNIS
.
NI-X
DANKSAGUNG
.
XI |
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