Wachstumsuntersuchungen an geordnetem (GaIn)P unter Verwendung verschiedener Phosphorquellen:
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| Format: | Buch |
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1999
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| Beschreibung: | Leipzig, Univ., Diss., 1999 |
| Beschreibung: | 119, [20] S. Ill., graph. Darst. |
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1
INHALTSVERZEICHNIS
1 EINLEITUNG UND
AUFGABENSTELLUNG.
3
2
GRUNDLAGEN.
6
2.1 AUSGEWAEHLTE MATERIALEIGENSCHAFTEN VON ALH-BV-HALBLEITEM.6
2.1.1 DAS MATERIALSYSTEM GA-IN-P UND SEINE STRUKTURELLEN EIGENSCHAFTEN.6
2.1.2 MECHANISMEN ZUR AUSBILDUNG DER CUPTS - OBERSTRUKTUR.8
2.1.3 BANDSTRUKTUR UND OPTISCHE UEBERGAENGE VON (GAIN)P.12
2.1.4 NACHWEISMETHODEN DER UEBERSTRUKTUR.15
2.2 DIE METALLORGANISCHE GASPHASENEPITAXIE.17
2.2.1 DER ZUECHTUNGSPROZESS.17
2.2.2 ALTERNATIVE QUELLENMATERIALIEN.20
2.2.3 VORSTELLUNGEN ZUM WACHSTUMSMECHANISMUS.22
2.2.4 EINFLUSS DER ZUECHTUNGSPARAMETER UND DER SUBSTRATFEHLORIENTIERUNG
AUF DIE.
UEBERSTRUKTURBILDUNG.24
2.2.5 DOTIERSTOFFEINBAU.26
3 EXPERIMENTELLES. 29
3.1 DIE MOVPE.29
3.1.1 AUFBAU DER MOVPE-ANLAGE.29
3.1.2 AUSGANGSMATERIALIEN.30
3.1.3 ZUECHTUNGSPARAMETER.31
3.2 CHARAKTERISIERUNGSMETHODEN.33
3.2.1 ROENTGENDIFLRAKTOMETRIE.33
3.2.2 PHOTOLUMINESZENZ.34
3.2.3 ELEKTRONENMIKROSKOPIE.35
3.2.4 ATOMARE KRAFTMIKROSKOPIE.35
3.2.5 BESTIMMUNG DER ELEKTRISCHEN EIGENSCHAFTEN. 37
4 WACHSTUM VON (GALN)P MIT VERSCHIEDENEN PHOSPHORQUELLENMATERIALIEN.39
4.1 MOVPE VON (GAIU)P MIT TBP UND DITBUPH.39
4.1.1 ERMITTLUNG DER ZUECHTUNGSPARAMETER.39
4.1.2 EINBAUVERHALTEN DER GRUPPE-LH-ELEMENTE.40
4.2 OPTISCHE EIGENSCHAFTEN VON (GALN)P.44
4.2.1 ABSCHAETZUNG DES ORDNUNGSGRADES.44
4.2.2 TIEFTEMPERATUR-PHOTOLUMINESZENZUNTERSUCHUNGEN.46
4.3 UNTERSUCHUNGEN ZUR MIKROSTRUKTUR AN GEORDNETEM (GAIN)P.49
4.3.1 UEBERSTRUKTURBILDUNG ALS FUNKTION DER ZUECHTUNGSTEMPERATUR UND DER
SUBSTRATFEHLORIENTIERUNG.49
4.3.2 AUSWIRKUNG DER ALTERNATIVEN QUELLEN AUF DIE UEBERSTRUKTURBILDUNG.52
4.4 KORRELATION DER TEM-ERGEBNISSE MIT OPTISCHEN RESULTATEN.54
4.4.1 DIE ROLLE DER ZUECHTUNGSTEMPERATUR.54
4.4.2 EINFLUSS DES [V ]/[UEL]-VERHAELTNISSES.57
5 EINFLUSS DES DOTIERSTOFFEINBAUS AUF DAS WACHSTUMSVERHALTEN VON
(GAIN)P. 59
5.1 SI-DOTIERUNG.59
5.1.1 BESTIMMUNG DER LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION.59
5.1.2 EINFLUSS DES SI-EINBAUS AUF DIE ORDNUNG.61
5.2 ZN-DOTIERUNG.63
5.2.1 LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION IN ZN-DOTIERTEM (GALN)P.63
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
HTTP://D-NB.INFO/958033692
2
INHALTSVERZEICHNIS
5
.
2.2 EINFLUSS DER SUBSTRATFEHLORIENTIERUNG AUF DEN ZINLCEINHAN.65
5.2.3 AUSWIRKUNG DER DOTIERUNG AUF MISCHKRISTALLZUSAMMENSETZUNG UND
WACHSTUMSGESCHWINDIGKEIT.67
5.2.4 EINFLUSS DES ZN-EINBAUS AUF DIE UEBERSTRUKTURBILDRING.69
6 ZUR OBERFLSCHENMORPHOLOGIE VON GAAS UND (GALN)P.
.,71
6.1 AFM-UNTERSUCHUNGEN AN (001)GAAS-OBERFLAECHEN.71
6.1.1 EINFLUSS DER ZUECHTUNGSPARAMETER AUF DIE (001)GAAS-OBERFLFICHE.71
6.1.2 EINFLUSS DER AS-QUELLE DETBAS AUF DIE
GAAS-OBERFLSCHENMORPHOLOGIE.73
6.1.3 DISKUSSION ZUM STUFENFORTSCHREITUNGSMECHANISMNG BEI GAAS.75'
6.2 ZUR OBERFLAECHENMORPHOLOGIE VON (GAIN)P / (001)GAAS.79
6.2.1 CHARAKTERISIERUNG DER (GAIN)P-OBERFLAECHE.79
6.2.2 EINFLUSS DER ZUECHTUNGSPARAMETER AUF DIE OBERFLAECHE VON (GAIN)P.81
6.2.3 EINFLUSS DES PHOSPHORQUELLENMATERIALS AUF DIE
OBERFLAECHENMORPHOLOGIE.86
6.3 EINFLUSS DER DOTIERUNG AUF DIE OBERFLAECHENMORPHOLOGIE.89
6.3.1 DOTIERTE BINAERE GAAS- UND INP-SCHICHTEN.89
6.3.2 OBERFLAECHENMORPHOLOGIE VON ZN-DOTIERTEM (GALN)P.90
6.4 AUSBILDUNG VON (HLF)- UND (LKL FLAECHEN.93
6.4.1 AUSBILDUNG EINER WABENGEOMETRIE.93
6.4.2 MODELL ZUR ENTSTEHUNG DER WABENGEOMETRIE BEI (GAIN)P. 95
7 ZUSAMMENHANG ZWISCHEN WACHSTUMSVERHALTEN UND UEBERSTRUKTUR_100
7.1 EINFLUSS DER STUFEN AUF DIE UEBERSTRUKTURBILDUNG.100
7.1.1 ANTEIL DER IN SUPERSTUFEN ENTHALTENEN MONOLAGENSTUFEN.100
7.1.2 KORRELATION ZWISCHEN STUFEN UND ANTIPHASENGIENZEN.101
7.2 SCHLUSSFOLGERUNGEN ZUM WACHSTUM UND ORDNUNGSVERHALTEN.105
8 ZUSAMMENFASSUNG.108
9 LITERATURVERZEICHNIS. .112
10 HAEUFIG VERWENDETE ABKUERZUNGEN UND SYMBOLE.119 |
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