Modellierung und Optimierung von Höchstfrequenz-Si- und Si-Si 1-x Ge x -Bipolartransistoren:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Pohl, Martin (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1999
Schlagworte:
Beschreibung:XVI, 138 S. Ill., zahlr. graph. Darst.

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