Silizium-Halbleitertechnologie:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Stuttgart u.a.
Teubner
1999
|
| Ausgabe: | 2., überarb. und erw. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Teubner-Studienbücher : Elektrotechnik
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | XI, 311 S. Ill. |
| ISBN: | 3519101491 |
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| adam_text | SILIZIUM- HALBLEITERTECHNOLOGIE VON DR.-ING. ULRICH HILLERINGMANN
PRIV.-DOZ. AN DER UNIVERSITAET DORTMUND 2., UEBERARBEITETE UND ERWEITERTE
AUFLAGE MIT 152 BILDERN B. G. TEUBNER STUTTGART * LEIPZIG 1999
INHALTSVERZEICHNIS 1 EINLEITUNG 1 1.1 AUFGABE 3 2 HERSTELLUNG VON
SILIZIUMSCHEIBEN 4 2.1 SILIZIUM ALS BASISMATERIAL 4 2.2 HERSTELLUNG UND
REINIGUNG DES ROHMATERIALS 7 2.2.1 HERSTELLUNG VON TECHNISCHEM SILIZIUM
7 2.2.2 CHEMISCHE REINIGUNG DES TECHNISCHEN SILIZIUMS 7 2.2.3
ZONENREINIGUNG 9 2.3 HERSTELLUNG VON EINKRISTALLEN 10 2.3.1 DIE
KRISTALLSTRUKTUR 11 2.3.2 KRISTALLZIEHVERFAHREN NACH CZOCHRALSKI 13
2.3.3 TIEGELFREIES ZONENZIEHEN 15 2.3.4 KRISTALLFEHLER 17 2.4
KRISTALLBEARBEITUNG 18 2.4.1 SAEGEN 19 2.4.2 OBERFLAECHENBEHANDLUNG 20
2.4.2.1 LAEPPEN 20 2.4.2.2 SCHEIBENRAND ABRUNDEN 21 2.4.2.3 AETZEN 21
2.4.2.4 POLIEREN 22 2.5 AUFGABEN ZUR SCHEIBENHERSTELLUNG 22 3 OXIDATION
DES DOTIERTEN SILIZIUMS 24 3.1 DIE THERMISCHE OXIDATION VON SILIZIUM 25
3.1.1 TROCKENE OXIDATION 26 3.1.2 NASSE OXIDATION 26 3.1.3 H 2 O 2
-VERBRENNUNG 28 3.2 MODELLIERUNG DER OXIDATION 29 3.3 DIE GRENZFLAECHE
SIO 2 /SILIZIUM 30 3.4 SEGREGATION 32 VI INHALTSVERZEICHNIS 3.5
ABSCHEIDEVERFAHREN FUER OXID 34 3.5.1 DIE SILAN PYROLYSE 35 3.5.2 DIE
TEOS-OXIDABSCHEIDUNG 36 3.6 AUFGABEN ZUR OXIDATION DES SILIZIUMS 36 4
LITHOGRAFIE 37 4.1 MASKENTECHNIK 38 4.1.1 PATTERN-GENERATOR UND STEP-
UND-REPEAT-BELICHTUNG 3 8 4.1.2 DIREKTSCHREIBEN DER MASKE MIT DEM
ELEKTRONENSTRAHL 39 4.1.3 MASKENTECHNIKEN FUER HOECHSTE AUFLOESUNGEN 40 4.2
BELACKUNG 41 4.2.1 AUFBAU DER FOTOLACKE 41 4.2.2 AUFBRINGEN DER
LACKSCHICHTEN 42 4.3 BELICHTUNGSVERFAHREN 4.3.1 OPTISCHE LITHOGRAFIE
(FOTOLITHOGRAFIE) 4.3.1.1 KONTAKTBELICHTUNG 4.3.1.2 ABSTANDSBELICHTUNG
(PROXIMITY) 4.3.1.3 PROJEKTIONSBELICHTUNG 4.3.1.4 VERKLEINERNDE
PROJEKTIONSBELICHTUNG 4.3.2 ELEKTRONENSTRAHL-LITHOGRAFIE 4.3.3
ROENTGENSTRAHL-LITHOGRAFIE 4.3.4 WEITERE VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG 4.4
LACKBEARBEITUNG 4.4.1 ENTWICKELN UND HAERTEN DES LACKES 4.4.2
LINIENWEITENKONTROLLE 4.4.3 ABLOESEN DER LACKMASKE 4.5 AUFGABEN ZUR
LITHOGRAFIETECHNIK 5 AETZTECHNIK 5.1 NASSCHEMISCHES AETZEN 5.1.1
TAUCHAETZUNG 5.1.2 SPRUEHAETZUNG 5.1.3 AETZLOESUNGEN FUER DIE NASSCHEMISCHE
STRUKTURIERUNG 5.1.3.1 ISOTROP WIRKENDE AETZLOESUNGEN 5.1.3.2 ANISOTROPE
SILIZIUMAETZUNG INHALTSVERZEICHNIS VII 5.2 TROCKENAETZEN 65 5.2.1
PLASMAAETZEN (PE) 66 5.2.2 REAKTIVES IONENAETZEN (RIE) 69 5.2.2.1
PROZESSPARAMETER DES REAKTIVEN IONENAETZENS 69 5.2.2.2 REAKTIONSGASE 72
5.2.3 IONENSTRAHLAETZEN 77 5.2.4 TROCKENAETZVERFAHREN FUER HOHE AETZRATEN 78
5.3 ENDPUNKTDETEKTION 78 5.3.1 VISUELLE KONTROLLE 79 5.3.2 ELLIPSOMETRIE
79 5.3.3 SPEKTROSKOPIE 80 5.3.4 INTERFEROMETRIE 80 5.3.5
MASSENSPEKTROMETRIE 81 5.4 AUFGABEN ZUR AETZTECHNIK 8 1 6 DOTIERTECHNIKEN
83 6.1 LEGIERUNG 84 6.2 DIFFUSION 86 R 6.2.1 FICK SCHE GESETZE * 88
6.2.1.1 DIE DIFFUSION AUS UNERSCHOEPFLICHER QUELLE 88 6.2.1.2 DIE
DIFFUSION AUS ERSCHOEPFLICHER QUELLE 90 6.2.2 DIFFUSIONSVERFAHREN 92
6.2.3 ABLAUF DES DIFFUSIONSPROZESSES 95 6.2.4 GRENZEN DER
DIFFUSIONSTECHNIK 96 6.3 IONENIMPLANTATION 97 6.3.1 REICHWEITE
IMPLANTIERTER IONEN 98 6.3.2 CHANNELING 100 6.3.3 AKTIVIERUNG DER
DOTIERSTOFFE 101 6.3.4 TECHNISCHE AUSFUEHRUNG DER IONENIMPLANTATION 105
6.3.5 CHARAKTERISTIKEN DER IMPLANTATION 109 6.4 AUFGABEN ZU DEN
DOTIERTECHNIKEN 110 VIII INHALTSVERZEICHNIS 7 DEPOSITIONSVERFAHREN 112
7.1 CHEMISCHE DEPOSITIONSVERFAHREN 7.1.1 DIE SILIZIUM-GASPHASENEPITAXIE
7.1.2 DIE CVD-VERFAHREN ZUR SCHICHTDEPOSITION 7.1.2.1 APCVD-VERFAHREN
7.1.2.2 LOW PRESSURE CVD-VERFAHREN (LPCVD) 7.1.2.3 PLASMA ENHANCED
CVD-VERFAHREN (PECVD) 7.2 PHYSIKALISCHE DEPOSITIONSVERFAHREN 7.2.1
MOLEKULARSTRAHLEPITAXIE (MBE) 7.2.2 AUFDAMPFEN 7.2.3 KATHODENZERSTAEUBUNG
(SPUTTERN) 7.3 AUFGABEN ZU DEN ABSCHEIDETECHNIKEN 8 METALLISIERUNG UND
KONTAKTE 8.1 DER METALL-HALBLEITER-KONTAKT 8.2 MEHRLAGENVERDRAHTUNG
8.2.1 PLANARISIERUNGSTECHNIKEN 8.2.1.1 DER BPSG-REFLOW 8.2.1.2 REFLOW-
UND RUECKAETZTECHNIK ORGANISCHER SCHICHTEN 8.2.1.3 SPIN-ON-GLAESER 8.2.1.4
CHEMISCH-MECHANISCHES POLIEREN 8.2.2 AUFFUELLEN VON KONTAKTOEFFHUNGEN 8.3
ZUVERLAESSIGKEIT DER ALUMINIUM-METALLISIERUNG 8.4 KUPFERMETALLISIERUNG
8.4 AUFGABEN ZUR KONTAKTIERUNG 9 SCHEIBENREINIGUNG 9.1 VERUNREINIGUNGEN
UND IHRE AUSWIRKUNGEN 9.1.1 MIKROSKOPISCHE VERUNREINIGUNGEN 9.1.2
MOLEKULARE VERUNREINIGUNGEN 9.1.3 ALKALISCHE UND ATOMARE
VERUNREINIGUNGEN 9.2 REINIGUNGSTECHNIKEN INHALTSVERZEICHNIS IX 9.3
AETZLOESUNGEN ZUR SCHEIBENREINIGUNG 156 9.4 BEISPIEL EINER
REINIGUNGSSEQUENZ 158 9.5 AUFGABEN ZUR SCHEIBENREINIGUNG 160 10
MOS-TECHNOLOGIEN ZUR SCHALTUNGSINTEGRATION 161 10.1 EINKANAL
MOS-TECHNIKEN 161 10.1.1 DER PMOS ALUMINIUM-GATE-PROZESS 161 10.1.2 DIE
N-KANAL ALUMINIUM-GATE MOS-TECHNIK 164 10.1.3 DIE NMOS
SILIZIUM-GATE-TECHNOLOGIE 168 10.2 DER N-WANNEN SILIZIUM-GATE
CMOS-PROZESS 171 10.2.1 SCHALTUNGSELEMENTE DER CMOS-TECHNIK 181 10.2.2
LATCHUP-EFFEKT 185 10.3 FUNKTIONSTEST UND PARAMETERERFASSUNG 189 10.4
AUFGABEN ZUR MOS-TECHNIK 191 11 ERWEITERUNGEN ZUR HOECHSTINTEGRATION 194
11.1 LOKALE OXIDATION VON SILIZIUM (LOCOS-TECHNIK) 194 11.1.1 DIE LOKALE
OXIDATION VON SILIZIUM 194 11.1.2 SPOT-TECHNIK ZUR LOKALEN OXIDATION 197
11.1.3 DIE SILO-TECHNIK 199 11.1.4 POLY-BUFFERED LOCOS 200 11.1.5 DIE
SWAMI-LOCOS-TECHNIK 201 11.1.6 GRABEN-ISOLATION 204 11.2
MOS-TRANSISTOREN FUER DIE HOECHSTINTEGRATION 205 11.2.1
DURCHBRUCHMECHANISMEN IN MOS-TRANSISTOREN 207 11.2.1.1
KANALLAENGENMODULATION 207 11.2.1.2 DRAIN-DURCHGRIFF (PUNCH-THROUGH) 208
11.2.1.3 DRAIN-SUBSTRAT DURCHBRUCH (SNAP-BACK) 209 11.2.1.4
TRANSISTORALTERUNG DURCH HEISSE ELEKTRONEN 209 11.2.2 DIE SPACER-TECHNIK
ZUR DOTIERUNGSOPTIMIERUNG 210 11.2.2.1 LDD N-KANAL MOS-TRANSISTOREN 210
11.2.2.2 P-KANAL OFFSET-TRANSISTOREN 214 11.2.3 SELBSTJUSTIERENDE
KONTAKTE 217 X INHALTSVERZEICHNIS 11.3S0I-TECHNIKEN 220 11.3.1
SOI-SUBSTRATE 221 11.3.1.1 FIPOS - FUELL ISOLATION BY POROUS OXIDIZED
SILICON 221 11.3.1.2 SIMOX - SILICON IMPLANTED OXIDE 223 11.3.1.3
WAFER-BONDING 225 11.3.1.4 ELO - EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH 226
11.3.1.5 DIE SOS-TECHNIK 227 11.3.1.6 SOI-SCHICHTEN DURCH
REKRISTALLISATIONSVERFAHREN 228 11.3.2 PROZESSFUEHRUNG IN DER SOI-TECHNIK
230 11.4 AUFGABEN ZUR HOECHSTINTEGRATIONSTECHNIK 236 12
BIPOLAR-TECHNOLOGIE 238 12.1 DIE STANDARD-BURIED-COLLECTOR TECHNIK 239
12.2 FORTGESCHRITTENE SBC-TECHNIK 243 12.3 BIPOLARPROZESS MIT
SELBSTJUSTIERTEM EMITTER 244 12.4BICMOS-TECHNIKEN 248 12.5 AUFGABEN ZUR
BIPOLARTECHNOLOGIE 251 13 MONTAGE INTEGRIERTER SCHALTUNGEN 13.1
VORBEREITUNG DER SCHEIBEN ZUR MONTAGE 13.1.1 VERRINGERUNG DER
SCHEIBENDICKE 13.1.2 RUECKSEITENMETALLISIERUNG 13.1.3 TRENNEN DER CHIPS
13.1.3.1 RITZEN 13.1.3.2 LASERTRENNEN 13.1.3.3 SAEGEN/TRENNSCHLEIFEN 13.2
SCHALTUNGSMONTAGE 13.2.1 SUBSTRATE/SYSTEMTRAEGER 13.2.2
BEFESTIGUNGSTECHNIKEN 13.2.2.1 KLEBEN 13.2.2.2 LOETEN 13.2.2.3 LEGIEREN
INHALTSVERZEICHNIS XI 13.3 KONTAKTIERVERFAHREN 264 13.3.1
EINZELDRAHT-KONTAKTIERUNG (BONDING) 264 13.3.1.1
THERMOKOMPRESSIONSVERFAHREN 265 13.3.1.2 ULTRASCHALLBONDEN 267 13.3.1.3
THERMOSONIC-VERFAHREN 270 13.3.2 KOMPLETTKONTAKTIERUNG 270 13.3.2.1
SPIDER-KONTAKTIERUNG 270 13.3.2.2 FLIPCHIP-KONTAKTIERUNG 273 13.3.2.3
BEAMLEAD-KONTAKTIERUNG 275 13.4 ENDBEARBEITUNG DER SUBSTRATE 277 13.5
AUFGABEN ZUR CHIPMONTAGE 279 ANHANG A: LOESUNGE N DER AUFGABEN 280 ANHANG
B: FARBTABELLE OXIDDICKEN 299 LITERATURVERZEICHNIS 300
STICHWORTVERZEICHNIS 302
|
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| author | Hilleringmann, Ulrich |
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