Simulation des Transportverhaltens in Si-Si1-xGex-Si-Heterobipolartransistoren:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
München
Utz, Wiss.
1999
|
| Schriftenreihe: | Elektrotechnik
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: Diss., 1999 |
| Beschreibung: | II, 174 S. graph. Darst. |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
2
EIGENSCHAFTEN
DES
MATERIALSYSTEMS
SI/SIGE
4
2.1
EINFUEHRUNG
.
4
2.2
SUBSTRATMATERIALIEN
.
5
2.2.1
SILIZIUM
.
5
2.2.2
SII_YGEY
.
14
2.3
VERSPANNTE
EPITAKTISCHE
SCHICHTEN
.
19
2.3.1
VERSPANNTES
SILIZIUM
.
24
2.3.2
VERSPANNTES
SII
X
GEX
.
26
2.4
AUSWIRKUNGEN
DER
VERSPANNUNG
.
33
2.4.1
LADUNGSTRAEGERDICHTEN
IM
GLEICHGEWICHT
.
33
2.4.2
ANISOTROPE
OHMSCHE
BEWEGLICHKEIT
.
36
2.5
ZUSAMMENFASSUNG
.
43
3
DAS
SYSTEM
DER
HALBLEITERGLEICHUNGEN
44
3.1
EINFUEHRUNG
.
44
3.2
DAS
ENERGIETRANSPORTMODELL
.
46
3.2.1
POISSONGLEICHUNG
.
48
3.2.2
KONTINUITAETSGLEICHUNGEN
DER
ELEKTRONEN
UND
LOECHER
.
50
3.2.3
ENERGIEERHALTUNGSGLEICHUNGEN
.
59
3.2.4
EXTRAKTION
DER
TRANSPORTPARAMETER
AUS
MC-DATEN
.
62
3.3
ZUSAMMENFASSUNG
.
71
4
LOESUNGSSTRATEGIE
72
4.1
DISKRETISIERUNG
.
72
4.1.1
DISKRETISIERUNG
DER
POISSON
UND
ERHALTUNGSGLEICHUNGEN
.
73
4.1.2
DISKRETISIERUNG
DER
FLUSSDICHTEGLEICHUNGEN
.
76
4.2
RANDBEDINGUNGEN
FUER
DAS
GLEICHUNGSSYSTEM
.
80
II
INHALTSVERZEICHNIS
4.2.1
RANDBEDINGUNGEN
AN
ISOLIERENDEN
GRENZFLAECHEN
.
80
4.2.2
RANDBEDINGUNGEN
AN
KONTAKTEN
.
81
4.3
ZUSAMMENFASSUNG
.
85
5
SIMULATIONEN
ZUM
HBT
86
5.1
EINFUEHRUNG
.
86
5.2
TRANSISTORKONSTRUKTIONEN
DES
SI/SII-XGE^
/SI-HBT
.
88
5.3
DIE
EFFEKTIVE
BANDLUECKE
.
91
5.3.1
DIE
EFFEKTIVE
BANDLUECKE
IN
UNVERSPANNTEM
SILIZIUM
.
92
5.3.2
DIE
EFFEKTIVE
BANDLUECKE
IN
VERSPANNTEM
SII_
X
GEX
.
95
5.3.3
AUSDIFFUSION
VON
BOR
AUS
DER
BASIS
.
97
5.4
VERGLEICH
MIT
MC-BAUELEMENTESIMULATIONEN
.
102
5.4.1
EINFUEHRUNG
.
102
5.4.2
BERECHNUNG
DER
ENERGIEABHAENGIGEN
BEWEGLICHKEIT
.
103
5.4.3
VERGLEICH
DER
MODELLE
IM
NORMAL
AKTIVEN
BEREICH
.
104
5.4.4
FALSCHE
GESCHWINDIGKEITSSPITZEN
.
111
5.4.5
ZUSAMMENFASSUNG
.
114
5.5
STATISCHES
VERHALTEN
VON
SI/SII_
X
GEX
/SI-HBT
.
115
5.5.1
EINFUEHRUNG
.
115
5.5.2
ANALYTISCHE
BESCHREIBUNG
DES
STATISCHEN
VERHALTENS
.
.
118
5.5.3
MODIFIZIERTER
KIRK-EFFEKT
UND
QUASISAETTIGUNG
.
125
5.5.4
TEMPERATURVERHALTEN
VON
SI/SII
X
GEX
/SI-HBT
.
132
5.5.5
ZUAMMENFASSUNG
.
135
5.6
HF-VERHALTEN
VON
HBT
.
136
5.6.1
BERECHNUNG
DER
TRANSITZEITEN
FUER
DAS
DDM
UND
DAS
ETM
136
5.6.2
VERGLEICH
MIT
EINER
REALEN
TTANSISTORSTRUKTUR
.
142
5.6.3
UNTERSUCHUNGEN
ZUM
ANISOTROPEN
TRANSPORT
.
144
5.6.4
ZUSAMMENFASSUNG
.
146
5.7
EIN
OPTIMIERUNGSBEISPIEL
.
146
5.7.1
OPTIMIERUNG
DES
KOLLEKTOR-DESIGNS
.
147
5.7.2
OPTIMIERUNG
DER
LAGE
DES
BORPROFILS
.
150
5.7.3
OPTIMIERUNG
DES
BASIS-EMITTER-BEREICHES
.
152
5.8
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
.
155
A
ERWEITERTE
MODELLE
157
A.L
APPROXIMATIONEN
ZU
FERMI-DIRAC-INTEGRALEN
.
157
A.2
PHYSIKALISCHE
KONSTANTEN
.
161 |
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