Die kristalline Silicium-Dünnschichtsolarzelle auf isolierenden Substraten:
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Konstanz
Hartung-Gorre
1999
|
| Ausgabe: | 1. Aufl. |
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| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: Konstanz, Univ., Diss., 1998 |
| Beschreibung: | 174 S. Ill., graph. Darst. |
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INHALTSVERZEICHNIS
KAPITEL
1
1
EINLEITUNG
1
KAPITEL
2
2
DIE
ELEMENTE
DER
KRISTALLINEN
SILICIUM
DUENNSCHICHTSOLARZELLE
5
2.1
DAS
SUBSTRAT
6
2.1.1
ELEKTRISCHE
LEITFAEHIGKEIT
7
2.1.2
SUBSTRATKOSTEN
7
2.1.3
THERMISCHE
UND
MECHANISCHE
STABILITAET
8
2.1.4
THERMISCHER
AUSDEHNUNGSKOEFFIZIENT
9
2.1.5
REINHEIT
9
2.1.6
MATERIALIEN
FUER
SUBSTRATE
9
2.2
ZWISCHENSCHICHTEN
12
2.3
ABSCHEIDEVERFAHREN
13
2.4
REKRISTALLISATION
15
2.5
SOLARZELLENTECHNOLOGIE
16
2.6
DER
AKTUELLE
STAND
DER
DUENNSCHICHTSOLARZELLENENTWICKLUNG
17
2.6.1
DIE
HISTORISCHE
ENTWICKLUNG
DER
KRISTALLINEN
SI
DUENNSCHICHTSOLARZELLE
17
2.6.2
NIEDERTEMPERATUR-SOLARZELLENKONZEPTE
18
2.6.3
BAENDERSILICIUM
25
2.6.4
DIREKTEPITAXIERTE
SI-SCHICHT
AUF
POLYKRISTALLINEM
SI-SUBSTRAT
27
2.6.5
DUENNSCHICHTSOLARZELLEN
AUF
FREMDSUBSTRATEN
ODER
ZWISCHENSCHICHTEN
29
2.6.6
WEITERE
DUENNSCHICHTSOLARZELLEN-KONZEPTE
33
2.7
ZUSAMMENFASSUNG
34
KAPITEL
3
3
SIMULATION
VON
SILICIUM
DUENNSCHICHTSOLARZELLEN
AUF
ISOLIERENDER
SIO
2
-
ZWISCHENSCHICHT
36
3.1
DIE
HALBLEITERPHYSIKALISCHEN
GRUNDGLEICHUNGEN
DER
SILICIUMSOLARZELLE
36
3.1.1
ELEKTRISCHES
CONFINEMENT
38
3.1.2
OPTISCHES
CONFINEMENT
39
3.2
SIMULATIONEN
VORDERSEITIG
KONTAKTIERTER
SOLARZELLEN
MIT
DEN
PROGRAMMEN
SOSI-2D
SOWIE
RAYN,
MDRAW
UND
DESSIS
41
3.2.1
DER
FINITE
DIFFERENZEN
SIMULATOR
SOSI-2D
41
3.2.2
SIMULATION
VORDERSEITENKONTAKTIERTER
SOLARZELLEN
MITTELS
RAYN,
MDRAW
UND
DESSIS
43
3.3
SIMULATION
ELEKTRISCHER
PARAMETER
EINSEITIG
KONTAKTIERTER
DUENNSCHICHTSOLARZELLEN
45
3.3.1
EINFLUSS
DES
VORDERSEITIGEN
FLAECHENANTEILS
DER
BASIS
45
3.3.2
EINFLUSS
DER
VORDER
UND
RUECKSEITENREKOMBINATION
47
3.3.3
EINFLUSS
DER
MINORITAETSLADUNGSTRAEGER-DIFFUSIONSLAENGE
48
3.4
OPTIMIERUNG
DER
FRONTKONTAKTGRIDGEOMETRIE
50
3.4.1
VERLUSTE
DURCH
EMITTER,
KONTAKTFINGER
UND
STROMSAMMELBUS
50
3.4.2
OPTIMIERUNG
DES
FINGERABSTANDES
53
3.4.3
VORDERSEITENKONTAKTIERUNG
MIT
SIEBDRUCKTECHNIK
54
3.5
DIE
OPTISCHEN
EIGENSCHAFTEN
EINER
SIO
2
-ZWISCHENSCHICHT
55
3.6
VERGLEICH
VON
SI-DUENNSCHICHTSOLARZELLEN
MIT
TEXTURIERTER
UND
PLANER
VORDERSEITE
58
3.7
VARIATION
DES
BACK
SURFACE
FIELDS
62
3.8
ZUSAMMENFASSUNG
65
KAPITEL
4
4
HERSTELLUNG
UND
CHARKTERISIERUNG
HOCHEFFIZIENTER
DUENNSCHICHTSOLARZELLEN
AUF
ISOLIERENDER
SIO
2
-
ZWISCHENSCHICHT
66
4.1
ERSTELLUNG
EINES
MASKENSATZES
FUER
DIE
EINSEITENKONTAKTIERUNG
IN
FORM
EINES
INTERDIGITATED
GRIDS
67
4.2
HERSTELLUNG
DER
SOI
-
SCHICHTSTRUKTUR
70
4.3
SOLARZELLENTECHNOLOGIE
FUER
HOCHEFFIZIENTE
DUENNSCHICHTSOLARZELLEN
MIT
EINSEITIGER
KONTAKTIERUNG
72
4.4
DIE
SOLARZELLENERGEBNISSE
UND
DEREN
AUSWERTUNG
76
4.4.1
EINFLUSS
DER
VORDERSEITENSTRUKTUR
77
4.4.2
EINFLUSS
DES
BACK
SURFACE
FIELDS
78
4.4.3
EINFLUSS
DER
SCHICHTDICKE
81
4.4.4
EINFLUSS
DES
FINGERABSTANDS
UND
DES
FINGERDURCHMESSERS
82
4.5
MONOLITHISCH
INTEGRIERTES
MINIMODUL
85
4.6
RUECKSEITIG
UND
BEIDSEITIG
KONTAKTIERTE
SI-SOLARZELLEN
89
4.6.1
DIE
RUECKSEITENKONTAKTZELLE
89
4.6.2
DIE
BEIDSEITIG
BELEUCHTBARE
SOLARZELLE
90
4.7
ZUSAMMENFASSUNG
91
KAPITEL
5
5
ZONENREKRISTALLISIERTE
SI-SCHICHTEN
AUF
ISOLIERENDEN
SUBSTRATEN
93
5.1
EINFUEHRUNG
IN
DIE
REKRISTALLISATION
UND
DEREN
VERFAHREN
93
5.1.1
DIE
WICHTIGSTEN
GRUNDBEGRIFFE
DER
KRISTALLISATION
93
5.1.2
REKRISTALLISATIONSVERFAHREN
95
5.2
DER
OPTISCH
BEHEIZTE
ZONENSCHMELZOFEN
97
5.3
PRAEPARATION
DES
SCHICHTSYSTEMS
99
5.3.1
PROBENVORBEREITUNG
99
5.3.2
ABSCHEIDUNG
DER
ZWISCHEN
UND
DECKSCHICHTEN
100
5.3.3
SILICIUMABSCHEIDUNG
AUS
DER
GASPHASE
102
5.3.4
SOLARZELLENTECHNOLOGIE
VON
SI-SCHICHTEN
AUF
ISOLIERENDEN
SUBSTRATEN
104
5.4
ZONENREKRISTALLISIERTE
SI-SCHICHTEN
AUF
EINER
GESCHLOSSENEN
SIO
2
-
107
ZWISCHENSCHICHT
5.4.1
DIE
MECHANISMEN
DER
GERICHTETEN
REKRISTALLISATION
107
5.4.2
EINFLUSS
DER
REKRISTALLISATIONSGESCHWINDIGKEIT
AUF
DIE
DEFEKTDICHTE
109
5.4.3
ABHAENGIGKEIT
DER
MINORITAETSLEBENSDAUER
VON
DER
DEFEKTDICHTE
111
5.5
ZONENREKRISTALLISIERTE
SI-SCHICHTEN
AUF
VERSCHIEDENEN
KERAMIKSUBSTRATEN
115
5.5.1
ZONENREKRISTALLISIERTE
SI-SCHICHTEN
AUF
SI-INFILTRIERTER
SIC
KERAMIK
115
5.5.2
SI-REKRISTALLISATION
AUF
SIC-BESCHICHTETEM
GRAPHIT
117
5.5.3
WEITERE
SUBSTRATMATERIALIEN
118
5.6
ZONENREKRISTALLISATION
VON
SILICIUM
AUF
HOCHTEMPERATURGLAS
121
5.7
ZUSAMMENFASSUNG
124
KAPITEL
6
6
GROSSFLAECHIG
REKRISTALLISIERTE
SI-SCHICHTEN
AUF
SILICIUM
MIT
PERFORIERTER
SIO
2
-ZWISCHENSCHICHT
126
6.1
AUFBAU
UND
CHARAKTERISIERUNG
DES
GROSSFLAECHIGEN
UMSCHMELZOFENS
126
6.1.1
PRINZIP
UND
AUFBAU
DES
GROSSFLAECHIGEN
UMSCHMELZOFENS
127
6.1.2
CHARAKTERISIERUNG
DES
GROSSFLAECHIGEN
UMSCHMELZOFENS
129
6.1.3
AUTOMATISIERUNG
DES
UMSCHMELZSCHRITTES
131
6.2
DIE
GROSSFLAECHIGE
REKRISTALLISATION
VON
SI-SCHICHTEN
AUF
MONOKRISTALLINEM
SI
MIT
PERFORIERTER
ZWISCHENSCHICHT
133
6.2.1
DAS
PRINZIP
DER
ORIENTIERTEN
REKRISTALLISATION
AUS
KEIMLOECHERN
133
6.3
CHARAKTERISIERUNG
DER
REKRISTALLISIERTEN
SI-SCHICHTEN
AUF
MONOKRISTALLINEN
SI-WAFERN
137
6.3.1
KRISTALLOGRAPHISCHE
UNTERSUCHUNGEN
MITTELS
ROENTGENDIFFRAKTOMETRIE
139
6.4
GROSSFLAECHIGE
REKRISTALLISATION
VON
SI-SCHICHTEN
AUF
VERSCHIEDENEN
MULTIKRISTALLINEN
SUBSTRATEN
143
6.4.1
KRISTALLOGRAPHISCHE
CHARAKTERISIERUNG
DER
REKRISTALLISIERTEN
SCHICHTEN
143
6.4.2
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
DER
REKRISTALLISIERTEN
SI-SCHICHTEN
147
6.5
ZUSAMMENFASSUNG
149
KAPITEL
7
7
ZUSAMMENFASSUNG
150
LITERATURVERZEICHNIS
154
PUBLIKATIONEN
VORTRAEGE
DANKSAGUNG
169
172
173 |
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