Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
1999
|
| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1999 |
| Beschreibung: | XIV, 124 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 3826561570 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV012618128 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20001205 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 990615s1999 gw ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 016 | 7 | |a 956574378 |2 DE-101 | |
| 020 | |a 3826561570 |c kart. : DM 89.00 |9 3-8265-6157-0 | ||
| 035 | |a (OCoLC)76063378 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV012618128 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakwb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 044 | |a gw |c DE | ||
| 049 | |a DE-859 |a DE-91 | ||
| 084 | |a ZN 4850 |0 (DE-625)157413: |2 rvk | ||
| 084 | |a ELT 315d |2 stub | ||
| 084 | |a ELT 270d |2 stub | ||
| 100 | 1 | |a Köster, Thomas |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren |c Thomas Köster |
| 250 | |a Als Ms. gedr. | ||
| 264 | 1 | |a Aachen |b Shaker |c 1999 | |
| 300 | |a XIV, 124 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 0 | |a Berichte aus der Halbleitertechnik | |
| 500 | |a Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1999 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Nanotechnologie |0 (DE-588)4327470-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Transistor |0 (DE-588)4060646-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Halbleitertechnologie |0 (DE-588)4158814-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Siliciumbauelement |0 (DE-588)4181368-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Einelektronen-Tunneleffekt |0 (DE-588)4297542-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Transistor |0 (DE-588)4060646-6 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Einelektronen-Tunneleffekt |0 (DE-588)4297542-6 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Siliciumbauelement |0 (DE-588)4181368-6 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Nanotechnologie |0 (DE-588)4327470-5 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a Halbleitertechnologie |0 (DE-588)4158814-9 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008571010&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
| 943 | 1 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008571010 | |
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1807683500076171264 |
|---|---|
| adam_text |
INHALTSVERZEICHNIS
ABBILDUNGSVERZEICHNIS
XI
1
EINLEITUNG
1
2
GRUNDLEGENDE
ASPEKTE
5
2.1
THEORIE
DER
EINZEL-ELEKTRONEN-TRANSISTOREN
.
5
2.1.1
TUNNELKONTAKTE
.
6
2.1.2
BESCHREIBUNG
DURCH
DAS
RC-MODELL
.
7
2.1.3
HERLEITUNG
DER
TUNNELRATEN
.
10
2.1.3.1
AUFSTELLUNG
DES
HAMILTON
OPERATORS
.
10
2.1.3.2
STOERUNGSTHEORETISCHE
BERECHNUNG
DER
TUNNELRATEN
.
13
2.1.3.3
GRENZFAELLE
VERSCHWINDENDER
UND
GROSSER
IMPEDANZ
.
16
2.1.4
ANALYTISCHE
BERECHNUNG
DES
EINFACHEN
SETTS
.
17
2.1.5
MONTE-CARLO
ALGORITHMUS
ZUR
BERECHNUNG
VON
EINZEL-ELEKTRONEN
EFFEKTEN
.
18
2.1.6
SIMULATION
DER
ELEKTRODYNAMIK
VON
EINZEL-ELEKTRONEN-TRANSISTOREN
19
2.1.6.1
DER
EINFACHE
SETT
.
20
2.1.6.2
MULTITUNNEL-SETTS
.
23
2.2
DER
SILIZIUM
EINZEL-ELEKTRONEN-TRANSISTOR
.
26
2.2.1
SILIZIUM
ALS
AUSGANGSMATERIAL
.
26
2.2.1.1
BESONDERHEITEN
HOCH-DOTIERTEN
SILIZIUMS
.
28
2.2.1.2
SILIZIUM/SILIZIUMDIOXID-GRENZSCHICHT
.
30
2.2.2
URSACHEN
FUER
POTENTIALBARRIEREN
IN
MESOSKOPISCHEN
SI-STRUKTUREN
31
2.2.2.1
CONFINEMENT-BARRIEREN
.
31
2.2.2.2
POTENTIALFLUKTUATIONEN
AUFGRUND
DER
DOTIERSTOFFVERTEILUNG
33
2.2.3
DAS
RC-MODELL
ANGEWANDT
AUF
SI-SETTS
.
36
3
NANOTECHNOLOGIEN
39
3.1
STRUKTURDEFINITION
MITTELS
ELEKTRONENSTRAHL-LITHOGRAPHIE
.
39
3.2
STRUKTURUEBERTRAGUNG
DURCH
REAKTIVE
TROCKENAETZVERFAHREN
.
42
3.2.1
STANDARD
RIE-AETZVERFAHREN
.
42
3.2.2
ELEKTRON-ZYKLOTRON-RESONANZ
AETZVERFAHREN
.
44
3.3
PASSIVIERUNG
DURCH
TEMPERSCHRITTE
UND
SIO
2
-DEPOSITION
.
45
VIII
INHALTSVERZEICHNIS
3.3.1
RTP-VERFAHREN
.
46
3.3.2
NIEDERTEMPERATUR
OXID-DEPOSITION
.
46
4
KONZEPTE
49
4.1
METALLISCHE
EINZEL-ELEKTRONEN-TYANSISTOREN
.
49
4.1.1
SCHRAEGSCHATTEN-BEDAMPFUNGSTECHNIK
.
49
4.1.2
SAIL-VERFAHREN
.
51
4.1.3
LOKALE
OXIDATION
MITTELS
STM
.
52
4.1.4
SECO-VERFAHREN
.
53
4.2
EINZEL-ELEKTRONEN-TRANSISTOREN
AUF
SILIZIUMBASIS
.
54
4.2.1
STATISTISCHE
POTENTIALFLUKTUATIONEN
IN
NANODRAEHTEN
.
54
4.2.2
CONFINEMENT-BARRIEREN
.
56
4.2.3
POLYKRISTALLINES
SILIZIUM
.
58
4.3
EIGENES
KONZEPT
UND
LAYOUTS
.
59
4.3.1
HOCH
N-DOTIERTES
SOI-MATERIAL
.
60
4.3.2
HOMOGENE
NANOSTEGE
.
60
4.3.3
NANOSTEGE
MIT
ZUSAETZLICHEN
LOKALEN
LATERALEN
EINSCHNUERUNGEN
.
.
61
5
HERSTELLUNGSPROZESS
DER
EINZEL-ELEKTRONEN-TRANSISTOREN
63
5.1
AUSGANGSMATERIAL
BESOI
.
63
5.1.1
AUSDUENNUNG
UND
DOTIERUNG
DER
SI-TOPSCHICHT
.
64
5.1.2
EINKRISTALLINES
WACHSTUM
DUENNER
SI-TOPSCHICHTEN
.
65
5.2
DEFINITION
DER
TRANSISTOR-MESA
UND
DER
SILIZIUM
NANOSTRUKTUR
.
66
5.2.1
ZWEI-LAGEN-RESISTSYSTEM
.
66
5.2.2
HOECHSTAUFLOESENDE
ELEKTRONENSTRAHL-LITHOGRAPHIE
.
67
5.3
STRUKTURUEBERTRAGUNG
IN
DIE
SILIZIUM
TOPSCHICHT
.
69
5.3.1
STRUKTURIERUNG
DER
TITAN-ZWISCHENSCHICHT
.
69
5.3.2
ANISOTROPE
AETZUNG
DER
SI
TOPSCHICHT
.
70
5.4
PASSIVIERUNG
DER
BAUELEMENTE
.
71
5.5
REALISIERUNG
DER
KONTAKTEBENE
.
74
6
CHARAKTERISIERUNG
DER
BAUELEMENTE
UND
DISKUSSION
77
6.1
RAUSCHARME
TIEFTEMPERATUR-MESSTECHNIK
.
77
6.2
UNIFORME
SI-NANOSTEG-TRANSISTOREN
.
79
6.2.1
ERGEBNISSE
AN
MIT
2
X
10
19
CM
-3
PHOSPHOR
DOTIERTEN
TRANSISTOREN
80
INHALTSVERZEICHNIS
IX
6.2.1.1
CHARAKTERISTIK
DER
37
NM
SCHMALEN
NANOSTEGE
.
80
6.2.1.2
CHARAKTERISTIK
DER
26
NM
SCHMALEN
NANOSTEGE
.
83
6.2.2
ERGEBNISSE
AN
DEN
NANOSTEGEN
MIT
2
X
10
2O
CM~
3
PHOSPHORDOTIERUNG
88
6.2.3
MECHANISMUS
DER
BARRIERENBILDUNG
.
91
6.3
NANOSTEGE
MIT
LOKALEN
EINSCHNUERUNGEN
.
94
6.3.1
ERGEBNISSE
AUF
IMPLANTIERTEM
SILIZIUM
.
94
6.3.2
ERGEBNISSE
AUF
MBE-MATERIAL
.
100
6.3.3
DISKUSSION
DER
ERGEBNISSE
AN
INHOMOGENEN
NANOSTEGEN
MIT
LATE
RALEN
EINSCHNUERUNGEN
.
104
7
ZUSAMMENFASSUNG
107
8
AUSBLICK
111
LITERAT
URVERZEICHNISS
115
VEROEFFENTLICHUNGSLISTE
123 |
| any_adam_object | 1 |
| author | Köster, Thomas |
| author_facet | Köster, Thomas |
| author_role | aut |
| author_sort | Köster, Thomas |
| author_variant | t k tk |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV012618128 |
| classification_rvk | ZN 4850 |
| classification_tum | ELT 315d ELT 270d |
| ctrlnum | (OCoLC)76063378 (DE-599)BVBBV012618128 |
| discipline | Elektrotechnik Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
| edition | Als Ms. gedr. |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00000nam a2200000 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV012618128</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20001205</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">990615s1999 gw ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">956574378</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3826561570</subfield><subfield code="c">kart. : DM 89.00</subfield><subfield code="9">3-8265-6157-0</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)76063378</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV012618128</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">DE</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-859</subfield><subfield code="a">DE-91</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4850</subfield><subfield code="0">(DE-625)157413:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 315d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 270d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Köster, Thomas</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren</subfield><subfield code="c">Thomas Köster</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Als Ms. gedr.</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Aachen</subfield><subfield code="b">Shaker</subfield><subfield code="c">1999</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">XIV, 124 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Berichte aus der Halbleitertechnik</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1999</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Nanotechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4327470-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Transistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4060646-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158814-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumbauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4181368-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Einelektronen-Tunneleffekt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4297542-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Transistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4060646-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Einelektronen-Tunneleffekt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4297542-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Siliciumbauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4181368-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Nanotechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4327470-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158814-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008571010&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008571010</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV012618128 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-08-18T00:35:24Z |
| institution | BVB |
| isbn | 3826561570 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008571010 |
| oclc_num | 76063378 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-859 DE-91 DE-BY-TUM |
| owner_facet | DE-859 DE-91 DE-BY-TUM |
| physical | XIV, 124 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 1999 |
| publishDateSearch | 1999 |
| publishDateSort | 1999 |
| publisher | Shaker |
| record_format | marc |
| series2 | Berichte aus der Halbleitertechnik |
| spelling | Köster, Thomas Verfasser aut Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren Thomas Köster Als Ms. gedr. Aachen Shaker 1999 XIV, 124 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Berichte aus der Halbleitertechnik Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1999 Nanotechnologie (DE-588)4327470-5 gnd rswk-swf Transistor (DE-588)4060646-6 gnd rswk-swf Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd rswk-swf Siliciumbauelement (DE-588)4181368-6 gnd rswk-swf Einelektronen-Tunneleffekt (DE-588)4297542-6 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Transistor (DE-588)4060646-6 s Einelektronen-Tunneleffekt (DE-588)4297542-6 s Siliciumbauelement (DE-588)4181368-6 s Nanotechnologie (DE-588)4327470-5 s Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 s DE-604 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008571010&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Köster, Thomas Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren Nanotechnologie (DE-588)4327470-5 gnd Transistor (DE-588)4060646-6 gnd Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd Siliciumbauelement (DE-588)4181368-6 gnd Einelektronen-Tunneleffekt (DE-588)4297542-6 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4327470-5 (DE-588)4060646-6 (DE-588)4158814-9 (DE-588)4181368-6 (DE-588)4297542-6 (DE-588)4113937-9 |
| title | Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren |
| title_auth | Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren |
| title_exact_search | Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren |
| title_full | Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren Thomas Köster |
| title_fullStr | Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren Thomas Köster |
| title_full_unstemmed | Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren Thomas Köster |
| title_short | Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren |
| title_sort | silizium basierende einzel elektronen transistoren |
| topic | Nanotechnologie (DE-588)4327470-5 gnd Transistor (DE-588)4060646-6 gnd Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd Siliciumbauelement (DE-588)4181368-6 gnd Einelektronen-Tunneleffekt (DE-588)4297542-6 gnd |
| topic_facet | Nanotechnologie Transistor Halbleitertechnologie Siliciumbauelement Einelektronen-Tunneleffekt Hochschulschrift |
| url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008571010&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
| work_keys_str_mv | AT kosterthomas siliziumbasierendeeinzelelektronentransistoren |