Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepaßten und metamorphen (InGaAl)As-Verbindungshalbleitern:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
1999
|
| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | IV, 164 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 3826548787 |
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INHALTSVERZEICHNIS
INHALTSVERZEICHNIS
1.
ZUSAMMENFASSUNG
1
2.
MOTIVATION
3
3.
INGAAS/LNAIAS-HEMTS
7
3.1
GITTERANGEPASSTE
TRANSISTOREN
AUF
INP-SUBSTRAT
.
8
3.1.1
SCHICHTSTRUKTUR
.
8
3.1.2
GLEICHSTROMERGEBNISSE
.
11
3.1.3
HOCHFREQUENZERGEBNISSE
.
13
3.2
METAMORPHE
TRANSISTOREN
AUF
GAAS-SUBSTRAT
.
14
3.2.1
SCHICHTSTRUKTUR
.
14
3.2.2
GLEICHSTROMERGEBNISSE
.
17
3.2.3
HOCHFREQUENZERGEBNISSE
.
19
3.3
ZUSAMMENFASSUNG
.
21
4.
STRUKTUROPTIMIERUNG
23
4.1
ELEKTRISCHE
TRANSPORTEIGENSCHAFTEN
.
23
4.1.1
LADUNGSTRAEGERTRANSFER
.
23
4.1.2
ARBEITSPUNKT
.
25
4.2
TRANSISTORMODELL
.
27
4.2.1
ERSATZSCHALTBILD
.
27
4.2.2
EXTRINSISCHE
ELEMENTE
.
29
4.2.3
INTRINSISCHE
ELEMENTE
.30
INHALTSVERZEICHNIS
5.
ERGEBNISSE
DER
OPTIMIERUNG
33
5.1
AUSGANGSKENNLINIENFELD
.
33
5.1.1
VARIATION
DES
DOTIERVERHAELTNISSES
.
36
5.1.2
MODIFIKATION
DER
PUFFERSTRUKTUR
AUF
INP-SUBSTRAT
.
40
5.1.3
MODIFIKATION
DER
PUFFERSTRUKTUR
AUF
GAAS-SUBSTRAT
.
42
5.1.4
GATE-KANAT-ABSTAND
UND
HOHE
DOTIERUNG
.
44
5.2
AUSSCHALTVERHALTEN
.
47
5.2.1
VARIATION
DES
DOTIERVERHAELTNISSES
.
48
5.2.2
MODIFIKATION
DER
PUFFERSTRUKTUR
AUF
INP-SUBSTRAT
.
50
5.2.3
MODIFIKATION
DER
PUFFERSTRUKTUR
AUF
GAAS-SUBSTRAT
.
52
5.3
GATE-SCHOTTKY-DIODE
.
56
5.3.1
GATE-METALLISIERUNG
.
57
5.3.2
ERHOEHUNG
DER
GATE-SCHOTTKY-BARRIERE
.
59
5.3.3
MODIFIKATION
DER
PUFFERSTRUKTUR
.
62
5.3.4
VARIATION
DES
DOTIERVERHAELTNISSES
.
64
5.3.5
KONTAKT-DOTIERUNG
.
66
5.4
WIDERSTAENDE
.
68
5.4.1
VERTEILTES
NETZWERK
VON
WIDERSTAENDEN
.
70
5.4.2
MESSUNG
DER
WIDERSTAENDE
.
73
5.4.3
KONTAKT-DOTIERUNG
.
74
5.4.4
VARIATION
DES
DOTIERVERHAELTNISSES
.
76
5.4.5
EINFLUSS
DER
LATERALEN
GATE-RECESS-LAENGE
.
78
5.4.6
SOURCE-DRAIN-ABSTAND
.
80
5.4.7
VARIATION
DER
GATE-LAENGE
.
83
5.5
UEBERTRAGUNGSCHARAKTERISTIK
UND
STEILHEIT
.
86
5.5.1
VARIATION
DES
DOTIERVERHAELTNISSES
.
87
5.5.2
KONTAKT-DOTIERUNG
.
90
5.5.3
EINFLUSS
DER
LATERALEN
GATE-RECESS-LAENGE
.
91
II
INHALTSVERZEICHNIS
5.6
HOCHFREQUENZVERHALTEN
.
95
5.6.1
VARIATION
DES
DOTIERVERHAELTNISSES
.
96
5.6.2
VARIATION
DER
GATE-LAENGE
.
100
5.6.3
EINFLUSS
DER
LATERALEN
GATE-RECESS-LAENGE
.
103
5.6.4
MODIFIKATION
DER
PUFFERSTRUKTUR
.105
5.6.5
KONTAKT-DOTIERUNG
.108
5.6.6
GATE-METALLISIERUNG
.109
6.
YYBAND
STRUCTURE
ENGINEERING
"
113
6.1
LADUNGSTRAEGERTRANSFER
UND
BANDSTRUKTUR
.
113
6.2
MODELL
ZUM
KINK-EFFEKT
.
115
6.3
BEWEGLICHKEIT
UND
SAETTIGUNGSGESCHWINDIGKEIT
.
118
7.
ANHANG
123
A.1
HEMT-SCHICHTSTRUKTUREN
.123
A.2
HERLEITUNG
DER
INTRINSISCHEN
STEILHEIT
UND
DES
AUSGANGSLEITWERTES
.
131
A.3
BERECHNUNG
VON
IH
2
I
I
2
UND
U
.133
A.4
BERECHNUNG
VON
F
T
UND
F
MAX
.134
A.5
VERTEILTES
NETZWERK
VON
WIDERSTAENDEN
.
136
A.6
GATE-KANAL-KAPAZITAET
.138
A.7
LINEARES
LADUNGSSTEUERUNGSMODELL
.140
A.8
TECHNOLOGIE
.
142
A.8.1
MASKENLAYOUT
.142
A.8.2
ELEKTRISCHE
ISOLATION
(MESA)
.
143
A.8.3
OHMSCHE
KONTAKTE
.145
A.8.4
GATE-PROZESS
.146
A.8.5
KONTAKTVERSTAERKUNG
.150
LLL
INHALTSVERZEICHNIS
8
LITERATURVERZEICHNIS
153
9
SYMBOLE
UND
ABKUERZUNGEN
157
IV |
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| title | Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepaßten und metamorphen (InGaAl)As-Verbindungshalbleitern |
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