Untersuchung der Auswirkungen von SOI-Technologien auf die Eigenschaften digitaler Schaltungen:
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Format: | Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
1997
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Beschreibung: | Duisburg, Univ., Diss., 1997 |
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IV
INHALTSVERZEICHNIS
I
NHALTSVERZEICHNIS
.
IV
F
ORMELZEICHEN
.
VI
ABKUERZUNGEN
.
VI
FORMELZEICHEN
.
VII
LEGENDE
.
X
1.
E
INLEITUNG
.
1
2.
S
TAND
UND
F
ORSCHUNGSSCHWERPUNKT
INTEGRIERTER
DIGITALER
S
CHALTUNGEN
.
3
2.1
TECHNISCHE
UND
WIRTSCHAFTLICHE
ENTWICKLUNGEN
.
3
2.2
ENTWURF
DIGITALER
SCHALTUNGEN
.
7
2.3
ANFORDERUNGEN
AN
INTEGRIERTE
DIGITALE
SCHALTUNGEN
.
8
3.
SOI-T
ECHNOLOGIEN
UND
SPEZIFISCHE
B
AUELEMENTE
.
12
3.1
BESCHREIBUNG
VERSCHIEDENER
SOI-TECHNOLOGIEN
.
12
3.1.1
VERFAHREN
DER
SUBSTRATHERSTELLUNG
.
12
3.1.2
AUFWAND
DER SUBSTRATHERSTELLUNG
.
15
3.2
PHYSIKALISCHE
GRUNDLAGEN
DER
BAUELEMENTE
.
19
3.2.1
AUFBAU
DER
BAUELEMENTE
.
19
3.2.2
BETRIEBSARTEN
.
21
3.2.3
SCHWELLENSPANNUNG
.
23
3.2.4
LECKSTROEME
.
28
3.2.5
LATCHUP
.
32
3.2.6
TREIBERFAEHIGKEIT
.
33
3.2.7
KURZKANALEFFEKTE
.
35
3.2.8
ZUVERLAESSIGKEIT
.
38
3.2.9
PARASITAERE
KAPAZITAETEN
.
42
4.
E
NTWURF
UND
R
EALISIERUNG
VON
SOI-B
AUELEMENTEN
.
46
4.1
REALISIERUNG
VON
EINZELTRANSISTOREN
FUER
DIGITALE
ANWENDUNGEN
.
46
4.1.1
MOEGLICHE
EINSCHRAENKUNGEN
UND
GEGENMASSNAHMEN
.
46
4.1.2
SOI-TRANSISTOREN
FUER
HOCHTEMPERATURANWENDUNGEN
.
57
4.1.3
SOI-TRANSISTOREN
FUER
LOW-VOLTAGE-ANWENDUNGEN.
63
4.2
REALISIERUNG
VON
MULTIPLE-GATE-TRANSISTOREN
FUER
DIGITALE
ANWENDUNGEN
.
67
4.3
PROZESSKOMPLEXITAET
.
74
4.4
BEWERTUNG
DER
KONZEPTE
.
78
5.
R
EALISIERUNG
DIGITALER
S
CHALTUNGEN
IN
SOI-T
ECHNOLOGIEN
.
85
5.1
SCHALTUNGSKONZEPTE
DIGITALER
BAUGRUPPEN
.
85
5.1.1
STATISCHE
LOGIK
.
85
5.1.2
DYNAMISCHE
LOGIK
.
88
5.1.3
SYNCHRONE
UND
ASYNCHRONE
SCHALTUNGSTECHNIKEN
.
91
5.1.4
SPEICHERZELLEN
.
92
5.1.5
KONZEPTE
ZUR
REDUZIERUNG
DER
VERLUSTLEISTUNG
.
94
5.2
EIGENSCHAFTEN
DIGITALER
BAUGRUPPEN
IN
SOI-TECHNOLOGIEN
.
96
5.2.1
ANALYSE
DES
FLAECHENAUFWANDS
VON
DIGITALZELLEN
IN
SOI-TECHNOLOGIEN
.
96
5.2.2
CHARAKTERISTIK
VON
DIGITALZELLEN
FUER
DEN
SEMI-CUSTOM-ENTWURF
.
101
5.3
BEISPIELE
DIGITALER
SCHALTUNGEN
IN
SOI-TECHNOLOGIEN
.
104
5.3.1
DIGITALE
SCHALTUNGEN
IN
EINER
SOI-LV-TECHNOLOGIE
.
104
5.3.2
DIGITALE
SCHALTUNGEN
IN
EINER
SOI-HT-TECHNOLOGIE
.
109
5.4
OPTIMALBEREICHE
FUER
DIE
SCHALTUNGSENTWICKLUNG
IN
SOI-TECHNOLOGIEN
.
117
6.
SOI
SPEZIFISCHE
G
ENERATORKONZEPTE
UND
E
NTWURFSSYSTEME
.
121
6.1
SOI-SPEZIFISCHE
GENERATORKONZEPTE
.
121
V
6.1.1
INVERTERBEZOGENES
GENERATORKONZEPT
FUER
SOI-TECHNOLOGIEN
.
121
6.1.2
ENTWURF
VON
GATE-ARRAYS
IN
SOI-TECHNOLOGIEN
.
125
6.1.3
ENTWURF
NICHT-KOMPLEMENTAERER
LOGIK
IN
SOI-TECHNOLOGIEN.
127
6.2
EIN
ENTWURFSSYSTEM
FUER
STANDARDZELLEN
IN
PD-SOI-TECHNOLOGIEN.
128
7.
B
EWERTUNG
DER
SOI-T
ECHNOLOGIEN
.
135
7.1
AUFWANDSANALYSE
VON
SOI-TECHNOLOGIEN
AUF
SYSTEMEBENE
.
135
7.2
VERGLEICH
AUFWAND
-
NUTZEN
VON
SOI
UND
BULK-TECHNOLOGIEN
.
138
7.3
KRITERIEN
ZUR
AUSWAHL
DER
SOI-TECHNOLOGIE
.
142
7.4
ANWENDUNGEN
UND
MAERKTE
.
145
7.4.1
GLIEDERUNG
DER
RELEVANTEN
MAERKTE
.
145
7.4.2
MARKTANALYSEN
.
147
8.
Z
USAMMENFASSUNG
UND
A
USBLICK
.
157
A
NHANG
AL.
K
OSTENABSCHAETZUNG
SIMOX-I
MPLANTATION
.
I
A
NHANG
A2.
K
OMPLEXITAET
VON
B
ULK
-
UND
SOI-P
ROZESSEN
.
IN
A
NHANG
A3.
S
CHALTCHARAKTERISTIK
EINES
I
NVERTERS
.
IV
A
NHANG
A4.
M
ODELLIERUNG
VON
R
INGOSZILLATOREN
.
VI
A
NHANG
A5.
UE
BERSICHT
DIGITALE
S
CHALTUNGSKONZEPTE
.
VN
A
NHANG
A6.
A
NWENDUNGSGEBIETE
FUER
H
OCHTEMPERATURELEKTRONIK
.
VM
L
ITERATURVERZEICHNIS
.
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