Applikationshandbuch IGBT- und MOSFET-Leistungsmodule:
Gespeichert in:
Format: | Buch |
---|---|
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Ilmenau
ISLE
1998
|
Schriftenreihe: | Innovation + Service
|
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
Beschreibung: | III, 261 S. graph. Darst. |
ISBN: | 3932633245 |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV012227525 | ||
003 | DE-604 | ||
005 | 20050802 | ||
007 | t | ||
008 | 981021s1998 gw d||| |||| 00||| ger d | ||
016 | 7 | |a 954819462 |2 DE-101 | |
020 | |a 3932633245 |c brosch. : DM 29.90 |9 3-932633-24-5 | ||
035 | |a (OCoLC)75940495 | ||
035 | |a (DE-599)BVBBV012227525 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
041 | 0 | |a ger | |
044 | |a gw |c DE | ||
049 | |a DE-859 |a DE-29T |a DE-634 |a DE-91 | ||
084 | |a ZN 4870 |0 (DE-625)157415: |2 rvk | ||
245 | 1 | 0 | |a Applikationshandbuch IGBT- und MOSFET-Leistungsmodule |c SEMIKRON International. Ulrich Nicolai ... Hrsg.: Peter R. W. Martin |
264 | 1 | |a Ilmenau |b ISLE |c 1998 | |
300 | |a III, 261 S. |b graph. Darst. | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b n |2 rdamedia | ||
338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
490 | 0 | |a Innovation + Service | |
650 | 0 | 7 | |a IGBT |0 (DE-588)4273802-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
689 | 0 | 0 | |a IGBT |0 (DE-588)4273802-7 |D s |
689 | 0 | |5 DE-604 | |
689 | 1 | 0 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |D s |
689 | 1 | |5 DE-604 | |
700 | 1 | |a Nicolai, Ulrich |e Sonstige |4 oth | |
700 | 1 | |a Martin, Peter R. W. |e Sonstige |4 oth | |
710 | 2 | |a SEMIKRON International GmbH |e Sonstige |0 (DE-588)2173200-0 |4 oth | |
856 | 4 | 2 | |m GBV Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008285522&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008285522 |
Datensatz im Suchindex
_version_ | 1804126844414328832 |
---|---|
adam_text | APPLIKATIONSHANDBUCH IGBT- UND MOSFET- LEISTUNGSMODULE DR.-ING. ULRICH
NICOLAI DR.-ING. TOBIAS REIMANN UNIV.-PROF. DR.-ING. HABIL. JUERGEN
PETZOLDT DIPL.-PHYS. JOSEF LUTZ (KAP. 1.3) HERAUSGEBER: PETER R.W.
MARTIN SEMIKRON INTERNATIONAL TT VERLAG ISLE INHALTSVERZEICHNIS 0
BETRIEBSWEISE VON LEISTUNGSHALBLEITERN 1 0.1 ELEMENTARE SCHALTVORGAENGE 1
0.2 BETRIEBSWEISE VON LEISTUNGSHALBLEITERN 4 0.3 LEISTUNGSELEKTRONISCHE
SCHALTER 6 1 GRUNDLAGEN 13 1.1 EINSATZGEBIETE UND HEUTIGE EINSATZGRENZEN
VON LEISTUNGSMODULEN MIT IGBTS ODER MOSFETS 13 1.2 LEISTUNGS-MOSFET UND
IGBT 14 1.2.1 AUFBAUVARIANTEN UND PRINZIPIELLE FUNKTION 14 1.2.2
STATISCHES VERHALTEN 22 1.2.2.1 LEISTUNGS-MOSFET 23 1.2.2.2 IGBT 27
1.2.3 QUALITATIVES SCHALTVERHALTEN VON MOSFETUND IGBT BEIM HARTEN
SCHALTEN 29 1.2.4 NEUE ENTWICKLUNGSRICHTUNGEN BEI MOSFETS UND IGBTS 35
1.3 FREILAUF- UND BESCHALTUNGSDIODEN 39 1.3.1 FORDERUNGEN AN
FREILAUF-UND BESCHALTUNGSDIODEN 39 1.3.1.1 SPERRSPANNUNG UND
DURCHLASSSPANNUNG 39 1.3.1.2 EINSCHALTVERHALTEN 40 1.3.1.3
AUSSCHALTVERHALTEN 41 1.3.1.4 BEANSPRUCHUNG VON FREILAUFDIODEN IM
GLEICH- UND WECHSELRICHTERBETRIEB VON UMRICHTERN MIT
SPANNUNGSZWISCHENKREIS 47 1.3.2 AUFBAU SCHNELLER LEISTUNGSDIODEN 50
1.3.3 EIGENSCHAFTEN SCHNELLER LEISTUNGSDIODEN 51 1.3.3.1 DURCHLASS-UND
SPERRVERHALTEN 51 1.3.3.2 EINSCHALTVERHALTEN 52 1.3.3.3
AUSSCHALTVERHALTEN 53 1.3.3.4 DYNAMISCHE ROBUSTHEIT 54 1.3.4 MODERNE
DIODEN MIT OPTIMIERTEM SCHALTVERHALTEN 55 1.3.4.1 EMITTER-KONZEPT 55
1.3.4.2 CONTROLLED AXIAL LIFETIME (CAL) - KONZEPT 57 1.3.4.3
HYBRID-DIODEN-KONZEPT 59 1.3.5 REIHEN-UND PARALLELSCHALTUNG SCHNELLER
LEISTUNGSDIODEN 61 1.3.5.1 REIHENSCHALTUNG 61 1.3.5.2 PARALLELSCHALTUNG
63 1.4 LEISTUNGSMODULE: BESONDERHEITEN BEI MULTICHIPAUFBAUTEN 64 1.4.1
AUFBAU VON LEISTUNGSMODULEN 64 1.4.2 EIGENSCHAFTEN VON LEISTUNGSMODULEN
67 1.4.2.1 KOMPLEXITAET 67 1.4.2.2 WAERMEABFUHRUNGSVERMOEGEN 69 1.4.2.3
ISOLATIONSSPANNUNG/TEILENTLADUNGSFESTIGKEIT 76 1.4.2.4
LASTWECHSELFESTIGKEIT 77 1.4.2.5 INDUKTIVITAETSARMER INTERNER AUFBAU 79
1.4.2.6 EMV-GERECHTER INTERNER AUFBAU 80 1.4.2.7 DEFINIERTES,
UNGEFAEHRLICHES VERHALTEN BEI MODULDEFEKT 81 1.4.2.8 UMWELTGERECHTES
RECYCLING 81 1.4.3 MONTAGE- UND ANSCHLUSSTECHNIK: GEHAEUSEBAUFORMEN 81
1.4.4 SEMIKRON-BEZEICHNUNGSSCHLUESSEL FUER SEMITRANS UND SEMITOP
LEISTUNGSMODULE 83 1.5 BEISPIELE FUER NEUE PACKAGING-TECHNOLOGIEN 85
1.5.1 SKIIPPACK 85 1.5.2 MINISKIIP 88 1.5.3 SEMITOP 91 1.5.4 ALTERNATIVE
NIEDERINDUKTIVE IGBT-MODULKONSTRUKTIONEN FUER HOHE STROEME UND SPANNUNGEN
91 1.6 INTEGRATION VON SENSORIK, SCHUTZEINRICHTUNGEN, TREIBER U.
INTELLIGENZ 92 I 2 DATENBLATTANGABEN FUER MOSFET-, IGBT-, MINISKUEP- UND
SKUEPPACK-MODULE 95 2.1 ALLGEMEINES 95 2.1.1 SYMBOLE, BEGRIFFE, NORMEN 95
2.1.2 GRENZWERTE, KENNWERTE 97 2.2 LEISTUNGS-MOSFET-MODULE 97 2.2.1
GRENZWERTE 97 2.2.2 KENNWERTE 99 2.2.3 DIAGRAMME 104 2.3 IGBT-MODULE 108
2.3.1 GRENZWERTE 108 2.3.2 KENNWERTE 109 2.3.3 DIAGRAMME 117 2.4
SPEZIELLE ANGABEN FUER MINISKIIPS...: 124 2.5 SPEZIELLE ANGABEN FUER
SKIIPPACKS 125 2.6 TEMPERATURABHAENGIGKEIT DER STATISCHEN UND DYNAMISCHEN
EIGENSCHAFTEN VON LEISTUNGSMODULEN 125 2.7 ZUVERLAESSIGKEIT 128 3
APPLIKATIONSHINWEISE 131 3.1 BEMESSUNG UND AUSWAHL VON MOSFET-, IGBT-
UND SKIIPPACK-MODULEN 131 3.1.1 VORWAERTSSPERRSPANNUNG 131 3.1.2
DURCHLASSSTROM 132 3.1.3 SCHALTFREQUENZ 133 3.2 THERMISCHES VERHALTEN 135
3.2.1 VERLUSTLEISTUNGSBILANZ 135 3.2.1.1 EINZEL- UND GESAMTVERLUSTE 135
3.2.1.2 VERLUSTE IM TIEFSETZSTELLER 137 3.2.1.3 VERLUSTE IM
PULSSPANNUNGSWECHSEL- / -GLEICHRICHTER MIT SINUSFOERMIGEN STROEMEN 138
3.2.2 BERECHNUNG DER SPERRSCHICHTTEMPERATUR 144 3.2.2.1 ALLGEMEINES 144
3.2.2.2 SPERRSCHICHTTEMPERATUR BEI KURZZEITBETRIEB 146 3.2.2.3
SPERRSCHICHTTEMPERATUR BEI PULSFREQUENZ 148 3.2.2.4
SPERRSCHICHTTEMPERATUR BEI GRUNDSCHWINGUNGSFREQUENZ 150 3.2.3 BEWERTUNG
DER TEMPERATURVERLAEUFE HINSICHTLICH DER LEBENSDAUER 152 3.3 KUEHLUNG VON
LEISTUNGSMODULEN 153 3.3.1 KUHLEINRICHTUNGEN, KUEHLMITTEL UND
KUHLMETHODEN 153 3.3.2 THERMISCHES MODELL DER KUHLEINRICHTUNG 154 3.3.3
NATUERLICHE LUFTKUEHLUNG (FREIE KONVEKTION) 155 3.3.4 FORCIERTE
LUFTKUEHLUNG 155 3.3.5 WASSERKUEHLUNG 159 3.3.6 KUHLKOERPERDATEN VON
SKIIPPACKS AUF STANDARDKUEHLERN 160 3.3.6.1 FORCIERTE LUFTKUEHLUNG 160
3.3.6.2 FLUESSIGKEITSKUEHLUNG 162 3.4 LEISTUNGSLAYOUT 163 3.4.1 PARASITAERE
INDUKTIVITAETEN UND KAPAZITAETEN 163 3.4.2 EMV/NETZRUECKWIRKUNGEN 166
3.4.2.1 PROZESSE IN STOMRICHTERN 166 3.4.2.2 URSACHE DER STOERSTROEME 167
3.4.2.3 AUSBREITUNGSWEGE 168 3.4.2.4 ENTSTOERMASSNAHMEN 171 3.4.3
ANSCHLUSSFERTIGE LEISTUNGSEINHEITEN 172 3.5 ANSTEUERUNG 176 3.5.1
VERLAEUFE VON GATESTROM UND GATESPANNUNG 176 3.5.2 EINFLUSS DER
ANSTEUERPARAMETER AUF DIE SCHALTEREIGENSCHAFTEN 179 3.5.3 STRUKTUREN VON
TREIBERSCHALTUNGEN UND GRUNDSAETZLICHE FORDERUNGEN AN DIE TREIBER 182
3.5.4 SCHUTZ-UND UEBERWACHUNGSFUNKTIONEN IM TREIBER 185 3.5.5
ZEITKONSTANTEN UND VERRIEGELUNGSFUNKTIONEN 186 II 3.5.6 UEBERTRAGUNG VON
STEUERINFORMATIONEN UND ANSTEUERENERGIE 187 3.5.6.1 STEUERINFORMATIONEN
UND RUECKMELDUNGEN 189 3.5.6.2 ANSTEUERENERGIE 189 3.5.7
TREIBERSCHALTKREISE FUER LEISTUNGS-MOSFET- UND IGBT-MODULE 190 3.5.8
SEMIDR1VER 190 3.5.8.1 OEM-TREIBER 191 3.5.8.2 SKIIPPACK-TREIBER 192 3.6
VERHALTEN IM FEHLERFALL UND SCHUTZ 196 3.6.1 FEHLERARTEN 196 3.6.2
VERHALTEN VON IGBT UND MOSFET BEI UEBERLAST UND KURZSCHLUSS 200 3.6.3
FEHLERERKENNUNG UND SCHUTZ 205 3.6.3.1 FEHLERSTROMERKENNUNG
UND-ABSENKUNG 205 3.6.3.2 UEBERSPANNUNGSBEGRENZUNG 208 3.6.3.3
UEBERTEMPERATURERKENNUNG 214 3.7 PARALLEL- UND REIHENSCHALTUNG VON
MOSFET-, IGBT- UND SKIIPPACK-MODULEN 215 3.7.1 PARALLELSCHALTUNG 215
3.7.1.1 PROBLEME DER SYMMETRIERUNG 215 3.7.1.2 MODULAUSWAHL,
ANSTEUERUNG, LAYOUT 218 3.7.1.3 PARALLELSCHALTUNG VON SKIIPPACK-MODULEN
220 3.7.2 REIHENSCHALTUNG 222 3.7.2.1 PROBLEME DER SYMMETRIERUNG 222
3.7.2.2 MODULAUSWAHL, ANSTEUERUNG, BESCHALLUNG, LAYOUT 223 3.8 WEICHES
SCHALTEN IM ZVS- ODER ZCS-MODE/SCHALTENTLASTUNGSNETZWERKE 228 3.8.1
ZIELSTELLUNG UND ANWENDUNGSGEBIETE 228 3.8.2 SCHALTENTLASTUNGSNETZWERKE
229 3.8.3 WEICHES SCHALTEN 231 3.8.3.1 CHARAKTERISTISCHE STROM- UND
SPANNUNGSVERLAEUFE/BEANSPRUCHUNG DER LEISTUNGSHALBLEITER 231 3.8.3.2
FORDERUNGEN AN DIE HALBLEITERSCHALTER UND DEREN TREIBER 234 3.8.3.3
SCHALTEREIGENSCHAFTEN 236 3.8.3.4 SCHLUSSFOLGERUNGEN 241 3.9 HANDHABUNG
VON MOSFET-, IGBT-, MINISKIIP- UND SKIIPPACK-MODULEN 242 3.9.1
ESD-EMPFINDLICHKEIT UND SCHUTZMASSNAHMEN 242 3.9.2 MONTAGEHINWEISE 242
3.9.3 SKIIPPACK: GEPRUEFTE THERMISCHE VERHAELTNISSE AB WERK 243 3.10
SOFTWARE ALS DIMENSIONIERUNGSHILFE 243 3.10.1 MODELLEBENEN DER
MATHEMATISCHEN SCHALTUNGSBESCHREIBUNG 243 3.10.2
SEMIKRON-SOFTWARE-SERVICE 247 4 QUELLENVERZEICHNIS UND WEITERFUEHRENDE
LITERATURHINWEISE 249 III
|
any_adam_object | 1 |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV012227525 |
classification_rvk | ZN 4870 |
ctrlnum | (OCoLC)75940495 (DE-599)BVBBV012227525 |
discipline | Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
format | Book |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01572nam a2200409 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV012227525</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20050802 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">981021s1998 gw d||| |||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">954819462</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3932633245</subfield><subfield code="c">brosch. : DM 29.90</subfield><subfield code="9">3-932633-24-5</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)75940495</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV012227525</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">DE</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-859</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-634</subfield><subfield code="a">DE-91</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4870</subfield><subfield code="0">(DE-625)157415:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Applikationshandbuch IGBT- und MOSFET-Leistungsmodule</subfield><subfield code="c">SEMIKRON International. Ulrich Nicolai ... Hrsg.: Peter R. W. Martin</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Ilmenau</subfield><subfield code="b">ISLE</subfield><subfield code="c">1998</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">III, 261 S.</subfield><subfield code="b">graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Innovation + Service</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">IGBT</subfield><subfield code="0">(DE-588)4273802-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">IGBT</subfield><subfield code="0">(DE-588)4273802-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Nicolai, Ulrich</subfield><subfield code="e">Sonstige</subfield><subfield code="4">oth</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Martin, Peter R. W.</subfield><subfield code="e">Sonstige</subfield><subfield code="4">oth</subfield></datafield><datafield tag="710" ind1="2" ind2=" "><subfield code="a">SEMIKRON International GmbH</subfield><subfield code="e">Sonstige</subfield><subfield code="0">(DE-588)2173200-0</subfield><subfield code="4">oth</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">GBV Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008285522&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008285522</subfield></datafield></record></collection> |
id | DE-604.BV012227525 |
illustrated | Illustrated |
indexdate | 2024-07-09T18:23:55Z |
institution | BVB |
institution_GND | (DE-588)2173200-0 |
isbn | 3932633245 |
language | German |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008285522 |
oclc_num | 75940495 |
open_access_boolean | |
owner | DE-859 DE-29T DE-634 DE-91 DE-BY-TUM |
owner_facet | DE-859 DE-29T DE-634 DE-91 DE-BY-TUM |
physical | III, 261 S. graph. Darst. |
publishDate | 1998 |
publishDateSearch | 1998 |
publishDateSort | 1998 |
publisher | ISLE |
record_format | marc |
series2 | Innovation + Service |
spelling | Applikationshandbuch IGBT- und MOSFET-Leistungsmodule SEMIKRON International. Ulrich Nicolai ... Hrsg.: Peter R. W. Martin Ilmenau ISLE 1998 III, 261 S. graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Innovation + Service IGBT (DE-588)4273802-7 gnd rswk-swf MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd rswk-swf IGBT (DE-588)4273802-7 s DE-604 MOS-FET (DE-588)4207266-9 s Nicolai, Ulrich Sonstige oth Martin, Peter R. W. Sonstige oth SEMIKRON International GmbH Sonstige (DE-588)2173200-0 oth GBV Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008285522&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
spellingShingle | Applikationshandbuch IGBT- und MOSFET-Leistungsmodule IGBT (DE-588)4273802-7 gnd MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd |
subject_GND | (DE-588)4273802-7 (DE-588)4207266-9 |
title | Applikationshandbuch IGBT- und MOSFET-Leistungsmodule |
title_auth | Applikationshandbuch IGBT- und MOSFET-Leistungsmodule |
title_exact_search | Applikationshandbuch IGBT- und MOSFET-Leistungsmodule |
title_full | Applikationshandbuch IGBT- und MOSFET-Leistungsmodule SEMIKRON International. Ulrich Nicolai ... Hrsg.: Peter R. W. Martin |
title_fullStr | Applikationshandbuch IGBT- und MOSFET-Leistungsmodule SEMIKRON International. Ulrich Nicolai ... Hrsg.: Peter R. W. Martin |
title_full_unstemmed | Applikationshandbuch IGBT- und MOSFET-Leistungsmodule SEMIKRON International. Ulrich Nicolai ... Hrsg.: Peter R. W. Martin |
title_short | Applikationshandbuch IGBT- und MOSFET-Leistungsmodule |
title_sort | applikationshandbuch igbt und mosfet leistungsmodule |
topic | IGBT (DE-588)4273802-7 gnd MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd |
topic_facet | IGBT MOS-FET |
url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008285522&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
work_keys_str_mv | AT nicolaiulrich applikationshandbuchigbtundmosfetleistungsmodule AT martinpeterrw applikationshandbuchigbtundmosfetleistungsmodule AT semikroninternationalgmbh applikationshandbuchigbtundmosfetleistungsmodule |