Thermische Eigenschaften von CVD-Diamantschichten:
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
[Garching]
Verein zur Förderung des Walter-Schottky-Inst. der Techn. Univ. München e.V.
1998
|
| Ausgabe: | 1. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Selected topics of semiconductor physics and technology
12 |
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| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 1998 |
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INHALTSVERZEICHNIS
ZUSAMMENFASSUNG
.
III
1.
EINLEITUNG
UND
MOTIVATION
.
1
2.
WAERMETRANSPORT
IN
ISOLATOREN
.
8
2.1
PHAENOMENOLOGISCHE
BESCHREIBUNG
.
8
2.2
FUNDAMENTALE
BESCHREIBUNG
.
11
2.3
WAERMELEITUNG
IN
DEBYE-NAEHERUNG
.
15
2.4
STREUPROZESSE
VON
PHONONEN
.
19
2.4.1
PHONON-PHONON-STREUUNG
.
19
2.4.2
STREUUNG
AN
DEFEKTEN
.
23
2.4.3
STREUUNG
AN
GRENZFLAECHEN
.
25
3.
EXPERIMENTELLE
BESTIMMUNG
DER
WAERMELEITFAEHIGKEIT
UND
DER
STRUKTURELLEN
EIGENSCHAFTEN
.
28
3.1
ZUSAMMENFASSUNG
VERSCHIEDENER
THERMISCHER
MESSMETHODEN
.
28
3.1.1
ALLGEMEINE
BETRACHTUNGEN
.
28
3.1.2
LATERALER
WAERMETRANSPORT
.
31
3.1.3
VERTIKALER
WAERMETRANSPORT
.
37
3.2
AUFBAU
DER
PHOTOTHERMISCHEN
APPARATUR
.
42
3.3
TRANSIENTE
TEMPERATUR-UND
DEFORMATIONSFELDER
AN
PROBENOBERFLAECHEN
.
50
3.4
ANWENDUNGSGEBIETE
DER
PHOTOTHERMISCHEN
MESSMETHODEN
.
54
3.5
STRUKTURELLE
CHARAKTERISIERUNG
.
60
4.
DIAMANT
.
64
4.1
EIGENSCHAFTEN
VON
NATURDIAMANT
.
64
4.2
ABSCHEIDUNG
VON
CVD-DIAMANT
.
68
4.3
STRUKTURELLE
EIGENSCHAFTEN
VON
CVD-DIAMANT
.
72
II
5.
ZUSAMMENHAENGE
ZWISCHEN
WAERMELEITFAEHIGKEIT
UND
STRUK
TURELLEN
EIGENSCHAFTEN
VON
CVD-DIAMANT
.
79
5.1
ALLGEMEINE
ZUSAMMENHAENGE
.
79
5.2
LOKALE
THERMISCHE
EIGENSCHAFTEN
DICKER
SCHICHTEN
(
70
PM)
.
88
5.2.1
WAERMELEITFAEHIGKEIT
DER
KRISTALLITE
.
88
5.2.2
EINFLUSS
DER
KOMGRENZEN
.
90
5.2.3
DEFEKTDICHTEN
UND
KOMGRENZENWIDERSTAENDE
.
99
5.3
LOKALE
THERMISCHE
EIGENSCHAFTEN
DUENNER
SCHICHTEN
(
5
PM)
.
105
5.3.1
WAERMETRANSPORT
DURCH
SCHICHT/SUBSTRAT-GRENZFLAECHEN
.
105
5.3.2
WIDERSTAENDE
UND
STRUKTUREN
VON
SCHICHT/SUBSTRAT-GRENZFLAECHEN
.
111
5.3.3
ANISOTROPIE
UND
KOMGRENZENWIDERSTAENDE
.
120
5.3.4
ZUSAMMENFASSENDES
MODELL
.
124
6.
AUSBLICK
.
133
A
BESCHREIBUNG
TRANSIENTER
TEMPERATUR
UND
DEFORMATIONSFELDER
.
135
B
EINFLUSS
DER
SCHICHTDICKE
UND
DER
KORNGROESSE
AUF
DIE
WAERME
LEITFAEHIGKEIT
.
140
C
VERWENDETE
SYMBOLE
.
142
PUBLIKATIONEN
UND
LITERATURVERZEICHNIS
.
145
DANKSAGUNG
.
153 |
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| spelling | Verhoeven, Herbert Verfasser aut Thermische Eigenschaften von CVD-Diamantschichten Herbert Verhoeven. Fakultät für Physik der Technischen Universität München, Walter-Schottky-Institut 1. Aufl. [Garching] Verein zur Förderung des Walter-Schottky-Inst. der Techn. Univ. München e.V. 1998 IV, 154 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Selected topics of semiconductor physics and technology 12 Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 1998 Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Polykristall (DE-588)4188261-1 gnd rswk-swf Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 gnd rswk-swf Substrat Mikroelektronik (DE-588)4229622-5 gnd rswk-swf Temperaturabhängigkeit (DE-588)4203793-1 gnd rswk-swf Epitaxieschicht (DE-588)4152546-2 gnd rswk-swf Diamant (DE-588)4012069-7 gnd rswk-swf CVD-Verfahren (DE-588)4009846-1 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content CVD Verfahren gnd rswk-swf Diamant (DE-588)4012069-7 s Epitaxieschicht (DE-588)4152546-2 s Polykristall (DE-588)4188261-1 s CVD-Verfahren (DE-588)4009846-1 s Silicium (DE-588)4077445-4 s Substrat Mikroelektronik (DE-588)4229622-5 s DE-604 Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 s CVD Verfahren f Temperaturabhängigkeit (DE-588)4203793-1 s Selected topics of semiconductor physics and technology 12 (DE-604)BV011499438 12 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008236624&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
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