Untersuchungen zur Gasphasenzüchtung nach dem modifizierten Lely-Verfahren als Herstellungsprozeß für einkristalline Siliziumkarbid-Volumenkristalle:
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1998
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| Beschreibung: | Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 1998 |
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GLIEDERUNG
DER
ARBEIT:
0.
ZUSAMMENFASSUNG
1.
EINLEITUNG
2.
MOTIVATION
1
2
3
3.
DIE
MATERIALEIGENSCHAFTEN
DES
HALBLEITERS
SILIZIUMKARBID
5
3.1.
DIE
KRISTALLSTRUKTUR
5
3.2.
DIE
PHYSIKALISCHEN
EIGENSCHAFTEN
7
3.3.
DIE
ELEKTRISCHEN
EIGENSCHAFTEN
7
3.4.
KOMMENTAR
8
4.
UEBER
DIE
ENTWICKLUNG
DER
KRISTALLZUECHTUNG
VON
SILIZIUMKARBID
9
4.1.
POTENTIELLE
HERSTELLUNGSVERFAHREN
FUER
SILIZIUMKARBID-VOLUMENKRISTALLE
9
4.2.
AUSGEWAEHLTE
SUBLIMATIONSZUECHTUNGSVERFAHREN
FUER
SILIZIUMKARBID
VOLUMENKRISTALLE
11
5.
GRUNDLAGEN
DES
STOFFTRANSPORT
BEI
DER
GASPHASENZUECHTUNG
12
5.1.
DIE
SUBLIMATION
DES
QUELLMATERIALS
14
5.2.
DER
TRANSPORT
IN
DER
GASPHASE
16
5.2.1.
DER
EINFLUSS
DER
THERMISCHEN
KONVEKTION
16
5.2.2.
TRANSPORT
IN
DER
GASPHASE
DURCH
DIFFUSION
UND
STEFAN-FLUSS
18
5.3.
DIE
KRISTALLISATION
19
5.4.
DIE
VERKNUEPFUNG
ZU
EINEM
GESAMTMODELL
FUER
DEN
STOFFTRANSPORT
20
5.5.
KOMMENTAR
22
KAPITEL
II.
DIE
ZUECHTUNG
SOU
SILVIUMKMBJD.A
'
QLJMIEJIKNSTAUERJ
6.
ZUECHTUNGSANLAGEN
FUER
DAS
MODIFIZIERTE
LELY-VERFAHREN
24
6.1.
DIE
WIDERSTANDSBEHEIZTE
KRISTALLZUECHTUNGSANLAGE
24
6.2.
DIE
INDUKTIONSBEHEIZTE
KRISTALLZUECHTUNGSANLAGE
27
6.3.
DAS
TIEGELDESIGN
29
6.4.
KOMMENTAR
31
75
77
7.
EXPERIMENTELLES
VORGEHEN
BEI
DER
ZUECHTUNG
31
7.1.
AUSWAHL
BEZIEHUNGSWEISE
HERSTELLUNG
DES
QUELLMATERIALS
32
7.2.
AUSWAHL
EINES
KEIMS
34
7.3.
KEIMPRAEPARATION
35
7.4.
DER
ZUECHTUNGSPROZESS
37
7.4.1.
DER
STANDARD-ZUECHTUNGSPROZESS
37
7.4.2.
MOEGLICHE
ERWEITERUNGEN
DES
STANDARDPROZESSES
40
7.4.3.
DIE
METHODE
DES
INTERMITTIERENDEN
STICKSTOFFEINLASSES
41
8.
MATERIALTRANSPORT
UND
KRISTALLFORMEN
BEIM
MODIFIZIERTEN
LELY-VERFAHREN
42
8.1.
KRISTALLISATION
UND
GRAPHITISIERUNG
IM
AUSGANGSMATERIAL
42
8.2.
VOLUMENKRISTALLE
BEIM
MODIFIZIERTEN
LELY-VERFAHREN
44
8.3.
KRISTALLISATION
AUSSERHALB
DES
TIEGELS
46
8.4.
KOMMENTAR
47
9.
KRISTALLOGRAPHISCHE
DEFEKTE
IN
SIC-KRISTALLEN
48
9.1.
PUNKTDEFEKTE
48
9.2.
LINIENDEFEKTE
48
9.3.
FLAECHENDEFEKTE
51
9.3.1.
STAPELFEHLER
UND
STRUKTURELLE
REINHEIT
51
9.3.2.
KLEINWINKEL-KOMGRENZEN
52
9.3.3.
KOMGRENZEN
53
9.4.
VOLUMENDEFEKTE
54
9.4.1.
MIKROROEHREN
54
9.4.2.
PLANARE
DEFEKTE
55
9.4.3.
EINSCHLUESSE
FESTER
FREMDPHASEN
9.4.4.
RISSE
57
56
9.4.5.
VERSPANNUNGEN
57
9.6.
KOMMENTAR
58
KAPITEL
IV:
ANALYSE
DES
ZUECHTUNGSPROZESAES
10.
ANALYSE
DES
ZUECHTUNGSPROZESSES
60
10.1.
DIE
ABHAENGIGKEIT
DER
WACHSTUMSGESCHWINDIGKEIT
VON
DER
ZUECHTUNGSDAUER
60
10.2.
DIE
DRUCKABHAENGIGKEIT
DER
WACHSTUMSGESCHWINDIGKEIT
62
10.3.
DIE
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DER
WACHSTUMSGESCHWINDIGKEIT
10.4.
DER
EINFLUSS
DES
TEMPERATURGRADIENTEN
AUF
DIE
64
WACHSTUMSGESCHWINDIGKEIT
69
10.5.
DER
EINFLUSS
DES
ABSTANDS
QUELLE-KEIM
AUF
DIE
WACHSTUMSGESCHWINDIGKEIT
72
10.5.1.
DER
EINFLUSS
DES
STARTWERTES
VON
/
73
10.5.2.
DER
EINFLUSS
DER
KRISTALLAENGE
AUF
DIE
WACHSTUMSGESCHWINDIGKEIT
10.6.
DER
ZUECHTUNGSPROZESS
IN
ENTDIMENSIONALISIERTER
BETRACHTUNGSWEISE
10.7.
DER
EINFLUSS
DER
PROZESSPARAMETER
AUF
DIE
KRISTALLQUALITAET
83
10.7.1.
PROZESSDRUCK
UND
KRISTALLQUALITAET
83
10.7.2.
TEMPERATUR
UND
KRISTALLQUALITAET
85
10.7.3.
TEMPERATURGRADIENT
UND
KRISTALLQUALITAET
86
10.7.4.
ABSTAND
QUELLE-KEIM
UND
KRISTALLQUALITAET
87
10.8.
ABSCHLIESSENDE
BEMERKUNGEN
UND
AUSBLICK
87
ANHANI
WISW
'
TSNI'IWFSAEII
AL
TEILCHENMASSE
DER
SIC-SPEZIES
UND
DICHTE
VON
SIC
89
A2
BESTIMMUNG
DER
GLEICHGEWICHTSPARTIALDRUECKE
89
A3
BESTIMMUNG
DER
BINAEREN
DIFFUSIONSKOEFFIZIENTEN
89
A4
BESTIMMUNG
DER
DYNAMISCHEN
VISKOSITAETEN
90
A5
BESTIMMUNG
DER
WAERMELEITFAEHIGKEITEN
91
A6
BESTIMMUNG
DER
WAERMEKAPAZITAETEN
91
A7
DER
STOFFTRANSPORT
UNTER
ANNAEHERND
REIN
DIFFUSIVEN
BEDINGUNGEN
92
LITERATURVERZEICHNIS
93
DANKSAGUNG
LEBENSLAUF |
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