Oberflächenselektiver Dotierstoffeinbau im Materialsystem GaxIn1-xAsyP1-y/InP bei der Verwendung von gasförmigen Dotierquellen in der MOMBE:
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| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
1998
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| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
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