Züchtung von versetzungsarmem, Silicium-dotiertem Galliumarsenid mit dem vertikalen Gradient-Freeze-Verfahren:
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1998
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INHALT
1
ZUSAMMENFASSUNG
.
5
2
EINLEITUNG
.
7
2.1
STAND
DER
TECHNIK,
AUSGANGSPUNKT
DER
ARBEIT
.
9
2.2
GLIEDERUNG
DER
ARBEIT
.
12
3
INDUSTRIERELEVANTE
VERFAHREN
ZUR
ZUECHTUNG
VON
GAAS-
KRISTALLEN
.
1
3
3.1
GRADIENT-FREEZE
/
BRIDGMAN-VARIANTEN
.
13
3.2
VARIANTEN
DES
CZOCHRALSKI-VERFAHRENS
.
22
4
ANWENDUNG
DER
NUMERISCHEN
PROZESSMODELLIERUNG
ZUR
WEITERENTWICKLUNG
VON
VGF-ANLAGEN
UND
VGF-
PROZESSFUEHRUNG
.
24
4.1
BESCHREIBUNG
DES
ANLAGENAUFBAUS
.
24
4.2
DER
PROGRAMMCODE
FIDAP
.
31
4.3
UEBERPRUEFUNG
DES
NUMERISCHEN
MODELLS
DURCH
MODELLEXPERIMENTE
.
36
4.4
BERECHNUNGEN
ZU
ZUECHTUNGSVERSUCHEN
.
40
4.5
DISKUSSION
VON
PHASENGRENZFORMEN
.
44
4.6
AUSWIRKUNG
DER
WACHSTUMSRATE
AUF
DIE
FORM
DER
PHASENGRENZFLAECHE
.
47
4.7
VERGLEICH
DER
NUMERISCHEN
RESULTATE
MIT
ZUECHTUNGSERGEBNISSEN
.
50
4.8
ZUSAMMENFASSUNG
.
53
5
DURCHFUEHRUNG
DER
ZUECHTUNGSVERSUCHE;
.
54
5.1
PRAEPARATION
DER
EINSATZSTOFFE
.
54
5.1.1
VORBEREITUNG
DER
AUSGANGSMATERIALIEN
UND
HILFSSTOFFE
.
54
5.1.2
VORBEHANDLUNG
DER
PBN-TIEGEL
DURCH
OXIDATION
.
56
5.2
BESONDERE
MASSNAHMEN
ZUR
SILICIUM-DOTIERUNG
.
64
5.3
VERSUCHSABLAUF
.
67
6
ZUECHTUNGSERGEBNISSE
UND
DISKUSSION
DER
SILICIUM
DOTIERUNG
.71
6.1
LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION
UND
BEWEGLICHKEIT
.
72
6.2
VERTEILUNGKOEFFIZIENT
.
82
7
ERZIELTE
VERSETZUNGSDICHTEN
IN
ABHAENGIGKEIT
VON
PROZESSBEDINGUNGEN
.
88
7.1
KURZE
DARSTELLUNG
DER
GRUNDLAGEN
DER
VERSETZUNGSBILDUNG
BEI
KRISTALLEN
MIT
ZINKBLENDESTRUKTUR
.
88
7.2
VERWENDETE
UNTERSUCHUNGSVERFAHREN
ZUM
NACHWEIS
VON
VERSETZUNGEN
IN
GAAS
.
92
7.3
EINFLUSS
DER
SILICIUM-DOTIERUNG
AUF
DICHTE,
VERTEILUNG
UND
STRUKTUR
VON
VERSETZUNGEN
.
96
7.4
EINFLUSS
DER
VERWENDUNG
VON
B
2
O
3
AUF
DIE
MITTLERE
VERSETZUNGSDICHTE
.
105
7.5
EINFLUSS
DER
THERMISCHEN
PROZESSFUEHRUNG
.
110
7.6
EINFLUSS
DER
TIEGELGEOMETRIE
UND
DES
KEIMKANALS
.
114
B
URSACHEN
FUER
ZWILLINGSBILDUNG
BEIM
VGF-VERFAHREN
UND
MASSNAHMEN
ZU
DEREN
VERMEIDUNG
.
119
8.1
EINFUEHRUNG
UND
PROBLEMSTELLUNG
.
119
8.2
KRISTALLOGRAPHISCHE
GRUNDLAGEN
ZUM
FACETTEN
UND
ZWILLINGSWACHSTUM
.
120
8.3
EINFLUSS
DER
LAENGE
VON
{111
J-FACETTEN
AUF
DIE
ZWILLINGSBILDUNG
.
124
8.4
DISKUSSION
DER
ERGEBNISSE
IM
RAHMEN
DES
HURLE-MODELLS
ZUR
ZWILINGSBILDUNG
.
131
8.5
ZUSAMMENFASSENDE
BEWERTUNG
DER
FAKTOREN,
DIE
BEIM
SI-DOTIERTEN
VGF-GAAS
ZUR
ZWILLINGSBILDUNG
FUHREN
.
137
9
ZUSAMMENFASSENDE
BEWERTUNG
DER
ERGEBNISSE
UND
AUSBLICK
.
143
10
LITERATURVERZEICHNIS
.
147 |
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title_full_unstemmed | Züchtung von versetzungsarmem, Silicium-dotiertem Galliumarsenid mit dem vertikalen Gradient-Freeze-Verfahren vorgelegt von Jürgen Amon |
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