Herstellung und Charakterisierung elektronischer Bauelemente auf bordotierten homoepitaktischen Diamantschichten:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
1998
|
| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | 116 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 3826540255 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV012093706 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 19991109 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 980721s1998 gw ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 020 | |a 3826540255 |c kart : DM 89.00, sfr 89.00, S 619.00 |9 3-8265-4025-5 | ||
| 035 | |a (OCoLC)75872577 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV012093706 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 044 | |a gw |c DE | ||
| 049 | |a DE-29T |a DE-11 |a DE-188 | ||
| 084 | |a ZN 4300 |0 (DE-625)157383: |2 rvk | ||
| 100 | 1 | |a Vescan, Andrei |d 1963- |e Verfasser |0 (DE-588)120447002 |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Herstellung und Charakterisierung elektronischer Bauelemente auf bordotierten homoepitaktischen Diamantschichten |c Andrei Vescan |
| 250 | |a Als Ms. gedr. | ||
| 264 | 1 | |a Aachen |b Shaker |c 1998 | |
| 300 | |a 116 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 0 | |a Berichte aus der Halbleitertechnik | |
| 502 | |a Zugl.: Ulm, Univ., Diss., 1998 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Schottky-Diode |0 (DE-588)4179945-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a CVD-Verfahren |0 (DE-588)4009846-1 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Dotierung |0 (DE-588)4130672-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Feldeffekttransistor |0 (DE-588)4131472-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Diamant |0 (DE-588)4012069-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Dünne Schicht |0 (DE-588)4136925-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Bor |0 (DE-588)4007709-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Diamant |0 (DE-588)4012069-7 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Dünne Schicht |0 (DE-588)4136925-7 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a CVD-Verfahren |0 (DE-588)4009846-1 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Bor |0 (DE-588)4007709-3 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a Dotierung |0 (DE-588)4130672-7 |D s |
| 689 | 0 | 5 | |a Feldeffekttransistor |0 (DE-588)4131472-4 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 689 | 1 | 0 | |a Diamant |0 (DE-588)4012069-7 |D s |
| 689 | 1 | 1 | |a Dünne Schicht |0 (DE-588)4136925-7 |D s |
| 689 | 1 | 2 | |a CVD-Verfahren |0 (DE-588)4009846-1 |D s |
| 689 | 1 | 3 | |a Bor |0 (DE-588)4007709-3 |D s |
| 689 | 1 | 4 | |a Dotierung |0 (DE-588)4130672-7 |D s |
| 689 | 1 | 5 | |a Schottky-Diode |0 (DE-588)4179945-8 |D s |
| 689 | 1 | |5 DE-604 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008190331 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804126699739152384 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Vescan, Andrei 1963- |
| author_GND | (DE-588)120447002 |
| author_facet | Vescan, Andrei 1963- |
| author_role | aut |
| author_sort | Vescan, Andrei 1963- |
| author_variant | a v av |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV012093706 |
| classification_rvk | ZN 4300 |
| ctrlnum | (OCoLC)75872577 (DE-599)BVBBV012093706 |
| discipline | Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
| edition | Als Ms. gedr. |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02191nam a2200577 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV012093706</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">19991109 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">980721s1998 gw ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3826540255</subfield><subfield code="c">kart : DM 89.00, sfr 89.00, S 619.00</subfield><subfield code="9">3-8265-4025-5</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)75872577</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV012093706</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">DE</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-11</subfield><subfield code="a">DE-188</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4300</subfield><subfield code="0">(DE-625)157383:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Vescan, Andrei</subfield><subfield code="d">1963-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)120447002</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Herstellung und Charakterisierung elektronischer Bauelemente auf bordotierten homoepitaktischen Diamantschichten</subfield><subfield code="c">Andrei Vescan</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Als Ms. gedr.</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Aachen</subfield><subfield code="b">Shaker</subfield><subfield code="c">1998</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">116 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Berichte aus der Halbleitertechnik</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Ulm, Univ., Diss., 1998</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Schottky-Diode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4179945-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">CVD-Verfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4009846-1</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Dotierung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4130672-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Feldeffekttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4131472-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Diamant</subfield><subfield code="0">(DE-588)4012069-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Dünne Schicht</subfield><subfield code="0">(DE-588)4136925-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Bor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4007709-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Diamant</subfield><subfield code="0">(DE-588)4012069-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Dünne Schicht</subfield><subfield code="0">(DE-588)4136925-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">CVD-Verfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4009846-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Bor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4007709-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Dotierung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4130672-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">Feldeffekttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4131472-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Diamant</subfield><subfield code="0">(DE-588)4012069-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="1"><subfield code="a">Dünne Schicht</subfield><subfield code="0">(DE-588)4136925-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="2"><subfield code="a">CVD-Verfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4009846-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="3"><subfield code="a">Bor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4007709-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="4"><subfield code="a">Dotierung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4130672-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="5"><subfield code="a">Schottky-Diode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4179945-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008190331</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV012093706 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T18:21:37Z |
| institution | BVB |
| isbn | 3826540255 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008190331 |
| oclc_num | 75872577 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-29T DE-11 DE-188 |
| owner_facet | DE-29T DE-11 DE-188 |
| physical | 116 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 1998 |
| publishDateSearch | 1998 |
| publishDateSort | 1998 |
| publisher | Shaker |
| record_format | marc |
| series2 | Berichte aus der Halbleitertechnik |
| spelling | Vescan, Andrei 1963- Verfasser (DE-588)120447002 aut Herstellung und Charakterisierung elektronischer Bauelemente auf bordotierten homoepitaktischen Diamantschichten Andrei Vescan Als Ms. gedr. Aachen Shaker 1998 116 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Berichte aus der Halbleitertechnik Zugl.: Ulm, Univ., Diss., 1998 Schottky-Diode (DE-588)4179945-8 gnd rswk-swf CVD-Verfahren (DE-588)4009846-1 gnd rswk-swf Dotierung (DE-588)4130672-7 gnd rswk-swf Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 gnd rswk-swf Diamant (DE-588)4012069-7 gnd rswk-swf Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 gnd rswk-swf Bor (DE-588)4007709-3 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Diamant (DE-588)4012069-7 s Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 s CVD-Verfahren (DE-588)4009846-1 s Bor (DE-588)4007709-3 s Dotierung (DE-588)4130672-7 s Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 s DE-604 Schottky-Diode (DE-588)4179945-8 s |
| spellingShingle | Vescan, Andrei 1963- Herstellung und Charakterisierung elektronischer Bauelemente auf bordotierten homoepitaktischen Diamantschichten Schottky-Diode (DE-588)4179945-8 gnd CVD-Verfahren (DE-588)4009846-1 gnd Dotierung (DE-588)4130672-7 gnd Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 gnd Diamant (DE-588)4012069-7 gnd Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 gnd Bor (DE-588)4007709-3 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4179945-8 (DE-588)4009846-1 (DE-588)4130672-7 (DE-588)4131472-4 (DE-588)4012069-7 (DE-588)4136925-7 (DE-588)4007709-3 (DE-588)4113937-9 |
| title | Herstellung und Charakterisierung elektronischer Bauelemente auf bordotierten homoepitaktischen Diamantschichten |
| title_auth | Herstellung und Charakterisierung elektronischer Bauelemente auf bordotierten homoepitaktischen Diamantschichten |
| title_exact_search | Herstellung und Charakterisierung elektronischer Bauelemente auf bordotierten homoepitaktischen Diamantschichten |
| title_full | Herstellung und Charakterisierung elektronischer Bauelemente auf bordotierten homoepitaktischen Diamantschichten Andrei Vescan |
| title_fullStr | Herstellung und Charakterisierung elektronischer Bauelemente auf bordotierten homoepitaktischen Diamantschichten Andrei Vescan |
| title_full_unstemmed | Herstellung und Charakterisierung elektronischer Bauelemente auf bordotierten homoepitaktischen Diamantschichten Andrei Vescan |
| title_short | Herstellung und Charakterisierung elektronischer Bauelemente auf bordotierten homoepitaktischen Diamantschichten |
| title_sort | herstellung und charakterisierung elektronischer bauelemente auf bordotierten homoepitaktischen diamantschichten |
| topic | Schottky-Diode (DE-588)4179945-8 gnd CVD-Verfahren (DE-588)4009846-1 gnd Dotierung (DE-588)4130672-7 gnd Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 gnd Diamant (DE-588)4012069-7 gnd Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 gnd Bor (DE-588)4007709-3 gnd |
| topic_facet | Schottky-Diode CVD-Verfahren Dotierung Feldeffekttransistor Diamant Dünne Schicht Bor Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT vescanandrei herstellungundcharakterisierungelektronischerbauelementeaufbordotiertenhomoepitaktischendiamantschichten |