Neuartige Strukturierungsverfahren auf der Basis von Ionenimplantation für GaAs-Bauelementanwendungen:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1997
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | V, 124, XXI S. Ill., graph. Darst. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV012015070 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 980622s1997 ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 016 | 7 | |a 953766209 |2 DE-101 | |
| 035 | |a (OCoLC)246277734 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV012015070 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-20 |a DE-29T |a DE-12 |a DE-355 |a DE-11 |a DE-188 | ||
| 100 | 1 | |a Müssig, Harald |d 1963- |e Verfasser |0 (DE-588)120205432 |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Neuartige Strukturierungsverfahren auf der Basis von Ionenimplantation für GaAs-Bauelementanwendungen |c von Harald Müssig |
| 264 | 1 | |c 1997 | |
| 300 | |a V, 124, XXI S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 502 | |a Würzburg, Univ., Diss., 1997 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Ionenimplantation |0 (DE-588)4027606-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Galliumarsenid |0 (DE-588)4019155-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Heterostruktur |0 (DE-588)4123378-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Lithografie |g Halbleitertechnologie |0 (DE-588)4191584-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Galliumarsenid |0 (DE-588)4019155-2 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Heterostruktur |0 (DE-588)4123378-5 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Lithografie |g Halbleitertechnologie |0 (DE-588)4191584-7 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Ionenimplantation |0 (DE-588)4027606-5 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008132001&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
| 943 | 1 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008132001 | |
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1807773373895278592 |
|---|---|
| adam_text |
INHALTSVERZEICHNIS
ZUSAMMENFASSUNG
1
1
EINLEITUNG
4
2
GRUNDLAGEN
ZUR
IONENIMPLANTATION
9
2.1
ABBREMSUNG
VON
IONEN
IN
AMORPHEN
FESTKOERPERN
.
9
2.2
LONGITUDINALE
UND
LATERALE
IONEN
UND
DEFEKTVERTEILUNG
.
14
2.3
IONENIMPLANTATION
IN
EINKRISTALLINEM
GAAS
.
19
2.3.1
CHANNELING
.
19
2.3.2
GRENZEN
DER
SIMULATION
.
23
2.3.3
ISOLATION
UND
DOTIERUNG
.
24
2.3.4
CHARAKTERISIERUNGSMETHODEN
.
26
3
DOTIERUNG
MIT
SILICIUM-IONEN
28
3.1
SIMULATION
UND
MESSUNG
DES
DOTIERPROFILES
.
28
3.1.1
EXPERIMENTELLE
DURCHFUEHRUNG
.
28
3.1.2
LADUNGSTRAEGER-TIEFENPROFIL
.
31
3.2
AKTIVIERUNGSVERHALTEN
DER
SI-DOTIERUNG
.
33
3.2.1
EINFLUSS
DER
SCHUTZKAPPE
.
33
3.2.2
ABHAENGIGKEIT
VON
DER
AUSHEILTEMPERATUR
.
35
3.2.3
DISKUSSION
.
38
3.3
PHOTOLUMINESZENZMESSUNGEN
.
39
3.4
REALISIERUNG
NIEDRIGER
SCHICHTWIDERSTAENDE
.
42
3.5
ZUSAMMENFASSUNG
.
44
4
ISOLATION
MIT
SAUERSTOFF-IONEN
46
4.1
EXPERIMENTELLE
DURCHFUEHRUNG
.
46
4.2
ISOLATION
DURCH
KRISTALLSCHAEDIGUNG
.
51
4.3
ISOLATION
BEI
HOEHEREN
AUSHEILTEMPERATUREN
.
53
4.3.1
AUSWIRKUNG
VON
TEMPERATUR
UND
DOSIS
.
53
4.3.2
IMPLANTATION
VON
STICKSTOFF
UND
FLUOR
.
56
4.3.3
VERGLEICH
UNTERSCHIEDLICHER
AUSHEILMETHODEN
.
58
4.4
ELEKTRISCHE
UND
ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN
.
59
II
INHALTSVERZEICHNIS
4.4.1
MECHANISMEN
DES
STROMTRANSPORTES
.
59
4.4.2
LEITUNG
UEBER
DAS
SUBSTRAT
.
62
4.4.3
BESTIMMUNG
DER
AKTIVIERUNGSENERGIE
.
65
4.5
SAUERSTOFF-DEFEKTE
IM
GAAS-KRISTALL
.
68
4.5.1
TIEFENPROFIL
AUS
SEKUNDAERIONEN-MASSENSPEKTROMETRIE
.
68
4.5.2
KRISTALLSCHAEDIGUNG
AUS
RUECKSTREUSPEKTREN
.
70
4.5.3
CHARAKTERISIERUNG
MIT
RAMAN-SPEKTROSKOPIE
.
74
4.5.4
DEFEKTMODELL
AUS
IR-SPEKTROSKOPIE
LOKALER
SCHWINGUNGSMODEN
.
78
4.6
ZUSAMMENFASSUNG
.
83
5
ISOLATION
MIT
FOKUSSIERTEN
GALLIUM-IONEN
85
5.1
PROZESSTECHNOLOGIE
.
86
5.2
ELEKTRISCHES
ISOLATIONSVERHALTEN
.
89
5.2.1
ENERGIE
UND
DOSISABHAENGIGKEIT
.
90
5.2.2
EINFLUSS
VON
THERMISCHER
BEHANDLUNG
.
92
5.3
EINDRINGTIEFE
UND
DEFEKTVERTEILUNG
.
93
5.4
PLANARE
RESONANTE
TUNNELDIODEN
.
96
5.4.1
PROBENHERSTELLUNG
.
96
5.4.2
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
.
97
5.4.3
LATERALE
ELEKTRONISCHE
VERARMUNG
.
99
5.5
ZUSAMMENFASSUNG
.
101
6
VERGRABENE
IMPLANTATIONEN
UND
BAUELEMENTANWENDUNGEN
102
6.1
HETEROSTRUKTUREN
AUF
MIT
SILICIUM
IMPLANTIERTEM
SUBSTRAT
.
102
6.1.1
OPTISCHE
CHARAKTERISIERUNG
DES
UEBERWACHSENEN
PM
HFET
.
.
.
103
6.1.2
ELEKTRISCHE
TRANSPORTPARAMETER
.
105
6.2
EPITAXIE
AUF
MIT
SAUERSTOFF
ISOLIERTEN
SCHICHTEN
.
107
6.2.1
UEBERWACHSEN
UND
IN-SITU-AKTIVIERUNG
MIT
MBE
.
107
6.2.2
CHARAKTERISIERUNG
VON
BAUELEMENTSCHICHTENFOLGEN
.
109
6.3
IN-SITU-PROZESS
MIT
MASKENLOSER
GALLIUM-IMPLANTATION
.
111
6.3.1
UNTERSUCHUNG
DER
WACHSTUMSGRENZFLAECHEN
MIT
SIMS
.
111
6.3.2
CHARAKTERISIERUNG
UEBERWACHSENER
PM
HFET
STRUKTUREN
.
115
6.4
HETERO-BIPOLARTRANSISTOREN
MIT
OBEN
LIEGENDEM
KOLLEKTOR
.
116
SYMBOLE
UND
ABKUERZUNGEN
I
LITERATURVERZEICHNIS
III
DANKSAGUNG
XX
LEBENSLAUF
XXII |
| any_adam_object | 1 |
| author | Müssig, Harald 1963- |
| author_GND | (DE-588)120205432 |
| author_facet | Müssig, Harald 1963- |
| author_role | aut |
| author_sort | Müssig, Harald 1963- |
| author_variant | h m hm |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV012015070 |
| ctrlnum | (OCoLC)246277734 (DE-599)BVBBV012015070 |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00000nam a2200000 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV012015070</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">980622s1997 ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">953766209</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)246277734</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV012015070</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-20</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-12</subfield><subfield code="a">DE-355</subfield><subfield code="a">DE-11</subfield><subfield code="a">DE-188</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Müssig, Harald</subfield><subfield code="d">1963-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)120205432</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Neuartige Strukturierungsverfahren auf der Basis von Ionenimplantation für GaAs-Bauelementanwendungen</subfield><subfield code="c">von Harald Müssig</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1997</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">V, 124, XXI S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Würzburg, Univ., Diss., 1997</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Ionenimplantation</subfield><subfield code="0">(DE-588)4027606-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Galliumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4019155-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Heterostruktur</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123378-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Lithografie</subfield><subfield code="g">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4191584-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Galliumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4019155-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Heterostruktur</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123378-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Lithografie</subfield><subfield code="g">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4191584-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Ionenimplantation</subfield><subfield code="0">(DE-588)4027606-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008132001&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008132001</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV012015070 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-08-19T00:23:55Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008132001 |
| oclc_num | 246277734 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-20 DE-29T DE-12 DE-355 DE-BY-UBR DE-11 DE-188 |
| owner_facet | DE-20 DE-29T DE-12 DE-355 DE-BY-UBR DE-11 DE-188 |
| physical | V, 124, XXI S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 1997 |
| publishDateSearch | 1997 |
| publishDateSort | 1997 |
| record_format | marc |
| spelling | Müssig, Harald 1963- Verfasser (DE-588)120205432 aut Neuartige Strukturierungsverfahren auf der Basis von Ionenimplantation für GaAs-Bauelementanwendungen von Harald Müssig 1997 V, 124, XXI S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Würzburg, Univ., Diss., 1997 Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 gnd rswk-swf Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd rswk-swf Heterostruktur (DE-588)4123378-5 gnd rswk-swf Lithografie Halbleitertechnologie (DE-588)4191584-7 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 s Heterostruktur (DE-588)4123378-5 s Lithografie Halbleitertechnologie (DE-588)4191584-7 s Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 s DE-604 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008132001&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Müssig, Harald 1963- Neuartige Strukturierungsverfahren auf der Basis von Ionenimplantation für GaAs-Bauelementanwendungen Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 gnd Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd Heterostruktur (DE-588)4123378-5 gnd Lithografie Halbleitertechnologie (DE-588)4191584-7 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4027606-5 (DE-588)4019155-2 (DE-588)4123378-5 (DE-588)4191584-7 (DE-588)4113937-9 |
| title | Neuartige Strukturierungsverfahren auf der Basis von Ionenimplantation für GaAs-Bauelementanwendungen |
| title_auth | Neuartige Strukturierungsverfahren auf der Basis von Ionenimplantation für GaAs-Bauelementanwendungen |
| title_exact_search | Neuartige Strukturierungsverfahren auf der Basis von Ionenimplantation für GaAs-Bauelementanwendungen |
| title_full | Neuartige Strukturierungsverfahren auf der Basis von Ionenimplantation für GaAs-Bauelementanwendungen von Harald Müssig |
| title_fullStr | Neuartige Strukturierungsverfahren auf der Basis von Ionenimplantation für GaAs-Bauelementanwendungen von Harald Müssig |
| title_full_unstemmed | Neuartige Strukturierungsverfahren auf der Basis von Ionenimplantation für GaAs-Bauelementanwendungen von Harald Müssig |
| title_short | Neuartige Strukturierungsverfahren auf der Basis von Ionenimplantation für GaAs-Bauelementanwendungen |
| title_sort | neuartige strukturierungsverfahren auf der basis von ionenimplantation fur gaas bauelementanwendungen |
| topic | Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 gnd Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd Heterostruktur (DE-588)4123378-5 gnd Lithografie Halbleitertechnologie (DE-588)4191584-7 gnd |
| topic_facet | Ionenimplantation Galliumarsenid Heterostruktur Lithografie Halbleitertechnologie Hochschulschrift |
| url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008132001&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
| work_keys_str_mv | AT mussigharald neuartigestrukturierungsverfahrenaufderbasisvonionenimplantationfurgaasbauelementanwendungen |