Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen: Vorträge der ETG-Fachtagung am 12. und 13. Mai 1998 in Bad Nauheim
Gespeichert in:
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| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Berlin u.a.
VDE-Verl.
1998
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| Schriftenreihe: | Energietechnische Gesellschaft <Deutschland>: ETG-Fachbericht
72 |
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| adam_text | Inhalt
Übersichtsvortrag Bauelemente
Leistungsbauelemente: Funktionsprinzipien und Entwicklungstendenzen ..............9
Prof. Dr. D. Silber, Universität Bremen
Dioden und Halbleiterschalter, Teil 1
Neue Entwicklungen bei schnellen Dioden ....................................27
J. Lutz und P. Nagengast, SEMIKRON Elektronik GmbH, Nürnberg
2,5kV/ł,8kA
Power Pack IGBT.............................................43
Y. Takahashi, T.
Koga,
К.
Yoshikawa,
К.
Yamazaki, Dr. H.
Kirihata, Dr.
Y.
Sęki,
Fuji Electric Co. Ltd., Japan;
F. Eschrich, Fuji Electric GmbH, Frankfurt
Eigenschaften von 600
V
NPT-IGBT-Modulen ..................................55
J.
Göttert,
Α.
Karl,
J.
Thurau, eupec GmbH
u.
Co. KG,
Warstein;
T.
Laska, W.
Scholz,
Siemens AG,
München
Dioden und Halbleiterschalter, Teil 2
Performance
and Characteristics of 1700V Low Loss
IGBT in High Power Modules.....65
Dr. 0. Schilling, eupec GmbH u. Co. KG, Warstein;
Dr. F. Auerbach, Siemens AG, München
Der GCT (Gate Commutated Thyristor) - Stärken von GTO- und IGBT-Technologie
in einer Einheit.........................................................75
Dr. H. Grüning,
ABB
Industrie AG, Turgi, Schweiz
Zuverlässigkeit von Silicium-Leistungshalbleiterbauelementen....................101
Prof. Dr. E. Wolfgang, Dr. T. Franke, G. Lefranc, Dr. G.
Mitic,
Dr. H.-J. Schulze,
Dr. P. Türkes, Siemens AG, München;
Dr. H. Berg, eupec GmbH u.
Co KG,
Warstein
Integrationsaspekte
Smart Leistungs
ICs
....................................................113
Dr. J.
Tihanyi, Siemens
AG,
München
Systemintegration - Ein neuer Meilenstein für zukünftige
leistungselektronische Systeme ...........................................123
Dr. L. Lorenz, Siemens AG, München
Flexible Aufbau- und Verbindungstechnik für Leistungshalbleiter..................135
Dr. W. Tursky, E. Schimanek, SEMIKRON Elektronik GmbH, Nürnberg
Simulation, Einführungsvortrag und Diskussion
Schaltungssimulation in der Leistungselektronik...............................149
Dr.
-Ing.
L.
Göhler, Universität der Bundeswehr München, Neubiberg;
C. Demi, Siemens AG, München
Leistungselektronik - Simulation ..........................................161
Prof. Dr.-Ing. Dr.-Ing. h.c. D. Schröder, Technische Universität München
Übersichtsvortrag Anwendungen
Schaltungstechnik leistungselektronischer Stellglieder
mit abschaltbaren Bauelementen..........................................171
Prof. Dr.-Ing. M. Braun, Universität Karlsruhe
IGBTs und MOSFETs: Ansteuerung, Schutz, Integration
Neue Ansteuerverfahren von MOSFETs und IGBTs .............................189
Dr. U. Tietze, Universität Erlangen-Nürnberg, Erlangen
Einzelverlustverfahren zur einfachen Ermittlung der Schaltverluste
in IGBT-Kommutierungskreisen............................................197
Prof. Dr.-Ing. L. Abraham und Dr.-Ing. M. Reddig,
Universität der Bundeswehr München, Neubiberg
Integration und Mikroelektronik in der elektrischen Antriebstechnik -
wie aus Systemen Komponenten werden ....................................213
Dr.-Ing. R. Gabriel, D-Tech GmbH, Bielefeld
Einsatz von IGBT für Hochleistungsstromrichter...............................221
M. Bruckmann, Dr. R. Sommer, Dr. M. Fasching, Dr. J. Sigg,
Siemens AG, Erlangen, Wien, München
Umrichter für spezielle Anwendungen
Verringerung der Wirbelstromverluste in Mittelfrequenzspulen durch
Einsatz permeabler Schirme .............................................235
P. Wallmeier, Prof. Dr.
-Ing.
H. Grotstollen,
Universität Gesamthochschule Paderborn
Hybride Integration von Umrichter und ASM (Kompaktantrieb)
im Leistungsbereich bis 22 kW............................................247
T.
Peppel,
G.
Heyn,
Innotas
GmbH, Zittau; Dr.-Ing. D.
Vökler, VEM
motors
GmbH, Wernigerode
Hart und weich schaltende Matrixstromrichter mit rückwärts sperrfähigen
NPT-IGBTs für Drehstromantriebe..........................................255
Dr.-Ing. S.
Bemet,
ABB
Forschungszentrum, Heidelberg;
R. Teichmann, Technische Universität Dresden
Einsatz von hochsperrenden IGBT und GTO in Traktionsstromrichtern ..............273
Dr. R. Marquardt, Dr. M. Bakran, Dr. R. Sommer, Dr. J. Teigelkötter, Siemens AG, Erlangen
Höchstsperrende Halbleiter-Bauelemente in stationären Hochleistungs-
Stromrichtern .........................................................287
Dr. P. G. Kamp, G. Neeser, Dr. B. Blöcher, Siemens AG, Erlangen
Netzanwendungen und EMV-Aspekte
Rückwirkungen des idealen Netzpulsstromrichters am realen Netz................301
Dr.-Ing. B. Eggert, CECELEC AEG AAS GmbH, Berlin
Netzfreundlicher Pulsstromrichter für USV mit digitaler Regelung .................315
Dr.-Ing. N.
Blacha,
AEG SVS GmbH, Warstein
Netzimpedanzen und Störaussendungen im Frequenzbereich 2 bis 9 kHz...........331
Prof. Dr.-Ing. R. Gretsch, M. Neubauer, Universität Erlangen-Nürnberg;
A. Krechla, Technische Universität Ilmenau; Prof. Dr.-Ing. J. Petzoldt, Universität Rostock
Planartrafodesign für Schaltnetzteile kleiner Leistung..........................347
T. Götze, Siemens AG, Chemnitz
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