Hochempfindliche Photoresists mit hoher Auflösung für die Elektronenstrahllithographie:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
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1998
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INHALTSVERZEICHNIS
EINLEITUNG:
TECHNOLOGIE
FUER
DIE
CHIPS
VON
MORGEN
.
11
1.
THEORETISCHER
HINTERGRUND
.
12
1.1
LITHOGRAPHIE
IN
DER
MIKROELEKTRONIK
.
12
1.2
DER
LITHOGRAPHISCHE
PROZESS
.
13
1.3
ELEKTRONENSTRAHLSCHREIBEN:
LITHOGRAPHIE
FUER
PROTOTYPEN
.
16
1.3.1
GRUNDLAGEN
.16
1.3.2
PRIMAERWECHSELWIRKUNGEN
UND
PROXIMITYEFFEKTE
.18
1.3.3
SCHREIBVERFAHREN
.
21
1.4
CHEMIE
DER
RESISTS
.
23
1.4.1
ALLGEMEINES
.
23
1.4.2
PHOTOCHEMIE
.
24
1.4.3
AUFWEITUNG
VON
STRUKTURIINIEN:
CARL
.
26
1.4.4
REAKTIVES
LONENAETZEN
IM
PLASMA
.
26
1.4.5
UEBERBLICK
.
29
2.
EXPERIMENTELLER
TEIL
.
30
2.1
VERWENDETES
RESISTSYSTEM
UND
GERAETE
.
30
2.1.1
RESISTLOESEMITTEL
.
30
2.1.2
POLYMERE
.
31
2.1.3
PHOTOSAEUREBILDNER
.
31
2.1.4
ADDITIVE
.
32
2.1.5
APPARATUREN
.
32
2.2
DURCHFUEHRUNG
DES
LITHOGRAPHIEPROZESSES
.
34
2.2.1
BELACKUNG
.
34
2.2.2
STRUKTURUEBERTRAGUNG
.
35
2.2.3
ENTWICKLUNG
UND
CARL-SILYLIERUNG
.
36
2.2.4
PLASMAAETZEN
.
36
2.2.5
UNTERSUCHUNG
DES
STANDZEITEFFEKTS
.
37
2.3
MESSTECHNIK
UND
AUSWERTUNG
DER
MESSUNGEN
.
38
2.3.1
SCHICHTDICKENBESTIMMUNG
.
38
2.3.2
BELICHTUNGSEMPFINDLICHKEIT
UND
KONTRAST
.
39
2.3.3
WEITERE
UNTERSUCHUNGEN
.41
2.4
TOXIKOLOGISCHE
EINSCHAETZUNG
.
42
3.
ERGEBNISSE
UND
DISKUSSION
.
44
3.1
UNTERSUCHUNGEN
ZUR
STANDZEITPROBLEMATIK
BEI
OPTISCHER
UND
E-BEAM-LITHOGRAPHIE
.
44
3.1.1
ABPUFFERUNG
EXTERNER
STANDZEITEFFEKTE
.
45
3.1.1.1
RESISTADDITIVE
.
46
3.1.1.2
PUFFEREINBAU
IN
POLYMER
.
52
3.1.2
STANDZEITEFFEKTE
DURCH
SAEUREDIFFUSION
.
54
3.1.2.1
PROTONEN
ODER
SAEUREDIFFUSION?
.
55
3.1.2.2
NUR
DIREKTE
DIFFUSION
ODER
AUCH
ABDAMPFEN
MOEGLICH?
.
58
3.1.3
VAKUUMSTANDZEITEFFEKT
.
59
3.2
VERSUCHE
ZUR
ERHOEHUNG
DER
RESISTBELICHTUNGSEMPFINDLICHKEIT
.
63
3.2.1
VERGLEICH
VERSCHIEDENER
PAG-TYPEN
.
63
3.2.1.1
KOMMERZIELLE
PAGS
.
64
3.2.1.2
KAEUFLICHE
STANDARDVERBINDUNGEN
ALS
POTENTIELLE
PAG-KANDIDATEN
.
67
3.2.1.3
SELBST
SYNTHETISIERTE
PAGS
.
68
3.2.1.4
EINPOLYMERISIERBARER
PAG
.
73
3.2.2
LODVERBINDUNGEN
ALS
E-BEAM-SENSITIZER?
.
77
3.2.3
ANISOLVERBINDUNGEN
ALS
E-BEAM-SENSITIZER?
.
82
3.2.4
FLUORENDERIVATE
ALS
SENSITIZER?
.
83
3.2.5
QUANTITATIVE
UNTERSUCHUNG
DES
SENSITIZERKONZEPTES
.
87
3.3
ANSAETZE
ZUR
ERHOEHUNG
DES
AUFLOESUNGSVERMOEGENS
.
93
3.3.1
STRUKTURIERUNG
CHEMISCH
UNVERSTAERKTER
SYSTEME
.
93
3.3.1.1
SYNTHESE
VON
TBMA-POLYMEREN
.
93
3.3.1.2
VERSUCHE
MIT
KAEUFLICHEM
POLY-(TERT-BUTYLMETHACRYLAT)
.
98
3.3.2
EINPOLYMERISATION
SPEZIELLER
FUNKTIONELLER
GRUPPEN
.
101
3.3.2.1
SYNTHESEVERSUCH:
POLYMER
MIT
MODIFIZIERTEM
ANHYDRID
.101
3.3.2.2
EINFLUSS
VON
AROMATEN
AUF
E-BEAM-LITHOGRAPHIE
.
102
3.3.2.3
EINFLUSS
VON
SILIZIUM
AUF
E-BEAM-LITHOGRAPHIE
.
103
3.3.3
EINSATZ
VON
POLYMEREN
MIT
NIEDRIGER
GLASUEBERGANGSTEMPERATUR
.
105
3.3.4
EINFLUSS
VON
FEUCHTIGKEIT
AUF
DIE
STRUKTURQUALITAET
.
111
3.4
UNTERSUCHUNG
WEITERER
EINFLUESSE
AUF
DAS
LITHOGRAPHIEVERHALTEN
.
114
3.4.1
EINFLUSS
VERSCHIEDENER
PROZESSPARAMETER
.
114
3.4.1.1
VARIATION
DER
SOFTBAKETEMPERATUR
.
114
3.4.1.2
VARIATION
DER
PEB-TEMPERATUR
.
116
3.4.1.3
VARIATION
DER
ENTWICKLERSTAERKE
.
118
3.4.1.4
VARIATION
DER
ENTWICKELZEIT
.
119
3.4.1.5
VARIATION
DER
SCHICHTDICKEN
VON
BOTTOM
UND
TOPRESIST
.
120
3.4.2
ZUSAETZLICHER
TROCKENSCHRITT
NACH
ENTWICKLUNG
.
122
3.4.3
VARIATION
DER
BESCHLEUNIGUNGSSPANNUNG
.
123
3.4.4
KOMBINIERTE
SILYLIER
UND
LONENPLASMAAETZVERSUCHE
.
124
3.5
IR-SPEKTROSKOPISCHE
UNTERSUCHUNG
ZUR
ESTERSPALTUNG
.
130
3.6
CYCLOVOLTAMMETRISCHE
UNTERSUCHUNGEN
ZUR
PAG-AKTIVITAET
.
132
3.7
ARBEITEN
ZUM
BMBF-PROJEKT
YYELEKTRONENSTRAHLLITHOGRAPHIE
/
WEPRINT200
"
.
138
3.8
FEHIERBETRACHTUNG
.
146
4.
QUELLEN
UND
SYNTHESEN
DER
EINGESETZTEN
VERBINDUNGEN
UND
RESISTS.
149
4.1
SYNTHESEN
.
149
4.1.1
POLYMERE
.
149
4.1.2
PHOTOAKTIVE
VERBINDUNGEN
.
151
4.2
ZUSAMMENSETZUNG
WESENTLICHER
UNTERSUCHTER
TOPRESISTS
.
154
5.
ZUSAMMENFASSUNG
.
156
6.
AUSBLICK
.
160
7.
LITERATURVERZEICHNIS
.
162 |
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