Molekularstrahlepitaxie und elektronische Struktur von GaN- und AlN-GaN-Heterostrukturen:
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1997
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Datensatz im Suchindex
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INHALTSVERZEICHNIS
1 EINLEITUNG 7
2 GRUPPE III-NITRIDE 11
2.1 STRUKTURELLE EIGENSCHAFTEN. 12
2.2 EPITAKTISCHES WACHSTUM. 13
2.2.1 MOCVD. 13
2.2.2 MBE. 14
3 EXPERIMENTELLE METHODEN 17
3.1 HOCHAUFLOESENDE ELEKTRONENENERGIEVERLUSTSPEKTROSKOPIE (HEEELS)
. 17
3.1.1 KINEMATIK DER ELEKTRONENSTREUUNG . 17
3.1.2 DIE KLASSISCHE DIELEKTRISCHE THEORIE. 19
3.1.3 QUANTENSTATISTIK DER INELASTISCHEN STREUUNG . 22
3.1.4 DIE DIELEKTRISCHE FUNKTION. 23
3.1.5 DIE EFFEKTIVE DIELEKTRISCHE FUNKTION. 24
3.2 PHOTOELEKTRONENSPEKTROSKOPIE (PES) . 26
3.2.1 DAS DREI-STUFEN-MODELL. 27
3.2.2 ASPEKTE DER VIELTEILCHENTHEORIE. 30
3.2.3 ULTRAVIOLETT-PHOTOELEKTRONENSPEKTROSKOPIE (UPS). 31
3.2.4 ROENTGENPHOTOELEKTRONENSPEKTROSKOPIE (XPS). 32
3.3 BEUGUNG LANGSAMER ELEKTRONEN (LEED) . 33
3.3.1 KINEMATISCHE THEORIE. 33
3.3.2 DIE TRANSFERWEITE. 35
3.4 RUTHERFORD RUECKSTREUUNG (RBS). 35
3.4.1 DAS CHANNELING. 37
3.5 ROENTGENDIFFRAKTOMETRIE. 38
3.6 RAMANSPEKTROSKOPIE. 40
3.6.1 MAKROSKOPISCHE THEORIE. 41
3.6.2 MIKROSKOPISCHE THEORIE. 42
3.7 PHOTOLUMINESZENZSPEKTROSKOPIE (PL). 44
4 APPARATIVE AUSSTATTUNG 47
4.1 UH V-APPARATUR. 48
4.2 MBE-SYSTEM. 49
4.3 ANALYSEKAMMER 1. 52
4.4 ANALYSEKAMMER 2. 53
1
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
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2
INHALTSVERZEICHNIS
5
REAKTIONSSTUDIEN MIT STICKSTOFFHALTIGEN VERBINDUNGEN 55
5.1 TRIALLYLAMIN. 57
5.1.1 EXPERIMENT. 57
5.1.2 ADSORPTION VON TAA AUF SI( 111)-(7X7). 58
5.1.3 KOADSORPTION VON TAA UND TEG. 64
5.2 DIISOPROPYLAMIN. 67
5.3 ALTERNATIVE STICKSTOFFQUELLEN. 67
6 WACHSTUMSSTUDIEN 69
6.1 EPITAXIE AUF A1
203 . 69
6.2 EPITAXIE AUF 6H-SIC . 84
6.2.1 GAN/6H-SIC . 85
6.2.2 ALN/GAN HETEROSTRUKTUREN. 93
6.3 RAMANSPEKTROSKOPIE. 97
7 VALENZBANDDISKONTINUITAETEN
105
7.1 HALBLEITERHETEROSTRUKTUREN.105
7.2 THEORETISCHE MODELLE._J_07
7.2.1 LINEARE MODELLE. 107
7.2.2 DAS MODELL VON TERSOFF.108
7.3 CHARAKTERISIERUNG VON HALBLEITERHETEROSTRUKTUREN.110
7.3.1 METHODEN DER DATENAUSWERTUNG.112
7.4 VALENZBANDDISKONTINUITAET AN DER ALN/3C-SIC
UND ALN/6H-SIC GRENZFLAECHE .113
7.4.1 PRAEPARATION DER SUBSTRATOBERFLAECHEN .113
7.4.2 ALN/3C-SIC(100). 116
7.4.3 2H-A1N / 6H-SIC(0001). 126
7.5 VALENZBANDDISKONTINUITAET VON ALN/GAN HETEROSTRUKTUREN.135
7.6 CHARAKTERISIERUNG DER GAN OBERFLAECHE.115
8 ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK
153
LITERATURVERZEICHNIS
157
POSTSCRIPTUM
167 |
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