Ein Großsignal-Modell des SiGe-Hetero-Bipolar-Transistors für den Entwurf monolithisch integrierter Mikrowellen-Schaltungen:
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1998
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9]
268 |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: Berlin, Techn. Univ., Diss., 1997 |
| Beschreibung: | XII, 132 S. Ill., graph. Darst. |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
1.1
STAND
DER
TECHNIK
.
2
1.1.1
MMIC
UND
HBT
ENTWICKLUNG
.
2
1.1.2
MODELLENTWICKLUNG
.
3
1.2
AUFGABENSTELLUNG
UND
VORGEHENSWEISE
.
4
2
AUFBAU
UND
FUNKTIONSWEISE
DES
SIGE-HBT
6
2.1
FUNKTIONSWEISE
.
6
2.2
TECHNOLOGISCHE
REALISIERUNG
IM
DAIMLER-BENZ
PROZESS
.
9
2.2.1
GEOMETRISCHER
AUFBAU
DES
HBT
.
12
2.3
ZUORDNUNG
DER
ERSATZSCHALTBILDGROESSEN
.
13
3
KLEINSIGNALMODELLIERUNG
15
3.1
KLEINSIGNALEXTRAKTIONSVERFAHREN
.
17
3.1.1
OPTIMIERUNGSVERFAHREN
.
17
3.1.2
ANALYTISCHE
VERFAHREN
.
18
3.2
TOPOLOGIE
DES
HBT-KLEINSIGNALERSATZSCHALTBILDES
.
19
3.3
ALLGEMEINE
VORGEHENSWEISE
.
20
3.4
BESTIMMUNG
DER
AEUSSEREN
ELEMENTE
.
23
3.4.
1
AEUSSERE
METALLSTRUKTUR
.
23
3.4.2
INNERE
METALLSTRUKTUR
.
24
3.4.3
BESTIMMUNG
UEBER
FELDTHEORETISCHE
VERFAHREN
.
25
3.5
BESTIMMUNG
DER
EXTRINSISCHEN
ELEMENTE
UEBER
S-PARAMETER
.
26
3.5.1
AUSWERTUNG
DER
MESSUNGEN
IM
"
CUT-OFF
"
-MODUS
.
26
3.5.2
AUSWERTUNG
DER
MESSUNGEN
IM
"
OPEN-COLLECTOR
"
-MODUS
.
31
3.5.3
AUSWERTUNG
DER
MESSUNGEN
VON
TESTSTRUKTUREN
.
40
3.6
BESTIMMUNG
DER
INNEREN
ERSATZSCHALTBILDELEMENTE
.
41
3.6.1
DIREKTE
ANALYTISCHE
BESTIMMUNG
DER
ERSATZSCHALTBILDELEMENTE
.
.
43
3.6.2
ANALYTISCHE
BESTIMMUNG
DER
ERSATZSCHALTBILDELEMENTE
UEBER
"
LEAST
SQUARE
"
-VERFAHREN
.
46
3.6.3
VERIFIKATION
DES
MODELLS
ANHAND
DER
URSPRUENGLICHEN
MESSWERTE
.
.
54
3.6.4
ARBEITSPUNKTABHAENGIGE
CHARAKTERISIERUNG
.
55
3.7
ZUSAMMENFASSUNG
.
63
VI
INHALTSVERZEICHNIS
4
GROSSSIGNALMODELLIERUNG
66
4.1
ANFORDERUNGEN
UND
ZIELE
EINER
HBT
GROSSSIGNALMODELLIERUNG
.
66
4.2
BESTEHENDE
MODELLE
.
68
4.2.1
BIPOLARTRANSISTORMODELLE
(SI)
.
68
4.2.2
SIGE-HBT-MODELLE
.
69
4.2.3
ALGAAS/GAAS
UND
INGAAS/INP-HBT-MODELLE
.
69
4.3
MODELLGLEICHUNGEN
FUER
DAS
SI/SIGE/SI-HBT-MODELL
.
70
4.4
DAS
KONZEPT
DER
BASISLADUNG
.
82
4.5
MODELLIERUNG
DES
KIRK-EFFEKTES
.
85
4.6
MODELLIERUNG
DER
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
.
90
4.7
MODELLIERUNG
DER
NICHTIDEALEN
LECKSTROEME
.
92
4.8
GEGENUEBERSTELLUNG
DER
GEMESSENEN
UND
MODELLIERTEN
KURVEN
.
94
4.8.1
ZUSAMMENFASSUNG
DER
MODELLPARAMETER
.
98
4.9
ZUSAMMENFASSUNG
.
99
5
OSZILLATORSIMULATION
100
5.1
GRUNDLAGEN
.
100
5.2
SCHALTUNGSENTWURF
.
102
5.2.1
LINEARER
UND
NICHTLINEARER
OSZILLATORENTWURF
.
104
5.3
ERGEBNISSE
.
110
5.4
ZUSAMMENFASSUNG
.
112
6
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
115
6.1
GRENZEN
UND
MOEGLICHE
WEITERENTWICKLUNG
.
117
A
EINFLUSS
DER
MESSGENAUIGKEIT
AUF
DAS
EXTRAKTIONSERGEBNIS
118
B
EINFLUSS
DER
AEUSSEREN
ELEMENTE
120 |
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