Optische und elektronische Eigenschaften lasergeschriebener GaAs-Nanostrukturen:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Garching
Verein zur Förderung des Walter Schottky Inst. der Techn. Univ. München e.V.
1997
|
| Ausgabe: | 1. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Selected topics of semiconductor physics and technology
4 |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | IX, 180 S. graph. Darst. |
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INHALTSVERZEICHNIS
ZUSAMMENFASSUNG
1
1
EINFUEHRUNG
3
2
GRUNDLAGEN
ZUR
LASERINDUZIERTEN
STRUKTURIERUNG
7
2.1
PRINZIP
DER
STRUKTURIERUNGSMETHODE
.
7
2.2
GEOMETRIE
VON
IN-PLANE-GATE
STRUKTUREN
UND
VERGLEICH
MIT
ANDEREN
KONZEPTEN
.
8
2.3
TEMPERATURPROFIL
BEI
LOKALER
ERHITZUNG
MIT
EINEM
FOKUSSIERTEN
LASERSTRAHL
.
12
2.4
DIFFUSION
DER
DOTIERSTOFFE
WAEHREND
DES
FLB-PROZESSES
.
16
3
EXPERIMENTELLE
GRUNDLAGEN
19
3.1
AUFBAU
DER
VERWENDETEN
HETEROSTRUKTUREN
.
19
3.2
PROBENPRAEPARATION
.
20
3.3
VERSUCHSAUFBAU
FUER
DIE
LATERALE
STRUKTURIERUNG
.
22
4
ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN
LATERALER
NANOSTRUKTUREN
27
4.1
ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
IN-PLANE-GATE
STRUKTUREN
.
27
4.1.1
SELBSTKONSISTENTE
LATERALE
BANDSTRUKTURBERECHNUNG
.
28
4.1.2
EINFLUSS
DER
KOPLANAREN
GEOMETRIE
AUF
DIE
LADUNGSTRAEGERVERTEILUNG
.
34
4.1.3
DURCHBRUCHSSPANNUNG
LATERALER
NPN-STRUKTUREN
.
37
4.1.4
KAPAZITAET
UND
STEUERFAEHIGKEIT
VON
IN-PLANE-GATE
STRUKTUREN
.
39
4.1.5
VERGLEICH
MIT
VERBREITETEN
MODELLEN
IN
DER
LITERATUR
.
44
4.2
TRANSPORT
IN
LATERALEN
NANOSTRUKTUREN
.
45
II
4.2.1
LEITFAEHIGKEITSQUANTISIERUNG
IN
QUANTENPUNKTKONTAKTEN
.
45
4.2.2
EINZELELEKTRONEN-TUNNELTRANSISTOR
UND
COULOMB-BLOCKADE
.
51
4.2.3
AHARONOV-BOHM
EFFEKT
.
57
4.2.4
ELEKTROSTATISCHER
AHARONOV-BOHM
EFFEKT
.
59
5
CHARAKTERISIERUNG
LATERALER
BARRIEREN
61
5.1
CHARAKTERISIERUNG
DURCH
STROM-SPANNUNGSKENNLINIEN
.
61
5.2
BARRIERENHOEHEN
AUS
TEMPERATURABHAENGIGEN
MESSUNGEN
.
64
5.3
ORTSAUFGELOESTE
KAPAZITAETSMIKROSKOPIE
.
65
6
MODELLIERUNG
LATERALER
BARRIEREN
69
6.1
EINFLUSS
VON
OBERFLAECHENLADUNGEN
AUF
LATERALE
BARRIEREN
.
69
6.2
MODELL
FUER
DIE
RANDBEDINGUNG
AN
DER
PROBENOBERFLAECHE
.
70
6.3
SELBSTKONSISTENTE
BANDSTRUKTURBERECHNUNG
UNTER
BERUECKSICHTIGUNG
VON
OBERFLAECHENEFFEKTEN
.
72
7
VERGLEICH
DER
MODELLVORSTELLUNG
MIT
EXPERIMENTELLEN
RESULTATEN
79
7.1
TEMPERATURABHAENGIGE
MESSUNGEN
.
79
7.2
ORTSAUFGELOESTE
PHOTOSTROMMESSUNGEN
.
83
7.2.1
EINFLUSS
EINER
EMITTER-KOLLEKTORSPANNUNG
AUF
DIE
RAUMLADUNGSZONE
.
85
7.2.2
PHOTOSTROMSIGNAL
OHNE
ANGELEGTE
SPANNUNG
.
86
7.3
FRANZ-KELDYSH
EFFEKT
IN
LATERALEN
NPN-STRUKTUREN
.
88
7.3.1
WELLENLAENGENABHAENGIGE
MESSUNGEN
.
90
7.3.2
ORTSAUFGELOESTE
PHOTOSTROMMESSUNGEN
FUER
ANREGUNGSENERGIEN
UNTERHALB
DER
BANDLUECKE
.
94
7.3.3
ALTERNATIVE
ERKLAERUNGEN
FUER
DIE
ABSORPTION
UNTERHALB
DER
BANDLUECKE
.
99
7.4
ZEITAUFGELOESTE
MESSUNGEN
.
100
111
7.4.1
ZEITABHAENGIGKEIT
DES
LECKSTROMS
UEBER
EINE
LATERALE
BARRIERE
.
101
7.4.2
DISPERSION
DER
STEILHEIT
VON
IPG-STRUKTUREN
.
102
7.4.3
ZEITABHAENGIGKEIT
DES
PHOTOSTROMS
BEI
PHOTONENENERGIEN
UNTERHALB
DER
BANDLUECKE
.
104
8
LATERALE
OPTOELEKTRONISCHE
BAUELEMENTE
107
8.1
LATERALE
NPN-PHOTOTRANSISTOREN
.
107
8.1.1
ORTSAUFLOESUNG
FUER
VERSCHIEDENE
PHOTONENENERGIEN
.
107
8.1.2
MODULATION
DER
ORTSAUFLOESUNG
DURCH
EINE
BIASSPANNUNG
.
111
8.1.3
INTENSITAETSABHAENGIGKEIT
DES
PHOTOSTROMES
.
113
8.1.4
ZEITABHAENGIGKEIT
DES
PHOTOSTROMS
BEI
VERSCHIEDENEN
TEMPERATUREN
.
115
8.1.5
EMPFINDLICHKEIT
IN
ABHAENGIGKEIT
DER
BIASSPANNUNG
.
117
8.2
IN-PLANE-GATE
STRUKTUREN
ALS
PHOTODETEKTOREN
.
118
8.2.1
DURCH
LASERINDUZIERTE
DOTIERUNG
HERGESTELLTER
IN-PLANE-GATE
TRANSISTOR
.
118
8.2.2
DURCH
IONENIMPLANTATION
REALISIERTER
IN-PLANE-GATE
TRANSISTOR
.
120
9
TRANSPORTUNTERSUCHUNGEN
AN
LATERALEN
NANOSTRUKTUREN
125
9.1
VERHALTEN
VON
IPG-STRUKTUREN
BEI
SEHR
TIEFEN
TEMPERATUREN
.
125
9.2
PUNKTKONTAKTSTRUKTUREN
.
127
9.3
EINZELELEKTRONEN-TUNNELTRANSISTOR
.
140
9.4
AHARONOV-BOHM
RING
.
154
10
AUSBLICK
165
LITERATURVERZEICHNIS
171
PUBLIKATIONSLISTE
177
DANKSAGUNG
179 |
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