Einfluß von Ordnungsphänomenen auf Wachstum, Struktur und elektronische Eigenschaften in (GaIn)P-Volumenhalbleitern:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
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Format: | Abschlussarbeit Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Marburg
Görich und Weiershäuser
1997
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Schriftenreihe: | Wissenschaft in Dissertationen
252 |
Schlagworte: | |
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INHALTSVERZEICHNIS
1.
ZUSAMMENFASSUNG
I
2.
EINLEITUNG
IV
3.
GRUNDLAGEN
1
3.1.
IH/V-HALBLEITER
1
3.
1.1.
BANDSTRUKTUR
UND
OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
JLL/V-HALBLEITERN
3
3.1.2.
VERSPANNUNGSEFFEKTE
6
3.1.3.
HALBLEITEROBERFLAECHEN
11
3.1.4.
METALLORGANISCHE
GASPHASENEPITAXIE
13
3.2.
CHARAKTERISIERUNGS
UND
UNTERSUCHUNGSMETHODEN
16
3.2.1.
ROENTGENBEUGUNG
16
3.2.2.
TRANSMISSIONS-ELEKTRONENMIKROSKOPIE
18
3.2.3.
HALL-EFFEKT
21
3.3.
ORDNUNG
UND
UNORDNUNG
IN
III/V-HALBLEITERN
23
3.3.1.
ABHAENGIGKEIT
DER
(GAIN)P-ORDNUNG
VOM
EPITAXIEPROZESS
26
3.3.2.
EINFLUSS
DER
ORDNUNG
AUF
DIE
OPTISCHEN
EIGENSCHAFTEN
VON
(GAIN)P
29
3.3.3.
MIKROSKOPISCHE
ORDNUNG
UND
MESOSKOPISCHE
UNORDNUNG
IN
(GAIN)P
33
3.3.4.
ORDNUNGSINDUZIERTE
WACHSTUMSMODELLE
34
4.
EXPERIMENTELLES
39
4.1.
METAL
LORGANISCHE
GASPHASENEPITAXIE
39
4.2.
TRANSMISSIONS-ELEKTRONENMIKROSKOPIE
41
4.2.1.
PROBENPREPARATION
41
4.3.
LUMINESZENZSPEKTROSKOPIE
43
4.4.
ROENTGENDIFFRAKTOMETER
44
4.5.
HALL-MESSPLATZ
45
4.6.
SCHICHTAUFBAU
46
5.
ERGEBNISSE
UND
DISKUSSION
DER
STRUKTURELLE
EIGENSCHAFTEN
VON
GEORDNETEN
(GALN)P
48
5.1.
MOTIVATION
DER
EPITAXIEMETHODEN
49
5.2.
BESTIMMUNG
DER
SCHICHTQUALITAET
54
5.2.1.
STUFENEINFLUESSE
59
5.3.
EINFLUSS
DER
WACHSTUMSPARAMETER
AUF
DIE
DOMAENENGROESSE
61
5.3.1.
WACHSTUMSTEMPERATURABHAENGIGKEIT
62
5.3.2.
STUFENABHAENGIGKEIT
69
5.3.3.
ANTIPHASEN-DOMAENEN
IN
MODULIERT
GEWACHSENEM
(GAIN)P
71
5.4.
DISKUSSION
DER
STRUKTURELLEN
ERGEBNISSE
75
5.5.
BESTIMMUNG
DES
ORDNUNGSGRADES
79
5.5.1.
VERSPANNUNGSEINFLUESSE
5.5.2.
ORDNUNGSGRAD
AUS
LUMINESZENZ-MESSUNGEN
81
5.6.
EINFLUSS
DER
WACHSTUMSPARAMETER
AUF
DEN
ORDNUNGSGRAD
84
5.5.1.
OBERFLAECHENDIFFUSIONSEINFLIISSE
86
5.6.1.1.
STUFENEINFLUESSE
90
5.6.2.
VERTIKALE
GRUPPE-IIIATOM-AUSTAUSCHPROZESSE
92
5.6.2.1.
EINFLUSS
DER
MODULATIONSSCHICHTDICKE
AUF
DEN
ORDNUNGSGRAD
92
5.6.2.2.
STUFENABHAENGIGKEIT
96
5.6.2.3.
EINFLUSS
DER
LATERALEN
DRUCK
UND
ZUGVERSPANNUNG
98
5.7.
WACHSTUMSMODELL
100
6.
ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
PARTIELL
GEORDNETEM
(GAIN)P
106
6.1.
EINFLUSS
DER
DOMAENENGROESSE
UND
DES
ORDNUNGSGRADES
AUF
DIE
TIEFTEMPERATUR
LUMINESZENZSPEKTREN
107
6.2.
EINFLUSS
DER
DOMAENENGROESSE
UND
DES
ORDNUNGSGRADES
AUF
DIE
MAJORITAETSLADUNGSTRAEGER-EIGENSCHAFTEN
114
6.3.
EINFLUSS
DER
NEUARTIGEN
ANTIPHASEN-GRENZFLAECHE
AUF
DIE
OPTISCHEN
SPEKTREN
117
6.4.
DISKUSSION
DER
ELEKTRONISCHEN
EIGENSCHAFTEN
VON
PARTIELL
GEORDNETEM
(GALN)P
123
7.
AUSBLICK
129 |
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