Oberflächenemittierende Laserdioden mit Mehrfachepitaxie:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Garching
Verein zur Förderung des Walter Schottky Inst. der Techn. Univ. München e.V.
1997
|
| Ausgabe: | 1. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Selected topics of semiconductor physics and technology
6 |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 1997 |
| Beschreibung: | II, IV, 148 S. Ill., graph. Darst. |
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INHALTSVERZEICHNIS
I
INHALTSVERZEICHNIS
1.
ZUSAMMENFASSUNG
1
2.
EINLEITUNG
3
3.
BAUELEMENTDIMENSIONIERUNG
9
3.1.
ALAS/GAAS-BRAGGSPLEGEL
9
3.2.
RESONATOREN
15
3.3.
SCHWELLENSTROMVERHALTEN
VON
VCSELS
20
3.4.
EINFLUSS
VON
KORREKTUREN
24
4.
OPTIMIERUNG
DER
LATERAL
UND
VERTIKALSTRUKTUR
28
4.1.
WACHSTUM
28
4.1.1.
IN-SITU-WACHSTUMSKONTROLLE
29
4.1.2.
HOMOGENITAET
DER
GEWACHSENEN
SCHICHTEN
30
4.2.
HERSTELLUNG
DER
STROMSPERRSCHICHT
32
4.2.1.
TECHNOLOGISCHE
REALISIERUNG
DER
MEHRFACHEPITAXIE
32
4.2.2.
FACETTIERTES
WACHSTUM
37
4.3.
BAUELEMENTHERSTELLUNG
42
4.4.
BAUELEMENTOPTIMIERUNG
47
4.4.1.
EINFLUSS
DER
MODENLAGE
47
4.4.2.
VARIATION
DER
FRONTSPLEGELREFLEKTIVLTAET
50
5.
STATIONAERES
BETRIEBSVERHALTEN
57
5.1.
VCSELS
MIT
EINSEITIG
LATERALER
KONTAKTIERUNG
57
5.1.1.
OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN
59
5.1.1.1.
LASERDIODEN
MIT
INTEGRIERTER
STROMSPERRSCHICHT
59
5.1.1.2.
REFERENZDIODEN
OHNE
STROMSPERRSCHICHT
62
5.1.2.
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
63
5.1.3.
TEMPERATURVERHALTEN
66
5.1.4.
VARIATION
DER
BAUELEMENTEIGENSCHAFTEN
UEBER
DEN
WAFERRADIUS
68
II
INHALTSVERZEICHNIS
5.2.
VCSELS
MIT
ZWEISEITIG
LATERALER
KONTAKTIERUNG
70
5.2.1.
OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN
71
5.2.1.1.
LASERDIODEN
MIT
INTEGRIERTER
STROMSPERRSCHICHT
71
5.2.1.2.
LASERDIODEN
OHNE
STROMSPERRSCHICHT
73
5.2.2.
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
75
5.2.3.
THERMISCHE
EIGENSCHAFTEN
78
5.3.
VCSELS
MIT
NUR
2
QUANTENFILMEN
IN
DER
AKTIVEN
ZONE
81
5.3.1.
NEUER
MASKENSATZ
81
5.3.2.
DIODEN
MIT
APERTUREN
KLEINER
DEM
MESADURCHMESSER
83
5.3.3.
DIODEN
MIT
D
B)
=
D
0
ODER
D
BT
D
O
86
5.3.4.
VERKLEINERUNG
DER
2.
MESA
BEI
DIODEN
OHNE
SPERRSCHICHT
89
5.3.5.
HERSTELLUNG
VON
8X8
VCSEL-ARRAYS
91
5.4.
SPEKTRALES
VERHALTEN
92
5.4.1.
TRANSVERSALES
MODENVERHALTEN
92
5.4.2.
NAHFELD
97
5.4.3.
POLARISATION
99
5.4.4.
FERNFELD
102
5.4.5.
OPTISCHE
LINIENBREITE
103
6.
DYNAMISCHES
VERHALTEN
105
6.1.
RELATIVES
INTENSITAETSRAUSCHEN
(RIN)
105
6.2.
KLEINSIGNAL-MODULATIONSVERHALTEN
(AM)
107
7.
QUANTENPUNKT-MIKRORESONATOREN
111
7.1.
EINLEITUNG
111
7.2.
INAS-QUANTENPUNKTE
112
7.3.
MIKRORESONATOREN
115
7.3.1.
OPTISCH
ANGEREGTER
VERTIKALRESONATOR
116
7.3.2.
ELEKTRISCH
ANGEREGTER
VERTIKALRESONATOR
117
INHALTSVERZEICHNIS
III
8.
ANHANG
123
8.1.
BEZEICHNUNG
DER
KRISTALLRICHTUNGEN
123
8.2.
BESCHREIBUNG
DER
EPITAXIE-ANLAGE
124
8.3.
VERWENDETE
MESSAUFBAUTEN
126
8.3.1.
MESSAUFBAU
FUER
P-I-CHARAKTERISIERUNG
UND
SPEKTRALE
MESSUNGEN
126
8.3.2.
MESSAUFBAU
FUER
DYNAMISCHE
MESSUNGEN
127
8.4.
KURZBESCHREIBUNG
DES
NEUEN
MASKENSATZES
128
8.5.
PROZESSBESCHREIBUNGEN
129
8.5.1.
STRUKTURIERUNG
DER
SPERRSCHICHT
MIT
MEHRFACHEPITAXIE
129
8.5.2.
HERSTELLUNG
DER
LASERDIODEN
130
8.5.3.
STRUKTURAETZE
FUER
SPALTKANTEN
133
8.5.4.
SELEKTIVES
ABAETZEN
EINES
SPIEGELPAARES
133
8.6.
VERWENDETE
ABKUERZUNGEN
UND
SYMBOLE
134
9.
LITERATURVERZEICHNIS
139 |
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