Einfluß der Epitaxieschicht auf das DC-Verhalten des vertikalen Leistungs-DMOS-Transistors:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1997
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INHALTSVERZEICHNIS
LISTE
DER
VERWENDETEN
FORMELZEICHEN
III
PHYSIKALISCHE
KONSTANTEN
.
III
PHYSIKALISCHE
GROESSEN
.
III
1
EINLEITUNG
1
2
GRUNDLAGEN
3
2.1
GRUNDLEGENDE
GLEICHUNGEN
DER
HALBLEITERPHYSIK
UND
-MODELLIERUNG
.
3
2.2
DER
VERTIKALE
DMOS-TRANSISTOR
.
.
YY
.
5
3
NUMERISCHE
BAUELEMENT-SIMULATIONEN
15
3.1
STRUKTUR
DES
UNTERSUCHTEN
DMOS-TRANSISTORS
.
16
3.2
EINFLUSS
DER
EPITAXIESCHICHT
AUF
DIE
DC-KENNLINIEN
.
18
3.2.1
AUSGANGSKENNLINIEN
.
18
3.2.1.1
WIDERSTANDSBEREICH
.
19
3.2.1.2
SAETTIGUNGSBEREICH
.
22
3.2.1.3
QUASISAETTIGUNGSBEREICH
.
23
3.2.2
TRANSFER
KENNLINIEN
.
30
4
MODELLIERUNG
33
4.1
DER
N
+
I/-UEBERGANG
.
34
4.1.1
DER
N+T'-UEBERGANG
IM
THERMODYNAMISCHEN
GLEICHGE
WICHT
.
35
II
INHALTSVERZEICHNIS
4.1.2
DER
N
+
^-UEBERGANG
BEI
STROMFLUSS
.
36
4.1.2.1
VERHALTEN
BEI
KLEINEN
SPANNUNGEN
.
37
4.1.2.2
VERHALTEN
BEI
GROSSEN
SPANNUNGEN
.
37
4.2
MODELLIERUNG
DES
DRAIN-WIDERSTANDS
R
D
.
41
4.2.1
WIDERSTANDSBEREICH
.
42
4.2.1.1
AKKUMULATIONSWIDERSTAND
R
A
KKU
.
45
4.2.1.2
EPITAXIEWIDERSTAND
R
EP
J
.
48
4.2.1.3
SUBSTRATWIDERSTAND
R
SU
B
.
59
4.2.2
SAETTIGUNGSBEREICH
.
61
4.2.3
QUASISAETTIGUNGSBEREICH
.
61
4.2.4
VERKNUEPFUNG
DER
BEREICHE
.
66
4.2.5
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
VON
R
D
.
67
4.3
MOS-MODELLIERUNG
.
68
4.3.1
GRUNDGLEICHUNGEN
.
68
4.3.2
BERECHNUNG
DER
EFFEKTIVEN
KANALWEITE
W
E
FF
.
69
5
MESSUNGEN
71
5.1
UEBERSICHT
DER
UNTERSUCHTEN
STRUKTUREN
.
71
5.2
EINSCHALTWIDERSTAND
R
DS
OU
.
76
5.3
DC-KENNLINIENFELDER
.
82
5.3.1
MESSUNGEN
AM
SPITZENMESSPLATZ
.
82
5.3.2
MESSUNGEN
DES
MONTIERTEN
BAUELEMENTS
.
91
5.3.3
VERGLEICH
DER
MESSUNGEN
MIT
DER
DEVICE-SIMULATION
.
94
5.3.4
LOKALE
AUFHEIZUNG
WAEHREND
DES
PULSES
.
97
5.4
PARAMETERBESTIMMUNG
.
97
5.4.1
MOS-TEIL
.
97
5.4.2
DRAIN-WIDERSTAND
.
99
6
ZUSAMMENFASSUNG
103
LITERATURVERZEICHNIS
105 |
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