Mechanismen des selektiven Wachstums von Ga-In-As-P-Heterostrukturen für photonische Anwendungen:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
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1997
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
.
1
2
VORBETRACHTUNGEN
ZUR
SELEKTIVEN
EPITAXIE
.
4
2.1
METHODEN
DER
MONOLITHISCHEN
INTEGRATION
IN
DER
PHOTONIK
.
4
2.1.1
VERTIKALE
INTEGRATION
.
4
2.1.2
LATERALE
INTEGRATION
.
5
2.2
GALNASP-MATERIALSYSTEM
.
6
2.3
WACHSTUMSVERFAHREN
.
11
2.3.1
FESTSTOFFQUELLEN-MOLEKULARSTRAHLEPITAXIE
.
13
2.3.2
METALLORGANISCHER
WACHSTUMSPROZESS
.
15
2.4
OBERFLAECHENSELEKTIVES
WACHSTUM
DER
MOMBE
.
22
2.4.1
WACHSTUM
ABHAENGIG
VON
DER
KRISTALLOBERFLAECHE
.
23
2.4.2
LOKALES
WACHSTUM
.
30
2.4.3
FLAECHENSELEKTIVES
WACHSTUM
DER
LP-MOVPE
UND
MOMBE
.
35
3
AUFBAU
DES
MOMBE-SYSTEMS
.
37
3.1
ULTRAHOCHVAKUUMBEREICH
.
38
3.1.1
SCHLEUSE
UND
PARKSTATION
.
38
3.1.2
WACHSTUMSKAMMER
.
39
3.2
GASINJEKTIONSSYSTEM.
47
3.2.1
AUSGANGSVERBINDUNGEN
.
47
3.2.2
GASINJEKTOREN
.
48
3.2.3
GASLINIENAUFBAU
UND
FLUSSKONTROLLE
.
52
3.2.4
FLUSSKALIBRATION
.
56
3.2.5
SICHERHEITSASPEKTE
UND
ALARMSYSTEM
.
57
4
EXPERIMENTELLE
VORGEHENSWEISE
.
59
4.1
UEBERSICHT
DER
VERWENDETEN
SUBSTRATE
.
59
4.2
MASKIERUNG
UND
STRUKTURIERUNG
DER
PROBEN
.
61
4.2.1
MASKIERUNGS
UND
STRUKTURIERUNGSVORGANG.
61
4.2.2
MASKENGEOMETRIE
.
63
4.3
DURCHFUEHRUNG
DES
WACHSTUMS
.
65
4.4
SCHICHTSTRUKTUREN
.
67
4.5
CHARAKTERISIERUNG
.
68
4.5.1
LICHTMIKROSKOPIE
UND
RASTERELEKTRONENMIKROSKOPIE
.
68
4.5.2
ROENTGENDIFFRAKTOMETRIE
UND
PHOTOLUMINESZENZMESSUNGEN
.
69
5
SELEKTIV
ERHABENES
WACHSTUM
.
75
5.1
DEFINITION
DES
LATERALEN
WACHSTUMS
.
75
5.2
STEGPROFIL
UND
LATERALES
WACHSTUM
.
77
5.2.1
V/III-VERHAELTNIS.
77
5.2.2
WACHSTUMSTEMPERATUR.
79
5.2.3
FEHLORIENTIERUNG
DER
SUBSTRATOBERFLAECHE.
83
5.2.4
GRUPPE-III-MOLEKULARSTRAHLGEOMETRIE.
85
5.2.5
BREITE
DER
MASKENSTREIFEN
UND
BEDECKUNGSGRAD
DER
MASKE
.
88
5.3
ANISOTROPIE
DES
SELEKTIV
ERHABENEN
WACHSTUMS
.
90
5.3.1
OBERFLAECHENWELLE.
90
5.3.2
NEIGUNG
DER
STEGOBERFLAECHE.
99
5.3.3
ANISOTROPES
LATERALES
WACHSTUM.
102
5.3.4
SCHRAEGER
GRUPPE-V-MOLEKULARSTRAHLEINFALL
.
104
5.3.5
STUFENDICHTE
UND
STEGBREITE
.
111
5.3.6
PHOTOLUMINESZENZUNTERSUCHUNGEN
AN
DEN
QUATERNAEREN
SCHICHTEN
.
116
5.4
DISKUSSION
DER
ERGEBNISSE
DES
SELEKTIV
ERHABENEN
WACHSTUMS
.
123
5.4.1
MECHANISMEN
ZUM
KONTROLLIERTEN
WACHSTUM
DER
STEGPROFILE.
123
5.4.2
ANISOTROPE
OBERFLAECHENDIFIUSION
.
133
6
SELEKTIV
EINFUELLENDES
WACHSTUM
.
147
6.1
SELEKTIV
EINFLLLLENDES
WACHSTUM
IN
INP-SUBSTRATE
.
148
6.2
LATERALE
KOPPLUNGEN
VON
INP/GALNASP-HETEROSTRUKTUREN
.
151
6.3
DISKUSSION
DER
ERGEBNISSE
DES
SELEKTIV
EINFIILLENDEN
WACHSTUMS
.
163
7
ANWENDUNGEN
DES
SELEKTIVEN
WACHSTUMS
.
.
168
7.1
HERSTELLUNG
VERTIKALER
MEHRFACHQUANTENFILMSTRUKTUREN
.
168
7.2
KOPPLUNG
VON
SELEKTIV
ERHABEN
GEWACHSENEN
STEGEN
.
173
7.3
SELEKTIV
GEWACHSENE
LASERSTEGE
.
175
7.4
LASER-WELLENLEITER-INTEGRATION.
177
7.5
WELLENLEITER-WELLENLEITER-INTEGRATION.
181
7.5.1
HERSTELLUNG
DER
STREIFENWELLENLEITER
.
181
7.5.2
INTRINSISCHE
AUSBREITUNGSVERLUSTE
GEMESSEN
MIT
FABRY-PEROT-RESONANZEN.L83
7.5.3
BEISPIELE
ZUR
WELLENLEITER-WELLENLEITER-STOSSKOPPLUNG
.
184
7.5.4
KASKADEN
VON
STOSSKOPPLUNGEN.
186
7.5.5
BESTIMMUNG
DER
OPTISCHEN
VERLUSTE
AN
STOSSKOPPLUNGEN.
.
187
7.5.6
BEWERTUNG
DER
DATEN
DER
OPTISCHEN
VERLUSTE
.
189
8
ZUSAMMENFASSUNG
.
192
9
LITERATURVERZEICHNIS
.
194
LISTE
DER
VORVEROEFFENTLICHUNGEN |
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