Wachstum und Eigenschaften polykristalliner Siliziumschichten auf Glas:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
1997
|
Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
|
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
Beschreibung: | Zugl.: Stuttgart, Univ., Diss., 1997 |
Beschreibung: | X, 130 S. Ill., graph. Darst. |
ISBN: | 3826528417 |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV011504923 | ||
003 | DE-604 | ||
005 | 19971212 | ||
007 | t | ||
008 | 970811s1997 gw ad|| m||| 00||| ger d | ||
016 | 7 | |a 951105906 |2 DE-101 | |
020 | |a 3826528417 |c Pb. : DM 89.00, sfr 89.00, S 619.00 |9 3-8265-2841-7 | ||
035 | |a (OCoLC)75772678 | ||
035 | |a (DE-599)BVBBV011504923 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
041 | 0 | |a ger | |
044 | |a gw |c DE | ||
049 | |a DE-703 | ||
084 | |a UP 7570 |0 (DE-625)146436: |2 rvk | ||
100 | 1 | |a Kühnle, Jürgen |d 1968- |e Verfasser |0 (DE-588)115701664 |4 aut | |
245 | 1 | 0 | |a Wachstum und Eigenschaften polykristalliner Siliziumschichten auf Glas |c Jürgen Kühnle |
250 | |a Als Ms. gedr. | ||
264 | 1 | |a Aachen |b Shaker |c 1997 | |
300 | |a X, 130 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b n |2 rdamedia | ||
338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
490 | 0 | |a Berichte aus der Halbleitertechnik | |
500 | |a Zugl.: Stuttgart, Univ., Diss., 1997 | ||
650 | 0 | 7 | |a Amorpher Zustand |0 (DE-588)4306087-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Polykristall |0 (DE-588)4188261-1 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Dünne Schicht |0 (DE-588)4136925-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Substrat |g Mikroelektronik |0 (DE-588)4229622-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Schichtwachstum |0 (DE-588)4273432-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
689 | 0 | 0 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
689 | 0 | 1 | |a Polykristall |0 (DE-588)4188261-1 |D s |
689 | 0 | 2 | |a Dünne Schicht |0 (DE-588)4136925-7 |D s |
689 | 0 | 3 | |a Schichtwachstum |0 (DE-588)4273432-0 |D s |
689 | 0 | 4 | |a Substrat |g Mikroelektronik |0 (DE-588)4229622-5 |D s |
689 | 0 | 5 | |a Amorpher Zustand |0 (DE-588)4306087-0 |D s |
689 | 0 | |5 DE-604 | |
856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007742508&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
943 | 1 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007742508 |
Datensatz im Suchindex
_version_ | 1807501540425990144 |
---|---|
adam_text |
I
NHALTSVERZEICHNIS
ABKUERZUNGEN
UND
SYMBOLE.
.
III
ZUSAMMENFASSUNG
.
.VII
1
EINFUEHRUNG.
.
1
2
KRISTALLINE
SILIZIUMSCHICHTEN
FUER
DIE
PHOTOVOLTAIK
.
4
2.1
PRINZIPIELLER
AUFBAU
EINER
DUENNSCHICHT-SILIZIUM-SOLARZELLE
.
5
2.2
ANFORDERUNGEN
AN
KRISTALLISATIONS
UND
DEPOSITIONSVERFAHREN
FUER
POLYKRISTALLINES
SILIZIUM
.
8
2.3
SILIZIUMBAENDER
FUER
DIE
SOLARZELLENHERSTELLUNG
.
9
2.4
SILIZIUMSCHICHTEN
AUF
FREMDSUBSTRATEN
FUER
DIE
PHOTOVOLTAIK
.
15
2.4.1
REKRISTALLISATION
VON
AMORPHEM
ODER
FEINKRISTALLINEM
SILIZIUM
.
16
2.4.2
ABSCHEIDUNG
VON
KRISTALLINEM
SILIZIUM
.
17
2.5
BEURTEILUNG
DER
POTENTIALE
DER
VERFAHREN
.
20
3
EINFUEHRUNG
DER
ABSCHEIDETECHNIKEN
.
25
3.1
FLUESSIGPHASENEPITAXIE
.
26
3.2
CHEMISCHE
GASPHASENABSCHEIDUNG
BEI
HOHER
TEMPERATUR
UND
UNTER
ATMOSPHAERENDRUCK
.
29
3.3
LONENASSISTIERTES
AUFDAMPFEN
.
31
3.4
HEISSDRAHT
-
GASPHASENABSCHEIDUNG
.
33
4
ABSCHEIDEPROZESSE
FUER
POLYKRISTALLINE
SILIZIUMSCHICHTEN
.
36
4.1
DER
EINSTUFIGE
PROZESS
.
37
4.2
DER
ZWEISTUFIGE
PROZESS
.
38
4.3
HERSTELLUNG
VON
SAATSCHICHTEN
.
39
II
I
NHALTSVERZEICHNIS
4.3.1
FESTPHASENKRISTALLISATION
AMORPHER
SILIZIUMSCHICHTEN
AUS
DER
NIEDERDRUCK
GASPHASENABSCHEIDUNG
.
39
4.3.2
AL/SI
SAATSCHICHTEN
AUS
DER
LOESUNGSZUECHTUNG
.
40
5
EXPERIMENTELLE
ERGEBNISSE
DER
ABSCHEIDUNG
VON
POLYKRISTALLINEM
SILIZIUM
.
47
5.1
FLUESSIGPHASENEPITAXIE
(LPE)
.
47
5.1.1
DER
LPE
NIEDERTEMPERATURPROZESS
.
47
5.1.2
DER
LPE
HOCHTEMPERATURPROZESS
.
59
5.1.3
SOLARZELLEN
.
67
5.2
CHEMISCHE
GASPHASENABSCHEIDUNG
BEI
HOHER
TEMPERATUR
(HT-CVD)
.
69
5.3
LONENASSISTIERTES
AUFDAMPFEN
.
72
5.4
HEISSDRAHT-CVD
.
81
5.5
ZUSAMMENFASSUNG
DER
EXPERIMENTELLEN
ERGEBNISSE
.
87
6
WACHSTUMSMECHANISMEN
BEI
DER
DEPOSITION
VON
POLYKRISTALLINEM
SILIZIUM
AUF
GLAS.89
6.1
DIE
KRITISCHE
KEIMGROESSE
BEI
DER
HOMOEPITAXIE
AUF
FEINKRISTALLINEN
SCHICHTEN
.
89
6.2
ENTSTEHUNG
DER
SCHICHTMORPHOLOGIE
.
99
6.2.1
KORNGROESSEN
.
102
6.2.2
MORPHOLOGIE
DER
KOERNER
.
102
6.2.3
GRAEBEN
AN
KOMGRENZEN
.
103
6.2.4
ENTSTEHUNG
VON
VORZUGSORIENTIERUNGEN
.
104
6.3
EPITAKTISCHES
WACHSTUM
.
105
7
ZUSAMMENFASSENDER
VERGLEICH
DER
VIER
ABSCHEIDETECHNIKEN
UND
AUSBLICK
.108
LITERATURVERZEICHNIS
.
113
DANKSAGUNG
.
129
LEBENSLAUF.
.
131 |
any_adam_object | 1 |
author | Kühnle, Jürgen 1968- |
author_GND | (DE-588)115701664 |
author_facet | Kühnle, Jürgen 1968- |
author_role | aut |
author_sort | Kühnle, Jürgen 1968- |
author_variant | j k jk |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV011504923 |
classification_rvk | UP 7570 |
ctrlnum | (OCoLC)75772678 (DE-599)BVBBV011504923 |
discipline | Physik |
edition | Als Ms. gedr. |
format | Book |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00000nam a2200000 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV011504923</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">19971212</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">970811s1997 gw ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">951105906</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3826528417</subfield><subfield code="c">Pb. : DM 89.00, sfr 89.00, S 619.00</subfield><subfield code="9">3-8265-2841-7</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)75772678</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV011504923</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">DE</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-703</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UP 7570</subfield><subfield code="0">(DE-625)146436:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Kühnle, Jürgen</subfield><subfield code="d">1968-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)115701664</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Wachstum und Eigenschaften polykristalliner Siliziumschichten auf Glas</subfield><subfield code="c">Jürgen Kühnle</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Als Ms. gedr.</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Aachen</subfield><subfield code="b">Shaker</subfield><subfield code="c">1997</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">X, 130 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Berichte aus der Halbleitertechnik</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Stuttgart, Univ., Diss., 1997</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Amorpher Zustand</subfield><subfield code="0">(DE-588)4306087-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Polykristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4188261-1</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Dünne Schicht</subfield><subfield code="0">(DE-588)4136925-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Substrat</subfield><subfield code="g">Mikroelektronik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4229622-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Schichtwachstum</subfield><subfield code="0">(DE-588)4273432-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Polykristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4188261-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Dünne Schicht</subfield><subfield code="0">(DE-588)4136925-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Schichtwachstum</subfield><subfield code="0">(DE-588)4273432-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Substrat</subfield><subfield code="g">Mikroelektronik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4229622-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">Amorpher Zustand</subfield><subfield code="0">(DE-588)4306087-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007742508&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007742508</subfield></datafield></record></collection> |
genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
genre_facet | Hochschulschrift |
id | DE-604.BV011504923 |
illustrated | Illustrated |
indexdate | 2024-08-16T00:23:14Z |
institution | BVB |
isbn | 3826528417 |
language | German |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007742508 |
oclc_num | 75772678 |
open_access_boolean | |
owner | DE-703 |
owner_facet | DE-703 |
physical | X, 130 S. Ill., graph. Darst. |
publishDate | 1997 |
publishDateSearch | 1997 |
publishDateSort | 1997 |
publisher | Shaker |
record_format | marc |
series2 | Berichte aus der Halbleitertechnik |
spelling | Kühnle, Jürgen 1968- Verfasser (DE-588)115701664 aut Wachstum und Eigenschaften polykristalliner Siliziumschichten auf Glas Jürgen Kühnle Als Ms. gedr. Aachen Shaker 1997 X, 130 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Berichte aus der Halbleitertechnik Zugl.: Stuttgart, Univ., Diss., 1997 Amorpher Zustand (DE-588)4306087-0 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Polykristall (DE-588)4188261-1 gnd rswk-swf Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 gnd rswk-swf Substrat Mikroelektronik (DE-588)4229622-5 gnd rswk-swf Schichtwachstum (DE-588)4273432-0 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Silicium (DE-588)4077445-4 s Polykristall (DE-588)4188261-1 s Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 s Schichtwachstum (DE-588)4273432-0 s Substrat Mikroelektronik (DE-588)4229622-5 s Amorpher Zustand (DE-588)4306087-0 s DE-604 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007742508&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
spellingShingle | Kühnle, Jürgen 1968- Wachstum und Eigenschaften polykristalliner Siliziumschichten auf Glas Amorpher Zustand (DE-588)4306087-0 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Polykristall (DE-588)4188261-1 gnd Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 gnd Substrat Mikroelektronik (DE-588)4229622-5 gnd Schichtwachstum (DE-588)4273432-0 gnd |
subject_GND | (DE-588)4306087-0 (DE-588)4077445-4 (DE-588)4188261-1 (DE-588)4136925-7 (DE-588)4229622-5 (DE-588)4273432-0 (DE-588)4113937-9 |
title | Wachstum und Eigenschaften polykristalliner Siliziumschichten auf Glas |
title_auth | Wachstum und Eigenschaften polykristalliner Siliziumschichten auf Glas |
title_exact_search | Wachstum und Eigenschaften polykristalliner Siliziumschichten auf Glas |
title_full | Wachstum und Eigenschaften polykristalliner Siliziumschichten auf Glas Jürgen Kühnle |
title_fullStr | Wachstum und Eigenschaften polykristalliner Siliziumschichten auf Glas Jürgen Kühnle |
title_full_unstemmed | Wachstum und Eigenschaften polykristalliner Siliziumschichten auf Glas Jürgen Kühnle |
title_short | Wachstum und Eigenschaften polykristalliner Siliziumschichten auf Glas |
title_sort | wachstum und eigenschaften polykristalliner siliziumschichten auf glas |
topic | Amorpher Zustand (DE-588)4306087-0 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Polykristall (DE-588)4188261-1 gnd Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 gnd Substrat Mikroelektronik (DE-588)4229622-5 gnd Schichtwachstum (DE-588)4273432-0 gnd |
topic_facet | Amorpher Zustand Silicium Polykristall Dünne Schicht Substrat Mikroelektronik Schichtwachstum Hochschulschrift |
url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007742508&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
work_keys_str_mv | AT kuhnlejurgen wachstumundeigenschaftenpolykristallinersiliziumschichtenaufglas |