Strukturcharakterisierung mit Röntgenbeugung, Wachstum und In-situ-Oberflächenuntersuchungen von II-VI-Halbleiter-Heterostrukturen:
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Regensburg
Roderer
1997
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| Schriftenreihe: | Theorie und Forschung
488 |
| Schlagworte: | |
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| Beschreibung: | Zugl.: Regensburg, Univ., Diss., 1997 |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
2
STRUKTURELLE
EIGENSCHAFTEN
VON
HALBLEITER-HETEROSTRUKTUREN
5
2.1
KRISTALLSTRUKTUR
.
5
2.2
GITTERFEHLANPASSUNG
UND
VERSPANNUNG
.
6
2.3
RELAXATION
UND
VERSETZUNGEN
.
7
2.4
OBERFLAECHENREKONSTRUKTIONEN
.
9
3
OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN
11
3.1
DIELEKTRISCHE
FUNKTION
UND
BANDSTRUKTUR
.
11
3.2
REFLEXION
AN
EINEM
SCHICHTSYSTEM
.
YY YY.
-R~.
'
.
13
3.2.1
JONES-MATRIX
FORMALISMUS
.
13
3.2.2
ELLIPSOMETRIE
.
14
3.2.3
EFFEKTIVE
MEDIUM
NAEHERUNG
(EMA)
.
15
4
ROENTGENBEUGUNG:
GRUNDLAGEN
UND
MESSMETHODEN
17
4.1
KINEMATISCHE
BESCHREIBUNG
DER
ROENTGENBEUGUNG
.
17
4.2
TAKAGI-TAUPIN-THEORIE
UND
SIMULATION
DER
BEUGUNGSKURVEN
.
19
4.3
PRINZIP
DER
ROENTGENDIFFRAKTOMETRIE
.
20
4.3.1
MEFIAPPARATUR
.
21
4.3.2
AUFNAHME
VON
ROCKINGKURVEN
UND
'
AREA
SCANS
'
.
21
4.4
VERBREITERUNGSMECHANISMEN
.
23
4.5
BESTIMMUNG
DER
VERZERRUNG
UND
DER
GITTERKONSTANTE
.
24
4.6
UNTERSUCHUNG
DER
TIEFENABAENGIGKEIT
STRUKTURELLER
GROESSEN
.
25
5
EPITAXIE
UND
CHARAKTERISIERUNG
27
5.1
MOLEKULARSTRAHLEPITAXIE
(MBE)
.
27
5.1.1
AUFBAU
DER
EPITAXIEKAMMER
.
27
5.1.2
ELEKTRONENBEUGUNG
RHEED
.
29
II
5.1.3
WACHSTUMSMODELLE
UND
OBERFLAECHENPROZESSE
.
32
5.1.4
ATOMLAGENEPITAXIE
.
33
5.2
METALLORGANISCHE
DAMPFPHASENEPITAXIE
.
34
5.3
STRUKTURELLE
CHARAKTERISIERUNG
.
.
36
5.3.1
TEM
.
36
5.3.2
RBS
.
36
6
STRUKTURELLE
UNTERSUCHUNGEN
AN
HALBLEITERN
37
6.1
ZNSE
.
37
6.2
ZNI_XCDJ.SE
.
42
6.3
ZNSXSEI-X
.
46
6.4
ZNI-XMGXSE
.
52
6.5
GAN
UND
ALXGAI-XN
.
56
7
ROENTGENDIFLFRAKTION
AN
QUANTENTROEGEN
UND
UEBERGITTERN
58
7.1
REFLEXPROFIL
EINER
EINZELSCHICHT
.
.
.
.
59
7.2
QUANTENTROGSTRUKTUREN
.
60
7.3
UEBERGITTER
.
61
8
OPTISCHE
ANISOTROPIE:
GRUNDLAGEN
UND
MESSUNG
66
8.1
URSACHEN
DER
OPTISCHEN
ANISOTROPIE
.
67
8.1.1
OBERFLAECHENMORPHOLOGIE
.
68
8.1.2
OBERFLAECHENPOLARISIERBARKEIT
.
68
8.1.3
BANDSTRUKTUREFFEKTE
.
69
8.1.4
ELEKTRO-OPTISCHER
EFFEKT
.
71
8.2
TRENNUNG
VON
OBERFLAECHEN
UND
GRENZFLAECHENANISOTROPIE
.
72
8.3
MESSMETHODE
.
73
8.4
MESSAUFBAU
.
75
M
9
DIE
GAAS-OBERFLAECHE
78
9.1
OXIDIERTES
GAAS
.
78
9.2
SUBSTRATVORBEHANDLUNG
.
79
9.2.1
PRAEPARATION
IM
HOCHVAKUUM
(MBE)
.
79
9.2.2
THERMISCHE
DESOXIDATION
UNTER
H
2
-
UND
NJ-ATMOSPHAERE
(MOVPE)
.
83
9.3
DOTIEREFFEKTE
.
87
10
WACHSTUM
UND
RD-SPEKTROSKOPIE
88
10.1
ANWACHSPHASE
ZNSE/GAAS
.
88
10.2
STABILITAET
DER
OBERFLAECHEN
.
91
10.3
SCHICHTANISOTROPIE
.
92
10.3.1
GRENZFLAECHENANISOTROPIE
.
93
10.3.2
OBERFLAECHENANISOTROPIE
.
94
10.3.3
ZNTE
UND
CDTE-OBERFLAECHEN
.
96
10.4
ZNI-XCDXSE
.
98
10.5
ZNTE/GAAS
UND
ZNSE/ZNTE/ZNSE
.
99
10.6
MBE-WACHSTUM
AUF
GAAS(LLO)
UND
(111)
.
100
10.7
KINETISCHE
WACHSTUMSKONTROLLE
.
103
10.7.1
ATOMLAGENEPITAXIE
VON
QUANTENTROEGEN
.
103
10.7.2
WACHSTUMSRATE
UND
SCHICHTDICKE
.
105
10.8
MOVPE
UND
STICKSTOFFDOTIERUNG
.
107
11
ZUSAMMENFASSUNG
111
12
ANHANG
115
LITERATURVERZEICHNIS
119
PUBLIKATIONSLISTE
130 |
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