Anwendung der Remote-PECVD-Technologie zur gezielten Verringerung von Defekten in Oxiden auf Siliziumkarbid:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
1997
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
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| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1997 |
| Beschreibung: | 147 S. Ill., graph. Darst. |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINFUEHRUNG
17
2
GRUNDLAGEN
23
2.1
DAS
MATERIAL
SILIZIUMKARBID
.
23
2.2
HERSTELLUNG
VON
SILIZIUMKARBID
.
25
2.3
DAS
MODELL
VON
DEAL
UND
GROVE
.
28
2.4
BAUELEMENTE
AUF
SIC
.
30
2.5
IDEALE
MOS-KAPAZITAET
.
32
2.5.1
ZUSTAENDE
DER
IDEALEN
MOS-KAPAZITAET
.
33
2.6
DEFEKTE
IM
MOS-SYSTEM
.
36
3
PROZESSECHNIKEN
43
3.1
THERMISCHE
OXIDATION
.
43
3.2
DEPOSITIONSPROZESSE
.
44
3.3
P
EC
VD-VERFAHREN
.
45
3.3.1
KONVENTIONELLER
PECVD-PROZESS
.
46
3.3.2
REMOTE-PECVD-VERFAHREN
.
47
3.4
HERSTELLUNG
DER
MOS-KAPAZITAETEN
.
49
3.4.1
PROBENREINIGUNG
.
49
3.4.2
OXIDHERSTELLUNG:
PDP
+
RPECVD
.
50
3.4.3
NACHBEHANDLUNG
(TEMPERUNG)
.
50
3.4.4
HERSTELLUNG
DER
KONTAKTE
FUER
DIE
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
DER
PROBEN
.
51
3.5
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
DER
PROBEN
.
52
3.5.1
HOCHFREQUENZ-CV-MESSUNG
.
52
3.5.2
QUASISTATISCHE
CV-MESSUNG
.
53
3.5.3
STROM-SPANNUNGS-MESSUNG
.
54
3.6
BESTIMMUNG
DER
OXIDDICKE
.
55
4
GRENZEN
DER
THERMISCHEN
OXIDATION
57
4.1
OXIDWACHSTUM
IN
VERSEH.
KRISTALLRICHTUNGEN
.
58
4.2
FOLGERUNGEN
FUER
DIE
GATE-OXID-HERSTELLUNG
.
67
5
AUFBAU
UND
CHARAKTERISIERUNG
69
5.1
AUFBAU
DER
RPECVD-ANLAGE
.
69
5.2
CHARAKTERISIERUNG
DES
SYSTEMS
.
71
5.2.1
WAHL
DES
GASES
FUER
DIE
OBERFLAECHENVORBEHANDLUNG
.
72
5.2.2
ROLLE
DER
TEMPERUNG
.
74
5.2.3
QUALITAET
DER
NACH
DEM
STANDARDPROZESS
HERGESTELLTEN
OXIDE
.
.
76
5.2.4
ABSCHLIESSENDE
BEURTEILUNG
DES
QUALITAETSSTAUDARDS
DER
ICP
ANLAGE
.
80
6
DEPONIERTE
OXIDE
AUF
N-SIC
83
6.1
EINFLUSS
VERSCHIEDENER
PROZESSGASE
AUF
DIE
OXIDQUALITAET
.
83
6.2
EINFLUSS
DER
SUBSTRATTEMPERATUR
.
87
6.3
NACHBEHANDLUNG
(TEMPERN)
.
91
6.3.1
EINFLUSS
DER
TEMPERZEIT
.
91
6.3.2
EINFLUSS
VERSCHIEDENER
TEMPERGASE
.
93
6.4
IN-SITU-AES
WAEHREND
DES
WACHSTUMS
.
94
6.5
TEMPERUNG
NACH
DER
METALLISIERUNG
.
99
7
SPEZ.
PROBLEME
BEI
P-SIC
103
7.1
ANWENDUNG
DES
ENTWICKELTEN
PROZESSES
.
103
7.2
ROLLE
DER
TEMPERUNG
.
106
7.3
WEITERE
SCHRITTE
ZUR
DEFEKTREDUKTION
.
109
8
ZUSAMMENFASSUNG
115
9
AUSBLICK
119
A
FORMELZEICHEN
UND
ABKUERZUNGEN
137
B
TECHNOLOGISCHE
SCHRITTE
141
B.L
SAEUREN
UND
LOESUNGEN
.
141
B.1.1
STANDARDREINIGUNG
.
141
B.2
OFENPROZESSE
.
142
B.2.1
AETZEN
.
142 |
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