Rastertunnelmikroskopie an dünnen Nickelfilmen auf Rhenium, mit Argon beschossenem Kupfer und Sauerstoff auf Kupfer:
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1996
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INHALTSVERZEICHNIS
1.
EINLEITUNG
1
2.
THEORIE
5
2.1
THERMODYNAMIK
6
2.1.1
DER
EINFLUSS
VON
STUFEN
AUF
DIE
OBERFLAECHENSPANNUNG
7
2.2
RATENGLEICHUNGEN
8
2.2.1
DER
EINFLUSS
VON
STUFEN
12
2.3
HETEROEPITAXIE
13
2.3.1
PSEUDOMORPHES
WACHSTUM
14
2.3.2
VERSETZUNGSNETZWERKE
14
2.3.3
EIN
QUANTITATIVES
MODELL
ZUR
BESCHREIBUNG
VON
VERSETZUNGSNETZWERKEN
15
2.4
GENAUERE
BETRACHTUNG
DER
DIFFUSION;
EINFLUSS
AUF
INSELFORM
UND
WACHSTUM
16
2.5
WEITERES
WACHSTUM,
DICKE
SCHICHTEN
17
2.6
DIE
(11
1)-OBERFLAECHE
18
2.7
INSELFONN
UND
WACHSTUM
20
3.
APPARATIVES
22
3.1
PRAEPARATIONSTEIL
22
3.2
PROBENHALTER
24
3.3
PUMPEN
25
3.4
DAS
MIKROSKOP
25
3.4.1
GRUNDLAGEN
DER
RASTERTUNNELMIKROSKOPIE
26
3.4.2
AUSFUEHRUNG
27
4.
NICKEL
AUF
RHENIUM
28
4.1
DIE
SUBMONOLAGE
29
4.2
DIE
ZWEITE
UND
DRITTE
LAGE
32
4.3
WEITERES
WACHSTUM
35
4.4
HEIZEN
38
4.5
MORPHOLOGIE
UND
MAGNETISMUS
40
5.
DIE
GESPUTTERTE
CU(100)-OBERFLAECHE
44
5.1
PRAEPARATION
DER
CU(100)-OBERFLAECHE
44
5.2
DIE
MIT
3KEV
UND
IKEV
GESPUTTERTE
OBERFLAECHE
46
5.3
DIE
MIT
400EV
GESPUTTERTE
OBERFLAECHE
48
6.
SAUERSTOFF
AUF
KUPFER
59
6.1
EINLEITUNG
O/CU(
100)
59
6.2.1
RAUMTEMPERATUR,
DOSIERUNG:
10L
60
6.2.2
RAUMTEMPERATUR,
DOSIERUNG:
200L
61
6.2.3
RAUMTEMPERATUR,
DOSIERUNG:
400L
61
6.2.4
TEMPERATUR.
370K,
DOSIERUNG:
300L
63
6.2.5
TEMPERATUR:
570K,
DOSIERUNG:
800L
64
7.
ZUSAMMENFASSUNG
67
ANHANG
A
70
ANHANG
B
71
LITERATURVERZEICHNIS
72
VEROEFFENTLICHUNGEN
77
DANKSAGUNG
78
LEBENSLAUF
79
NACHWORT
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