Selektiv oxidierte oberflächenemittierende GaAs-Potentialtopflaser:
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1996
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
2
GRUNDLAGEN
UND
KONZEPT
6
2.1
GRUNDLAGEN
OBERFLAECHENEMITTIERENDER
LASER
6
2.1.1
LASERRESONATOR
6
2.1.2
BRAGGREFLEKTOREN
9
2.1.3
EFFEKTIVE
RESONATORLAENGE
UND
FINESSE
11
2.1.4
BILANZGLEICHUNGEN
13
2.2
AUFBAU
VON
VERTIKALRESONATORIASEM
14
2.3
STRUKTURKONZEPT
17
3
MODELLIERUNG
UND
DIMENSIONIERUNG
20
3.1
REFLEXIONSFAKTOREN
21
3.2
LONGITUDINALE
FELDVERTEILUNG
24
3.3
OPTIMIERUNG
DER
AKTIVEN
ZONE
27
3.4
TECHNOLOGIETOLERANZEN
28
3.5
RADIALE
WELLENFUHRUNG
30
4
HERSTELLUNG
33
4.1
PROZESSABFOLGE
33
4.2
VERTIKALE
STRUKTURIERUNG
36
4.2.1
MOLEKULARSTRAHLEPITAXIE
(MBE)
36
4.2.2
REAKTIVE
HOCHFREQUENZKATHODENZERSTAEUBUNG
41
4.3
LATERALE
STRUKTURIERUNG
46
4.3.1
PHOTOLITHOGRAPHIE
46
4.3.2
SELEKTIVES
NASSCHEMISCHES
AETZEN
47
4.3.3
SELEKTIVE
OXIDATION
49
4.4
METALLISIERUNG
54
5
GEMESSENE
BAUELEMENTEIGENSCHAFTEN
56
5.1
STATIONAERE
EIGENSCHAFTEN
56
5.1.1
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
57
5.1.2
AUSGANGSKENNLINIEN
58
5.1.3
THERMISCHE
EIGENSCHAFTEN
63
5.1.4
EMISSIONSVERHALTEN
66
5.2
DYNAMISCHE
EIGENSCHAFTEN
72
5.2.1
RESONANZFREQUENZ
73
5.2.2
AM-UEBERTRAGUNGSFIMKTION
75
6
ZUSAMMENFASSUNG
77
7
ANHANG
79
8
LISTE
DER
VERWENDETEN
FORMELZEICHEN
82
9
LITERATUR
85 |
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