Ein physikalisch begründetes SOI-Transistormodell für die Schaltungssimulation:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Seitz, Stefan (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: München 1997
Schlagworte:
Beschreibung:München, Techn. Univ., Diss., 1997
Beschreibung:X, 197 S. graph. Darst.

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