SiC-Polytypen: Grundzustandseigenschaften, bandkantennahe Zustände und Ionizität
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
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1997
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INHALTSVERZEICHNIS
EINLEITUNG
1
1
AUFBAU
UND
SYMMETRIE
VON
SIC-POLYTYPEN
5
1.1
KRISTALLSTRUKTUR
UND
NOMENKLATUR
.
5
1.2
ELEMENTARZELLEN
.
7
1.3
BRILLOUIN-ZONEN
.
10
1.4
HEXAGONALITAETSPARAMETER
H
.
12
2
THEORETISCHE
KONZEPTE
14
2.1
DICHTEFUNKTIONALTHEORIE
.
14
2.1.1
HOHENBERG-KOHN-THEOREM
.
14
2.1.2
KOHN-SHAM-GLEICHUNGEN
.
15
2.1.3
LOKALE
DICHTENAEHERUNG
.
17
2.1.4
DICHTEFUNKTIONALTHEORIE
UND
GW-NAEHERUNG
.
18
2.1.5
DICHTEFUNKTIONAL-STOERUNGSTHEORIE
.
19
2.1.5.1
DYNAMISCHE
MATRIX
.
21
2.1.5.2
POLARE
MATERIALIEN
.
22
2.1.6
ENTWICKLUNG
NACH
EBENEN
WELLEN
.
23
2.1.7
PSEUDOPOTENTIALE
.
23
2.2
LONIZITAET
.
25
2.2.1
STATISCHE
LONIZITAET
.
26
2.2.2
DYNAMISCHE
LONIZITAET
.
27
2.3
BESCHREIBUNG
BANDKANTENNAHER
ZUSTAENDE
.
29
2.3.1
LEITUNGSBAENDER
.
29
2.3.2
VALENZBAND:
INVARIANTENTHEORIE
.
30
2.4
BERECHNUNG
DER
LADUNGSTRAEGERKONZENTRATIONEN
.
35
3
GRUNDZUSTANDSEIGENSCHAFTEN
39
3.1
STRUKTURELLE
EIGENSCHAFTEN
.
39
3.1.1
TECHNISCHE
DETAILS
.
40
3.1.2
GLEICHGEWICHTSGITTERKONSTANTEN
.
41
3.1.3
ATOMARE
RELAXATIONEN
.
42
II
INHALTSVERZEICHNIS
3.2
GRUNDZUSTANDSENERGIEN
UND
POLYTYPISMUS
.
43
3.2.1
THEORETISCHE
MODELLE
ZUM
POLYTYPISMUS
.
43
3.2.2
VERGLEICH
DER
GRUNDZUSTANDSENERGIEN
.
44
4
ELEKTRONISCHE
ZUSTAENDE
IN
SIC
47
4.1
EINFUEHRUNG
.
47
4.2
GLOBALE
BANDSTRUKTUR
VON
2H-,
3C-,
4H-,
6H
UND
15R-SIC
.
47
4.3
BANDKANTENNAHE
ZUSTAENDE:
LEITUNGSBAENDER
.
51
4.3.1
2H-,
30-,
4H-,
6H
UND
15R-SIC
.
51
4.3.2
LEITUNGSBAND-ZUSTANDSDICHTE
VON
4H
UND
6H-SIC
.
56
4.4
BANDKANTENNAHE
ZUSTAENDE:
VALENZBAENDER
.
59
4.4.1
KRISTALLFELDAUFSPALTUNG
.
59
4.4.2
3C-SIC
.
60
4.4.3
2H-,
4H-UND
6H-SIC
.
61
4.4.4
VALENZBAND-ZUSTANDSDICHTE
HEXAGONALER
POLYTYPEN
.
64
4.5
DRUCKKOEFFIZIENT
DER
ENERGIELUECKE
.
65
4.6
LADUNGSTRAEGERKONZENTRATIONEN
IN
4H
UND
6H-SIC
.
67
4.6.1
EFFEKTIVE
THERMISCHE
ZUSTANDSDICHTEMASSEN
.
67
4.6.2
INTRINSISCHER
HALBLEITER
.
69
4.6.3
DOTIERTER
HALBLEITER
.
72
4.6.3.1
P-HALBLEITER
.
72
4.6.3.2
N-HALBLEITER
.
74
4.6.4
NACHWEISMETHODE
FUER
DAS
CAMEL
'
S
BACK
IN
6H-SIC
.
78
5
LONIZITAET
80
5.1
STATISCHE
UND
DYNAMISCHE
LONIZITAET
DES
GRUNDZUSTANDS
.
80
5.2
LONIZITAET
UND
POLYTYPISMUS
.
83
5.3
DRUCKUNTERSUCHUNGEN
DER
LONIZITAET
.
84
5.3.1
STATISCHE
UND
DYNAMISCHE
LONIZITAET
UNTER
DRUCK
.
84
5.3.2
VERGLEICH
MIT
DEM
EXPERIMENT
.
85
5.4
URSACHE
DES
ANSTIEGS
DER
LONIZITAET
UNTER
DRUCK
.
88
ZUSAMMENFASSUNG
91
ANHANG
93
A
VERTEILUNGSFUNKTION
FUER
ENTARTETE
NIVEAUS
93
B
K-RAUM-SUMMATION
95
C
SI-,
SIGE
UND
GAAS-MODIFIKATIONEN
98
LITERATURVERZEICHNIS
99
INHALTSVERZEICHNIS
D
ANK
PUBLIKATIONSLISTE
III
109
111 |
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