Emitter-Basis-Dotierstoffprofile für Höchstfrequenz-Silizium-Bipolartransistoren:
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1996
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INHALTSVERZEICHNIS
I
INHALTSVERZEICHNIS
VERZEICHNIS DER SYMBOLE III
VERZEICHNIS DER ABBILDUNGEN UND TABELLEN VII
1. EINLEITUNG 1
2. ZWEIDIMENSIONALE EFFEKTE UND IHRE MODELLIERUNG 5
2.1 VERTIKALE UND LATERALE SKALIERUNG SELBSTJUSTIERTER
BIPOLARTRANSISTOREN 6
2.2 DER "NARROW EMITTER" EFFEKT 11
2.3 DAS KONZEPT DER BASISLADUNG 14
2.4 RAND-FLAECHEN-AUFTEILUNGEN 21
2.5 GEOMETRIEABHAENGIGKEIT DER TRANSITFREQUENZ 26
3. IN-SITU DOTIERTES POLYSILIZIUM 31
3.1 ANFORDERUNGEN AN EIN EMITTER-POLYSILIZIUM 32
3.2 SCHICHTHERSTELLUNG 35
3.3 INTEGRATION IN TRANSISTORKONZEPTE 37
3.4 EINSTELLUNG DER STROMVERSTAERKUNG 42
3.5 CHARAKTERISIERUNG DER POLYSILIZIUMSCHICHT 44
3.6 EINFLUSS AUF DEN EMITTERWIDERSTAND 52
4. EMITTER FUER SUB-PM BIPOLARTRANSISTOREN 55
4.1 EINFLUSS DER IN-SITU DOTIERUNG 56
4.2 ZWEIDIMENSIONALE MODELLIERUNG 58
4.3 EINFLUSS DER SPACERFORM 59
4.4 OPTIMIERUNG DER SPACERBREITE 62
4.5 GEOMETRIEABHAENGIGKEIT DER TRANSITZEIT 67
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
HTTP://D-NB.INFO/950076767
INHALTSVERZEICHNIS
U
5. BASISPROFILE FUER HOECHSTFREQUENZ-BIPOLARTRANSISTOREN 73
5.1 IDEALE FORM DES DOTIERSTOFFPROFILS 74
5.2 MOEGLICHKEITEN DER REALISIERUNG 78
5.3 ANOMALE DIFFUSION 82
5.4 DIFFUNDIERTE PROFILE AUS IMPLANTIERTEN DIFFUSIONSQUELLEN 84
5.5 HERSTELLUNG OPTIMIERTER BASISPROFILE 88
6. KOMBINATION VON LATERALER UND VERTIKALER SKALIERUNG 95
6.1 TRANSISTORHERSTELLUNG 96
6.2 TRANSFER-UND AUSGANGSKENNLINIEN 100
6.3 BASISWIDERSTAND, KAPAZITAETEN UND DURCHBRUCHSCHARAKTERISTIKEN 103
6.4 TRANSITFREQUENZ 113
6.5 MAXIMALE OSZILLATIONSFREQUENZ 115
6.6 RAUSCH VERHALTEN 115
6.7 VERGLEICH MIT ANDEREN TECHNOLOGIEN 119
7. ANWENDUNGEN 125
7.1 RINGOSZILLATOREN 126
7.2 AUFBAU OPTOELEKTRONISCHER UEBERTRAGUNGSSYSTEME 128
7.3 STATISCHER FREQUENZTEILER 130
7.4 MULTIPLEXER UND DEMULTIPLEXER 133
7.5 EXKLUSIV-ODER GATTER 137
8. ZUSAMMENFASSUNG 141
LITERATURVERZEICHNIS 145
DANK
155 |
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