Ein Beitrag zur thermischen Nachbehandlung von semiisolierenden LEC-GaAs-Einkristallen und -Scheiben:
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Format: | Buch |
Sprache: | German |
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1996
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INHALT
1.
EINLEITUNG
1
2.
MOTIVATION
3
2.1
THERMODYNAMISCHE
UND
KINETISCHE
GRUNDLAGEN
ZUM
TEMPERN
3
2.1.1
GAAS-PHASENDIAGRAMME
3
2.1.2
KEIMBILDUNG
7
2.1.3
DEFEKTBILDUNG
10
2.1.4
SPEZIFIKATION
DER
GAAS-KRISTALLE
14
2.1.5
SUBSTRATEIGENSCHAFTEN
UND
DEREN
EINFLUSS
AUF
DIE
BAUELEMENTEPARAMETER
15
2.1.6
GROESSENMASSSTAB
DER
INHOMOGENITAETEN
17
2.2
KENNTNISSTAND
ZUM
TEMPERN
18
2.2.1
KRISTALLTEMPEM
18
2.2.2
SCHEIBENTEMPERN
23
2.3
AUSGANGSPUNKT
UND
GLIEDERUNG
DER
ARBEIT
24
3.
METHODOLOGIE
27
3.1
CHARAKTERISIERUNG
ZUR
BEWERTUNG
DER
MESOSKOPISCHEN
HOMOGENITAET
UND
DEREN
YYVERTEILUNG
"
UEBER
DEM
WAFER
27
3.1.1
PHOTOLUMINESZENZ
27
3.1.2
PUNKTKONTAKTSTROM-MESSUNG
29
3.1.3
IR-ABSORPTIONSMESSUNG
ZUR
EL2-KONZENTRATIONSBESTIMMUNG
30
3.1.4
DSL-PHOTOAETZUNG
32
3.1.5
LASER-SCATTENNG-TOMOGRAPHIE
33
3.2
CHARAKTERISIERUNG
ZUR
BEWERTUNG
DER
MAKROSKOPISCHEN
HOMOGENITAET
34
3.2.1
VAN
DER
PAUW
/
HALL-MESSUNGEN
34
3.2.2
ORTSAUFGELOESTE
BESTIMMUNG
DES
SPEZ.
WIDERSTANDES
(TDCM)
36
3.2.3
SPANNUNGSOPTISCHE
UNTERSUCHUNGEN
36
3.2.4
SURFSCAN-UNTERSUCHUNGEN
36
3.2.5
BESTIMMMUNG
DER
VERSETZUNGSDICHTE
37
3.3
TEMPERTECHNOLOGIE
37
3.3.1
TEMPERPROZESS
37
3.3.2
AMPULLENPRAEPARATION
39
3.3.3
ETABLIERUNG
DES
AS-DAMPFDRUCK
IN
DER
TEMPERAMPULLE
39
3.3.4
TEMPERATURVERTEILUNG
IN
GAAS-KRISTALLEN
BEI
ERHOEHTEN
ABKUEHLRATEN
40
4.
ENTWICKLUNGSAUSGANGSPUNKT
-
DAS
EINSTUFIGE
KRISTALLTEMPERREGIME
42
4.1
MAKROSKOPISCHE
HOMOGENITAET
42
4.1.1
VERSETZUNGSVERTEILUNG
42
4.1.2
WIDERSTANDSVERTEILUNG
44
4.1.3
HALL-BEWEGLICHKEIT
49
4.1.4
EL2-KONZENTRATIONSVERTEILUNG
49
4.1.5
SPANNUNGSOPTISCHE
VERTEILUNG
50
4.1.6
DISKUSSION
ZUR
MAKROSKOPISCHEN
HOMOGENITAET
51
4.2
MESOSKOPISCHE
HOMOGENITAET
53
4.2.1
EL2-KONZENTRATIONSVERTEILUNG
53
4.2.2
PUNKTKONTAKTSTROM
55
4.2.3
DSL-AETZUNG
56
4.2.4
VERTEILUNG
DER
AS-AUSSCHEIDUNGEN
57
4.2.5
PL-VERTEILUNG
58
4.2.6
DISKUSSION
ZUR
MESOSKOPISCHEN
HOMOGENITAET
63
4.3
ZUSAMMENFASSUNG
DES
EINSTUFIGEN
KRISTALLTEMPERREGIMES
67
4.4
TIEFTEMPERATURTEMPERUNG
68
4.4.1
ERGEBNISSE
68
4.4.2
DISKUSSION
ZUR
WIDERSTANDSERNIEDRIGUNG
DURCH
DIE
T-TEMPERUNG
70
4.4.3
ZUSAMMENFASSUNG
DER
TIEFTEMPERATURTEMPERUNG
72
5.
MEHRSTUFIGE
KRISTALLTEMPERUNG
5.1
PARAMETERWAHL
DES
MEHRSTUFIGEN
HOCH-MITTEL
(HM)-TEMPERREGIME
73
5.2
STANDARD
HM-TEMPERUNG
74
5.2.1
AS-UMVERTEILUNG
74
5.2.2
DISKUSSION
ZUR
AS-UMVERTEILUNG
81
5.2.3
MESOSKOPISCHE
HOMOGENITAETSVERTEILUNG
DER
ELEKTRISCHEN
UND
OPTISCHEN
EIGENSCHAFTEN
85
5.2.4
DISKUSSION
DER
ERGEBNISSE
NACH
DER
STANDARD
HM-TEMPERUNG
96
5.3
HM-TEMPERUNG
MIT
ERHOEHTER
ABKUEHLRATE
98
5.3.1
MATRIXPRAEZIPITATVERTEILUNG
IN
ABHAENGIGKEIT
VON
DER
ABKUEHLRATE
98
5.3.2
DISKUSSION
ZUR
AS-VERTEILUNG
NACH
DER
HM-TEMPERUNG
MIT
ERHOEHTER
ABKUEHLRATE
101
5.3.3
MESOSKOPISCHE
HOMOGENITAET
IN
ABHAENGIGKEIT
VON
DER
ABKUEHLRATE
103
5.3.4
ZUSAMMENFASSUNG
DER
HM-TEMPERUNG
MIT
ERHOEHTER
ABKUEHLRATE
107
5.4
HM-TEMPERUNG
MIT
VERLAENGERTER
HOCHTEMPERATURPHASE
107
5.4.1
MATRIXPRAEZIPITATVERTEILUNG
107
5.4.2
DISKUSSION
ZUR
AS-VERTEILUNG
NACH
DER
HM-TEMPERUNG
MIT
VERLAENGERTER
HOCHTEMPERATURPHASE
110
5.4.3
SCHNELLE
AS-DIFFUSION
IM
GAAS
112
5.4.4.
MESOSKOPISCHE
UND
MAKROSKOPISCHE
HOMOGENITAET
NACH
DER
HM-TEMPERUNG
115
MIT
VERLAENGERTER
HOCHTEMPERATURPHASE
5.5.
HM-TEMPERUNG
MIT
ERHOEHTER M-TEMPERATUR
117
5.5.1
MATRIXPRAEZIPITATVERTEILUNG
117
5.5.2
DISKUSSION
ZUR
ERHOEHUNG
DER
M-TEMPERATUR
119
5.6
ZUSAMMENFASSUNG
DER
MEHRSTUFIGEN
KRISTALLTEMPERUNG
120
6.
SCHEIBENTEMPERUNG
121
6.1
BESTIMMUNG
DER
AS-UEBERSCHUSSKONZENTRATION
IM
LEC-GAAS
122
6.1.1
EXPERIMENTELLE
DURCHFUEHRUNG
DER
SCHEIBENTEMPERUNG
123
X
C
M
CO
M*
ID
C
O
V
C
M
R
C
M
C
O
C
M
C
M
C
M
C
M
CM
C
M
COCOCO
M
M
M
M
ID
.
,
C
M
C
O
CO
CO
CO
CO
CO
CD
CD
CD
CD
CD
CD
CD
CD
CD
R*
OO
OO
CD
CD
6.2
UNTERSUCHUNGEN
ZUM
EINFLUSS
DES
AS-DAMPFDRUCKES
BEIM
SCHEIBENTEMPERPROZESS
124
EXPERIMENTELLE
ERGEBNISSE
124
DISKUSSION
ZUR
AS-EXTRAKTION
IN
ABHAENGIGKEIT
VOM
AS-DAMPFDRUCK
127
REVERSIBLE
AS-EIN
UND
AUSDIFFUSION
129
EL2-KONZENTRATION
IN
ABHAENGIGKEIT
VON
DER
AS-EXTRAKTION
130
ERHOEHTE
AS-DIFFUSION
BEIM
SCHEIBENTEMPERN
131
ZUSAMMENFASSUNG
DER
ERGEBNISSE
ZUR
AS-EXTRAKTION
132
SCHEIBENTEMPERUNG
MIT
ERHOEHTER
ABKUEHLRATE
133
EXPERIMENTELLE
ERGEBNISSE
133
DISKUSSION
ZUR
ERHOEHTEN
ABKUEHLRATE
BEIM
SCHEIBENTEMPEM
134
EINFLUSS
DER
AS-EXTRAKTION
FUER
DIE
ELEKTRISCHEN
UND
OPTISCHEN
EIGENSCHAFTEN
135
ERHOEHUNG
DES
SPEZ.
ELEKTRISCHEN
WIDERSTANDES
DURCH
AS-EXTRAKTION
135
MESOSKOPISCHE
HOMOGENITAETSEIGENSCHAFTEN
137
DISKUSSION
ZUR
MESOSKOPISCHEN
HOMOGENITAET
141
ZUSAMMENFASSUNG
ZUM
SCHEIBENTEMPERN
144
ZUSAMMENFASSUNG
145
ANHANG
148
LITERATURVERZEICHNIS
148
DANKSAGUNG
154
LEBENSLAUF
155 |
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