Herstellung und Charakterisierung von Einzelelektronentransistoren:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
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1996
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
11
2
GRUNDLAGEN
17
2.1
NIEDRIGDIMENSIONALE
ELEKTRONENSYSTEME
.
17
2.1.1
QUANTENPUNKTE
UND
NULLDIMENSIONALE
SYSTEME
.
18
2.1.2
QUANTENDRAEHTE
UND
EINDIMENSIONALE
ELEKTRONENGASE
.
.
19
2.1.3
QUANTENFILME
UND
ZWEIDIMENSIONALE
ELEKTRONENGASE
.
.
19
2.1.4
DOPPELQUANTENFILME
UND
GEKOPPELTE
ELEKTRONENGASE
.
.
22
2.2
REALISIERUNG
NIEDRIGDIMENSIONALER
VERBINDUNGSHALBLEITERSTRUKTUR
EN
.
24
2.2.1
KRISTALLSTRUKTUR
VON
VERBINDUNGSHALBLEITERN
.
25
2.2.2
MOLEKULARSTRAHLEPITAXIE
.
27
2.2.3
OBERFLAECHENSELEKTIVITAET
DES
EPITAKTISCHEN
WACHSTUMS
.
28
2.2.4
EPITAKTISCHES
WACHSTUM
VON
QUANTENFILMEN
.
29
2.2.5
DIREKTES
WACHSTUM
VON
QUANTENDRAEHTEN
UND
-PUNKTEN
32
2.2.6
EPITAKTISCHES
WACHSTUM
AUF
STRUKTURIERTEN
SUBSTRATEN
33
2.2.7
QUANTENDRAEHTE
UND
-PUNKTE
DURCH
DIE
STRUKTURIERUNG
VON
QUANTENFILMEN
.
39
4
INHALTSVERZEICHNIS
2.3
TRANSISTOREN
NIEDRIGDIMENSIONALER
ELEKTRONENSYSTEME
.
41
2.3.1
DER
IN-PLANE-GATE-TRANSISTOR
.
42
2.3.1.1
AUFBAU
.
42
2.3.1.2
FUNKTIONSPRINZIP
.
42
2.3.1.3
KENNLINIE
EINES
IN-PLANE-GATE-TRANSISTORS
.
.
44
2.3.2
DER
EINZELELEKTRONENTRANSISTOR
.
45
2.3.2.1
AUFBAU
.
45
2.3.2.2
FUNKTIONSPRINZIP
.
45
2.3.2.3
KENNLINIE
EINES
EINZELELEKTRONENTRANSISTORS
.
.
49
2.4
TRANSPORTMESSUNGEN
NIEDRIGDIMENSIONALER
STRUKTUREN
.
54
2.4.1
REALISIERUNG
TIEFER
TEMPERATUREN
.
54
2.4.2
MAGNETOTRANSPORTMESSUNGEN
.
55
2.4.3
MESSUNG
VON
EINZELELEKTRONENEFFEKTEN
.
57
3
DIREKTES
WACHSTUM
NIEDRIGDIMENSIONALER
TRANSISTOREN
59
3.1
VERFAHREN
ZUR
SUBSTRATSTRUKTURIERUNG
.
60
3.1.1
ANFORDERUNGEN
AN
DIE
SUBSTRATVORSTRUKTURIERUNG
.
60
3.1.2
ENTWICKELTES
VERFAHREN
.
62
3.1.2.1
HERSTELLUNG
EINER
SI^NY-AETZMASKE
.
63
3.1.2.2
TROCKENAETZEN
DER
SUBSTRATE
.
68
3.1.2.3
SUBSTRATREINIGUNG
.
70
3.1.3
ZUSAMMENFASSUNG
DES
TEILKAPITELS
.
71
3.2
DIREKTES
WACHSTUM
VON
TRANSPORTPROBEN
.
73
INHALTSVERZEICHNIS
5
3.2.1
CHARAKTERISIERUNG
DIREKT
GEWACHSENER
TRANSPORTPROBEN
74
3.2.2
DISKUSSION
UND
ZUSAMMENFASSUNG
DES
TEILKAPITELS
.
86
3.3
DIREKTES
WACHSTUM
VON
EINZELELEKTRONENTRANSISTOREN
.
89
3.3.1
PROBENHERSTELLUNG
.
89
3.3.1.1
VORSTRUKTURIERUNG
.
89
3.3.1.2
EPITAKTISCHES
WACHSTUM
.
91
3.3.1.3
SELBSTORGANISIERTE
BILDUNG
EINES
EINZELELEKTRONEN
TRANSISTORS
.
92
3.3.1.4
ELEKTRISCHE
KONTAKTIERUNG
DER
STRUKTUREN
.
.
99
3.3.2
STRUKTURELLE
CHARAKTERISIERUNG DER
HERGESTELLTEN
PROBEN
100
3.3.2.1
MIKROSKOPISCHE
METHODEN
.
100
3.3.2.2
ORTSAUFGELOESTE
KATHODOLUMINESZENZUNTERSUCHUN
GEN
.
106
3.3.3
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
DIREKT
GEWACHSENER
SET
TRANSISTOREN
.
115
3.3.3.1
MESSUNGEN
VON
EINZELELEKTRONENEFFEKTEN
.
.
.
115
3.3.3.2
DISKUSSION
.
127
3.3.4
ZUSAMMENFASSUNG
DES
TEILKAPITELS
.
128
3.4
DIREKTES
WACHSTUM
VON
IN-PLANE-GATE-TRANSISTORSTRUKTUREN
.
130
3.4.1
PROBENHERSTELLUNG
.
130
3.4.2
MIKROSKOPISCHE
CHARAKTERISIERUNG
.
131
3.4.3
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
.
134
3.4.4
ZUSAMMENFASSUNG
DES
TEILKAPITELS
.
139
3.5
ZUSAMMENFASSUNG
DES
KAPITELS
.
141
6
INHALTSVERZEICHNIS
4
DOPPELQUANTENFILMSTRUKTUREN
143
4.1
MAGNETOTRANSPORTMESSUNGEN
.
143
4.1.1
TUNNELGEKOPPELTE
DOPPELQUANTENFILMSTRUKTUREN
.
144
4.1.1.1
PROBEN
.
144
4.1.1.2
MESSUNGEN
IM
SENKRECHTEN
MAGNETFELD
.
145
4.1.1.3
MESSUNGEN
IM
GEKIPPTEN
MAGNETFELD
.
156
4.1.2
DOPPELQUANTENFILMSTRUKTUREN
OHNE
TUNNELKOPPLUNG
.
.
161
4.1.2.1
'
PROBEN
.
161
4.1.2.2
MESSUNGEN
IM
SENKRECHTEN
MAGNETFELD
.
161
4.1.3
ZUSAMMENFASSUNG
DER
TEILKAPITELS
.
165
4.2
EINZELELEKTRONENTRANSISTOREN
AUS
DOPPELQUANTENFILMSTRUKTUREN
166
4.2.1
PROBENHERSTELLUNG
.
166
4.2.2
COULOMB-BLOCKADE-EFFEKT
.
170
4.2.3
ZUSAMMENFASSUNG
DES
TEILKAPITELS
.
181
5
ZUSAMMENFASSUNG
183
A
ANHANG
189
A.L
PROBENUEBERSICHT
.
189
LITERATURVERZEICHNIS
.
191 |
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| author | Dilger, Markus |
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