Herstellung von Si-Si-1-x-Ge-X-Nanostrukturen mittels selektiver Niederdruck-Gasphasenepitaxie: Wachstum und Charakterisierung
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Book |
| Language: | German |
| Published: |
Aachen
Shaker
1996
|
| Edition: | Als Ms. gedr. |
| Series: | Berichte aus der Halbleitertechnik
|
| Subjects: | |
| Online Access: | Inhaltsverzeichnis |
| Item Description: | Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1996 |
| Physical Description: | IV, 138 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 382651971X |
Staff View
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV011108235 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 19980507 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 961202s1996 gw ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 016 | 7 | |a 949158321 |2 DE-101 | |
| 020 | |a 382651971X |c kart. : DM 89.00, sfr 89.00, S 619.00 |9 3-8265-1971-X | ||
| 035 | |a (OCoLC)75856578 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV011108235 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 044 | |a gw |c DE | ||
| 049 | |a DE-91 | ||
| 084 | |a UP 3150 |0 (DE-625)146377: |2 rvk | ||
| 084 | |a ELT 280d |2 stub | ||
| 100 | 1 | |a Schmidt, Georg |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Herstellung von Si-Si-1-x-Ge-X-Nanostrukturen mittels selektiver Niederdruck-Gasphasenepitaxie |b Wachstum und Charakterisierung |c Georg Schmidt |
| 250 | |a Als Ms. gedr. | ||
| 264 | 1 | |a Aachen |b Shaker |c 1996 | |
| 300 | |a IV, 138 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 0 | |a Berichte aus der Halbleitertechnik | |
| 500 | |a Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1996 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Heterostruktur |0 (DE-588)4123378-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Germanium |0 (DE-588)4135644-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Gasphasenepitaxie |0 (DE-588)4156040-1 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Germanium |0 (DE-588)4135644-5 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Heterostruktur |0 (DE-588)4123378-5 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Gasphasenepitaxie |0 (DE-588)4156040-1 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007442806&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007442806 | ||
Record in the Search Index
| _version_ | 1804125599831162880 |
|---|---|
| any_adam_object | 1 |
| author | Schmidt, Georg |
| author_facet | Schmidt, Georg |
| author_role | aut |
| author_sort | Schmidt, Georg |
| author_variant | g s gs |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV011108235 |
| classification_rvk | UP 3150 |
| classification_tum | ELT 280d |
| ctrlnum | (OCoLC)75856578 (DE-599)BVBBV011108235 |
| discipline | Physik Elektrotechnik |
| edition | Als Ms. gedr. |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01893nam a2200469 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV011108235</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">19980507 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">961202s1996 gw ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">949158321</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">382651971X</subfield><subfield code="c">kart. : DM 89.00, sfr 89.00, S 619.00</subfield><subfield code="9">3-8265-1971-X</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)75856578</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV011108235</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">DE</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UP 3150</subfield><subfield code="0">(DE-625)146377:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 280d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Schmidt, Georg</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Herstellung von Si-Si-1-x-Ge-X-Nanostrukturen mittels selektiver Niederdruck-Gasphasenepitaxie</subfield><subfield code="b">Wachstum und Charakterisierung</subfield><subfield code="c">Georg Schmidt</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Als Ms. gedr.</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Aachen</subfield><subfield code="b">Shaker</subfield><subfield code="c">1996</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">IV, 138 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Berichte aus der Halbleitertechnik</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1996</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Heterostruktur</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123378-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Germanium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4135644-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Gasphasenepitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4156040-1</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Germanium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4135644-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Heterostruktur</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123378-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Gasphasenepitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4156040-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007442806&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007442806</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV011108235 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T18:04:08Z |
| institution | BVB |
| isbn | 382651971X |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007442806 |
| oclc_num | 75856578 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-91 DE-BY-TUM |
| owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM |
| physical | IV, 138 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 1996 |
| publishDateSearch | 1996 |
| publishDateSort | 1996 |
| publisher | Shaker |
| record_format | marc |
| series2 | Berichte aus der Halbleitertechnik |
| spelling | Schmidt, Georg Verfasser aut Herstellung von Si-Si-1-x-Ge-X-Nanostrukturen mittels selektiver Niederdruck-Gasphasenepitaxie Wachstum und Charakterisierung Georg Schmidt Als Ms. gedr. Aachen Shaker 1996 IV, 138 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Berichte aus der Halbleitertechnik Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1996 Heterostruktur (DE-588)4123378-5 gnd rswk-swf Germanium (DE-588)4135644-5 gnd rswk-swf Gasphasenepitaxie (DE-588)4156040-1 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Silicium (DE-588)4077445-4 s Germanium (DE-588)4135644-5 s Heterostruktur (DE-588)4123378-5 s Gasphasenepitaxie (DE-588)4156040-1 s DE-604 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007442806&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Schmidt, Georg Herstellung von Si-Si-1-x-Ge-X-Nanostrukturen mittels selektiver Niederdruck-Gasphasenepitaxie Wachstum und Charakterisierung Heterostruktur (DE-588)4123378-5 gnd Germanium (DE-588)4135644-5 gnd Gasphasenepitaxie (DE-588)4156040-1 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4123378-5 (DE-588)4135644-5 (DE-588)4156040-1 (DE-588)4077445-4 (DE-588)4113937-9 |
| title | Herstellung von Si-Si-1-x-Ge-X-Nanostrukturen mittels selektiver Niederdruck-Gasphasenepitaxie Wachstum und Charakterisierung |
| title_auth | Herstellung von Si-Si-1-x-Ge-X-Nanostrukturen mittels selektiver Niederdruck-Gasphasenepitaxie Wachstum und Charakterisierung |
| title_exact_search | Herstellung von Si-Si-1-x-Ge-X-Nanostrukturen mittels selektiver Niederdruck-Gasphasenepitaxie Wachstum und Charakterisierung |
| title_full | Herstellung von Si-Si-1-x-Ge-X-Nanostrukturen mittels selektiver Niederdruck-Gasphasenepitaxie Wachstum und Charakterisierung Georg Schmidt |
| title_fullStr | Herstellung von Si-Si-1-x-Ge-X-Nanostrukturen mittels selektiver Niederdruck-Gasphasenepitaxie Wachstum und Charakterisierung Georg Schmidt |
| title_full_unstemmed | Herstellung von Si-Si-1-x-Ge-X-Nanostrukturen mittels selektiver Niederdruck-Gasphasenepitaxie Wachstum und Charakterisierung Georg Schmidt |
| title_short | Herstellung von Si-Si-1-x-Ge-X-Nanostrukturen mittels selektiver Niederdruck-Gasphasenepitaxie |
| title_sort | herstellung von si si 1 x ge x nanostrukturen mittels selektiver niederdruck gasphasenepitaxie wachstum und charakterisierung |
| title_sub | Wachstum und Charakterisierung |
| topic | Heterostruktur (DE-588)4123378-5 gnd Germanium (DE-588)4135644-5 gnd Gasphasenepitaxie (DE-588)4156040-1 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd |
| topic_facet | Heterostruktur Germanium Gasphasenepitaxie Silicium Hochschulschrift |
| url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007442806&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
| work_keys_str_mv | AT schmidtgeorg herstellungvonsisi1xgexnanostrukturenmittelsselektiverniederdruckgasphasenepitaxiewachstumundcharakterisierung |