Herstellung von Si-Si-1-x-Ge-X-Nanostrukturen mittels selektiver Niederdruck-Gasphasenepitaxie: Wachstum und Charakterisierung
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
1996
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
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| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
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