Siliziumkarbid: strukturelle und elektronische Eigenschaften verschiedener Polytypen
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
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1996
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I
INHALT
EINLEITUNG 1
I SILIZIUMKARBID UND POLYTYPIE 2
1.1 DAS TECHNOLOGISCHE INTERESSE AN SILIZIUMKARBID . 2
1.2 POLYTYPIE. 2
1.3 BESCHREIBUNG DER POLYTYPEN. 4
1.3.1 KUBISCHE STRUKTUR. 5
1.3.2 HEXAGONALE POLYTYPEN. 5
II METHODE 8
11.1 DICHTEFUNKTIONALTHEORIE. 8
11.2 KOHN-SHAM-FORMALISMUS. 9
11.3 LOKALE DICHTE-APPROXIMATION . 11
11.4 EBENE WELLEN ALS BASIS. 11
11.5 PSEUDOPOTENTIALE. 13
11.5.1 NORMERHALTENDE PSEUDOPOTENTIALE . 14
11.5.2 NICHTNORMERHALTENDE PSEUDOPOTENTIALE. 16
11.6 GESAMTENERGIE UND KRAEFTE. 20
11.7 MINIMIERUNGSVERFAHREN. 20
11.7.1 DIREKTE METHODE. 21
11.7.2 ITERATIVE DIAGONALISIERUNGSMETHODE. 22
III RESULTATE: VOLUMENKRISTALLE 25
II 1.1 WEICHE KOHLENSTOFF-PSEUDOPOTENTIALE . 25
111.2 VOLUMENEIGENSCHAFTEN DER WICHTIGSTEN SIC-POLYTYPEN. 28
II 1.2.1 STAND DER LITERATUR ZU BEGINN DER ARBEIT. 28
111.2.2 RECHENTECHNISCHE DETAILS . 29
111.2.3 GITTERKONSTANTEN UND VOLUMEN. 31
111.2.4 ATOMARE RELAXATIONEN. 32
111.2.5 BINDUNGSENERGIEN . 35
111.3 ELEKTRONISCHE EIGENSCHAFTEN DER POLYTYPEN. 37
II 1.3.1 BANDSTRUKTUREN. 38
111.3.2 UEBERGANGSENERGIEN.40
111.3.3 EFFEKTIVE MASSEN.43
111.4 EINE MOEGLICHE ANWENDUNG: HETEROKRISTALLINE STRUKTUREN. 45
IV RESULTATE: OBERFLAECHEN 53
IV.1 METHODISCHES UND STAND DER LITERATUR. 53
IV.2 SILIZIUMTERMINIERTE (OOI)-OBERFLAECHE VON 3C-SIC. 55
IV.3 KOHLENSTOFFTERMINIERTE (OOL)-OBERFLAECHEN VON 3C-SIC. 59
V ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK
66
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
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II
A VERGLEICH VON
FHI93CP
UND
VASP
69
LITERATUR I
EIGENE PUBLIKATIONEN ZUM THEMA IX
ABBILDUNGEN XI
TABELLEN XII
XIII
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