Niedertemperaturtechnologien zur Herstellung von skalierfähigen Si-SiGe-Si-Heterobipolartransistoren:
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1996
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INHALTSVERZEICHNIS
KAPITEL
1
EINLEITUNG
1
1.1
ZIELE
UND
GLIEDERUNG
DIESER
ARBEIT
2
KAPITEL
2
INTEGRATION
VON
SIGE-HBTS
IN
DIE
SILIZHIMTECHNOLOGIE
5
2.1
SILIZIUM-HOMOBIPOLARTECHNOLOGIE
6
2.1.1
BEWERTUNGSKRITERIEN
BEI
DER
TRANSISTOROPTIMIERUNG
6
2.1.2
ENTWICKLUNG
DER
HOMOSILIZIUM-BIPOLARTECHNOLOGIE
7
2.1.3
VERTIKALE
OPTIMIERUNG
DURCH
DEN
HETEROBIPOLARTRANSISTOR.
16
2.2
SIGE-HETEROBIPOLARTRANSISTOREN
20
2.2.1
VERTIKALSTRUKTUR
DES
SIGE-HETEROBIPOLARTRANSISTORS
21
2.2.2
SIGE-HBT-INTEGRATIONSKONZEPTE
24
2.2.3
DAS
SIGE-HBT-DOPPELMESAKONZEPT
AM
LEHRSTUHL
FUER
32
ELEKTRONISCHE
BAUELEMENTE
2.3
ZUSAMMENFASSUNG
39
KAPITEL
3
TECHNOLOGISCHE
REALISIERUNG
DER
SIGE-HBT-INTEGRATION
41
3.0
EINFUEHRUNG
IN
DIE
BEHANDELTEN
INTEGRATIONSKOMPLEXE
42
3.1
STRUKTURIERUNG
DER
TRANSISTORDOPPELMESA
43
3.2
PLANARISIERUNG
DES
ISOLATIONSOXIDES
68
INHALTSVERZEICHNIS
3.3
TRANSISTORKONTAKTIERUNG
78
3.4
NIEDERTEMPERATURPASSIVIERUNG
90
3.5
INTEGRIERTE
WIDERSTAENDE
102
KAPITEL
4
SELBSTJUSTIERTE
SIGE-HBT
HERSTELLUNGSVARIANTEN
115
4.1
SELBSTJUSTIERTE
SIGE-HBTS
116
4.2
VOLL-SELBSTJUSTIERENTE
SIGE-HBT-INTEGRATIONSKONZEPTE
132
4.3
VERGLEICH
DER
SIGE-HBT-HERSTELLUNGSVARIANTEN
147
KAPITEL
5
DAS
INDUSTRIEORIENTIERTE
TECHNOLOGIEKONZEPT
LOTUS
152
5.1
INTEGRATIONSKOMPLEXE
DER
LOTUS-TRANSISTOREN
153
5.2
BAUELEMENTSIMULATION
DER
LOTUS-TRANSISTOREN
168
ZUSAMMENFASSUNG
176
LITERATURVERZEICHNIS
178 |
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