Floating-Gate-Flip-Flops mit reprogrammierbar latenten Zuständen:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1996
|
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| Beschreibung: | VIII, 123 S. Ill., graph. Darst. |
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INHALTSVERZEICHNIS
KURZFASSUNG.!!
SYMBOLE
UND
ABKUERZUNGEN.
VI
1.
EINLEITUNG.
1
2.
FLIP-FLOPS
MIT
REPROGRAMMIERBAR
LATENTEN
ZUSTAENDEN
.
3
2.1
KONVENTIONELLES
FLIP-FLOP
-
SYMMETRISCHES
FLIP-FLOP
.
3
2.2
FLIP-FLOPS
MIT
REPROGRAMMIERBAR
LATENTEN
ZUSTAENDEN
-
ASYMMETRISCHE
FLIP-FLOPS
.
4
2.2.1
ASYMMETRISCHES
FLIP-FLOP
MIT
FERROELEKTRISCHEN
KONDENSATOREN
UNTERSCHIEDLICHER
POLARISATIONSRICHTUNG
-
FERROFF
.
4
2.2.2
ASYMMETRISCHES
FLIP-FLOP
MIT
FLOATING-GATE-MOSFETS
UNTERSCHIEDLICHER
SCHWELLENSPANNUNGEN
-
FGMOSFF
.
6
2.3
PROGRAMMIEREN
BZW.
LOESCHEN
VON
FGMOSFFS
.
11
2.3.1
ELEKTRONEN-BESTRAHLUNG
.
12
2.3.2
INJEKTION
HEISSER
ELEKTRONEN
.
12
2.3.3
FOWLER-NORDHEIM-TUNNELN
.
13
2.3.4
PHOTOINJEKTION
.
17
2.4
ZWEI
KONKRETE
FGMOSFF-SCHALTUNGEN
.
20
2.4.1
ELEKTRISCH
PROGRAMMIERBARE
FGMOSFFS
MIT
FOWLER-NORDHEIM-TUNNELN
(FNMOSFFS)
.
20
2.4.2
OPTISCH
PROGRAMMIERBARE
FGMOSFFS
(OPMOSFFS)
.
21
2.5
WAHL
DER
LASTELEMENTE
.
22
2.6
ZUSAMMENFASSUNG
ZU
KAPITEL
2
.
24
3.
AKTIVIERUNGSPROZESS
DES
LATENTEN
ZUSTANDES
BEI
FLOATING-GATE-MOS-FLIP-FLOPS
.
25
3.1
SCHEMATISCHE
DARSTELLUNG
DES
AKTIVIERUNGSPROZESSES
.
25
3.2
EINFLUESSE
VON
TRACKINGTOLERANZEN
AUF
DEN
AKTIVIERUNGSPROZESS
.
28
3.3
ZUSAMMENFASSUNG
ZU
KAPITEL
3
.
31
4.
EXPERIMENTE.
-----
.
32
4.1
FGMOST-STRUKTUREN
UND
IHRE
KOMPATIBILITAET
ZU
STANDARD-CMOS
TECHNOLOGIEN
-
EIN
UEBERBLICK
.
32
4.2
STRUKTUR
OPTISCH
PROGRAMMIERBARES
FGMOSTS
UND
IHRE
HERSTELLUNG
.
33
4.3
ENTWURF
DER
TESTCHIPS
.
35
4.4
MESSAUFBAU
UND
-PRINZIP
.
38
4.5
ZUSAMMENFASSUNG
ZU
KAPITEL
4
.
40
5.
CHARAKTERISIERUNG
DES
FGMOSTS
BEIM
OPTISCHEN
PROGRAMMIEREN
UND
LOESCHEN.
41
5.1
PARAMETERABHAENGIGKEITEN
DES
PHOTOSTROMES
.
41
5.1.1
INJEKTIONSMECHANISMEN
DURCH
DAS
OXID
(SIOL)
.
41
5.1.2
PHOTOINJEKTION
DURCH
SIO2
.
42
5.1.3
PARAMETERABHAENGIGKEITEN
DES
PHOTOSTROMES
BEI
FGMOSTS
.
45
5.1.4
FELDSTAERKE
IN
SIO2
EOX
.
47
5.2
OPTISCHES
PROGRAMMIEREN
UND
LOESCHEN
VON
FGMOSTS
.
48
5.2.1
SPANNUNGSABHAENGIGKEIT
DER
FG-LADUNG
BZW.
DER
FG-SPANNUNG
.
48
5.2.2
MODELLIEREN
DES
FGMOSTS
.
51
5.2.3
MODELLIEREN
DES
OPTISCHEN
PROGRAMMIERENS
BZW.
LOESCHENS
.
52
5.2.4
ZUSAMMENFASSUNG
ZU
ABSCHNITT
5.2
.
59
5.3
MESSUNGEN
AN
FGMOSTS
UND
DISKUSSION
.
61
5.3.1
GRUNDLEGENDE
GROESSE
DES
FGMOSTS
.
61
5.3.2
ZEITABHAENGIGKEIT
DES
PROGRAMMIER
BZW.
LOESCH-VERHALTENS
.
65
5.3.3
AUF
BZW.
ENTLADUNG
VON
TRAPS
IM
OXID
.
66
5.3.4
EINFLUSS
DES
IN
SPERRICHTUNG
GEPOLTEN
PN-UEBERGANGS
AUF
DAS
PROGRAMMIER
BZW.
LOESCH-VERHALTEN
.
70
5.3.5
GEOMETRIE
UND
INTENSITAETSABHAENGIGKEIT
DES
PHOTOSTROMS
.
78
5.3.6
PARAMETERABHAENGIGKEIT
DER
PROGRAMMIER
BZW.
LOESCHRATE
R
SOWIE
DES
SAETTIGUNGSWERTES
DER
SCHWELLENSPANNUNGSAENDERUNG
AUTSAT
.
80
5.4
ZUSAMMENFASSUNG
ZU
KAPITEL
5
.
87
6
OPTIMIERUNG
UND
ANWENDUNG
VON
OPMOS-FLIP-FLOPS
89
6.1
OPTIMIERUNG
VON
OPMOS-FLIP-FLOPS
.
89
6.1.1
OPTIMIERUNG
DER
FGMOST-STRUKTUR
.
90
6.1.2
OPTIMIERUNG
DER
PROGRAMMIER
BZW.
LOESCHBEDINGUNGEN
.
93
6.2
OPMOSFFS
ALS
DATENSPEICHER
.
95
6.3
ANWENDBARKEIT
DES
OPMOSFFS
BEI
NIEDRIGER
VERSORGUNGSSPANNUNG
.100
6.4
ZUSAMMENFASSUNG
ZU
KAPITEL
6
.
101
7.
ZUSAMMENFASSUNG
.
103
8.1
FGMOSFF-MODELL-DATEI
UND
SPICE-PARAMETER
.
105
8.1.1
FGMOSFF-MODELL-DATEI
.
105
8.1.2
SPICE-PARAMETER
FUER
EINEN
2PM-CMOS-PROZESS
.
108
8.2
PROZESSABFOLGE
FUER
DIE
HERSTELLUNG
VON
EINLAGEN-POLYSILIZIUM-FGMOSTS
.
109
8.3
AUF
BZW.
ENTLADEN
VON
TRAPS
IM
OXID
.110
8.4
ABLEITUNG
DER
PARAMETERABHAENGIGKEIT
DER
SCHWELLENSPANNUNG
.
112
8.5
KAPAZITIVE
KOPPLUNGSFAKTOREN
.
116
8.6
BESTIMMUNG
DES
PHOTOSTROMS
.
118
LEBENSLAUF.
124 |
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