Lateraler und vertikaler elektrischer Transport in Halbleiterheterostruktur-Bauelementen mit 2D-Elektronengasen:
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1996
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TN HA.LTS VERZEI CHNIS
_1
INHALT
1 EINLEITUNG 3
2 HALBLEITERHETEROSTRUKTUREN 7
3 METALL-HALBLEITER-KONTAKT 13
4 BERECHNUNG VON BANDVERLAEUFEN 19
4.1 DICHTEFUNKTIONALTHEORIE.21
4.2 SIMULATION VON HALBLEITERHETEROSTRUKTUREN.22
4.3 THERMODYNAMIK DES ZWEIDIMENSIONALEN LADUNGSTRAEGERGASES .25
4.4 STOERSTELLENSTATISTIK.27
4.5 HOCHDOTIERTE HALBLEITER.29
4.6 OBERFLAECHEN, SCHOTTKY-BARRIEREN UND ANGELEGTE SPANNUNGEN.32
4.7 PROGRAMMABLAUF.33
5 LATERALER MAGNETOTRANSPORT 37
6 VERTIKALER TRANSPORT IN HETEROSTRUKTUREN 45
6.1 THERMISCHE EMISSION.45
6.2 TUNNEFLTRANSPORT.47
7 MESSMETHODEN 55
7.1 HALL-MESSUNGEN. 55
7.2 CV-MESSUNGEN.56
7.3 SIMS.58
8 UNTERSUCHUNGEN AN AL
XGAI_XAS/GAAS-HETEROSTRUKTUREN 61
8.1 DX-ZENTREN UND PPC-EFFEKT.62
8.2 PROBENPRAEPERATION UND MESSUNG.64
8.3 SEGREGATION DER SILIZIUM ^-DOTIERUNG.65
8.4 BANDKANTENSPRUENGE.67
8.5 BINDUNGSENERGIE DER DX-ZENTREN .72
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
HTTP://D-NB.INFO/948267461
2
INHALTSVERZEICHNIS
8.6 FEHLERABSCHAETZUNG . 74
9
LADUNGS-INJEKTIONS-TRANSISTOR 77
9.1 HERSTELLUNG .GQ
9.2 ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG. 85
9.2.1 CHINT MIT INP-BARRIERE.85
9.2.2 CHINT MIT INALAS-BARRIERE.92
10
2
D
2
D-TUNNEIDIODE UND TUNNELTRANSISTOR 95
10.1 HERSTELLUNG .9G
10.2 ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG.102
10.2.1 2D-2D-TUNNELDIODE.102
10.2.2 2D-TUNNEL-FET.103
10.2.3 TUNNEL-HEMT .106
11 PATENTANMELDUNGEN 113
12 ZUSAMMENFASSUNG 117
13
DANKSAGUNG H9
LITERATURVERZEICHNIS 123 |
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