Leerstellen in Halbleitern:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1996
|
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| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Enth. 8 Sonderabdr. aus verschiedenen Zeitschr.. - Halle, Habil.-Schr., Diss., 1996 |
| Beschreibung: | 156 S. graph. Darst. |
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INHALTSVERZEICHNIS
-
1
-
INHALTSVERZEICHNIS
LISTE DER VERWENDETEN SYMBOLE UND ABKUERZUNGEN
3
1 EINLEITUNG 4
2 EXPERIMENTELLE TECHNIK 6
2.1 POSITRONENLEBENSDAUERSPEKTROSKOPIE 7
2.2 BESONDERHEITEN DER POSITRONENANNIHILATION IN HALBLEITERN 8
2.3 BESTIMMUNG VON LEERSTELLENKONZENTRATIONEN 10
3 LEERSTELLEN IN HALBLEITERN - ERGEBNISSE DER LITERATUR 13
4 UNTERSUCHUNGEN AN HALBLEITERN 19
4.1 GLEICHGEWICHTSLEERSTELLEN 19
4.1.1 KOMPOSITIONELLE LEERSTELLEN 20
4.1.1.1 KOMPOSITIONELLE LEERSTELLEN NACH KRISTALLWACHSTUM 20
4.1.1.1.1. GAP 20
4.1.1.1.2. GAAS 23
4.1.1.2 EINSTELLUNG DER LEERSTELLENKONZENTRATION DURCH TEMPERUNG
UNTER DEFINIERTEM DAMPFDRUCK 25
4.1.1.2.1 HGCDTE 25
4.1.1.2.2 PBSNSE 29
4.1.1.2.3 CDTE 29
4.1.2 DEFEKTKOMPLEXE IM THERMODYNAMISCHEN GLEICHGEWICHT 30
4.1.2.1 METASTABILE ZENTREN 31
4.1.2.1.1 EL2-DEFEKT IN GAAS 31
4.1.2.1.2 DX-ZENTRUM IN GAALSB 33
4.1.2.2 KOMPENSIERENDE ZENTREN 35
4.1.2.2.1 GAAS:TE 36
4.1.2.2.2 CDTE:CL 38
4.2 UEBERSCHUSSLEERSTELLEN 40
4.2.1 LEERSTELLEN NACH ABSCHRECKEN 40
4.2.2 DEFEKTE NACH PLASTISCHER DEFORMATION 41
4.2.2.1 ELEMENTHALBLEITER 42
4.2.2.2 PLASTISCH DEFORMIERTES GAAS 45
4.2.2.3 SAEGEDEFEKTE IN GAAS 48
4.2.3 LEERSTELLEN NACH BESTRAHLUNG MIT HOCHENERGETISCHEN TEILCHEN 49
5 METHODISCHE ERGEBNISSE 50
5.1 BESTIMMUNG DER SPEZIFISCHEN POSITRONENEINFANGRATE 50
5.2 POSITRONENEINFANG DURCH FLACHE FALLEN 57
6 ZUSAMMENFASSUNG 60
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
HTTP://D-NB.INFO/948262206
INHALTSVERZEICHNIS
LITERATURVERZEICHNIS
63
AUFLISTUNG RELEVANTER PUBLIKATIONEN DES AUTORS
ANHANG (PUBLIKATIONSTEIL)
A POSITRON ANNIHILATION AND HALL EFFECT STUDY OF VACANCY DEFECTS
IN M-V COMPOUND SEMICONDUCTORS: PART 1 - GALLIUM PHOSPHIDE
POSITRON TRAPPING BY CHARGED VACANCIES IN GAAS
STUDY OF HG VACANCIES IN (HG,CD)TE AFTER THM GROWTH AND
POST-GROWTH ANNEALING BY POSITRON ANNIHILATION
HG VACANCIES IN HG,.XCDXTE STUDIED BY POSITRON ANNIHILATION
STUDY OF VACANCY DEFECTS IN PBSE AND PBJ_
XSNXSE
BY POSITRON ANNIHILATION
OCCUPATION OF THE CD VACANCY SITE IN CDTE BY DIFFUSING
SILVER ATOMS OBSERVED BY POSITRON ANNIHILATION
OBSERVATION OF A MONOVACANCY IN THE METASTABLE STATE
OF THE EL2 DEFECT IN GAAS BY POSITRON ANNIHILATION
EVIDENCE FOR A VACANCY RELATED GROUND STATE OF THE
DX CENTER IN A^GA^SB - A POSITRON ANNIHILATION STUDY
STUDY OF THE COMPENSATING CENTRES IN
GAAS.TE BY POSITRON ANNIHILATION
DEFECTS IN PLASTICALLY DEFORMED SEMICONDUCTORS STUDIED
BY POSITRON ANNIHILATION: SILICON AND GERMANIUM
POSITRON STUDY OF DEFECTS IN AS-GROWN AND
PLASTICALLY DEFORMED GAAS:TE
EXPERIMENTAL DETERMINATION OF THE SPECIFIC POSITRON TRAPPING RATE
SHALLOW POSITRON TRAPS IN GAAS
73
74
82
86
91
96
100
103
X
107
110
116
127
138
142
ERKLAERUNG
152
LEBENSLAUF
153
DANKSAGUNG
154
SACHWORTVERZEICHNIS
155 |
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