Entwicklung einer Methode zur Bestimmung der Generationslebensdauer in amorphem Silizium:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
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1995
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1
INHALTSVERZEICHNIS
ABBILDUNGSVERZEICHNIS
6
TBBELLENVERZEICHNIS
5
ZUSAMMENFASSUNG
/
ABSTRACT
6
1
EINLEITUNG
7
2
GRUNDLAGEN
10
2.1
HYDROGENISIERTES
AMORPHES
SILIZIUM
-
A-SI:H
.
10
2.1.1
ATOMARE
STRUKTUR
.
10
2.1.2
METASTABILITAET
.
14
2.1.3
ELEKTRONISCHE
STRUKTUR
UND
EIGENSCHAFTEN
.
17
2.1.4
DOTIERUNG
.
19
2.2
DAS
MOS-SYSTEM
.
23
2.2.1
DER
IDEALE
MOS-KONDENSATOR
.
23
2.2.1.1
DAS
OBERFLAECHENPOTENTIAL
.
26
2.2.1.2
DIE
RAUMLADUNGSDICHTE
.
27
2.2.2
DER
REALE
MOS-KONDENSATOR
.
30
2.2.3
PARAMETEREXTRAKTION
ANHAND
DER
KAPAZITAET
EINER
MOS-DIODE
.
31
2.3
DIE
LEBENSDAUER
VON
MINORITAETSLADUNGSTRAEGERN
IN
SILIZIUM
.
34
2.3.1
LEBENSDAUERMESSMETHODEN
AN
MOS-PROBEN
AUF
KRISTALLINEM
SUBSTRAT
38
2.3.1.1
TRANSIENTE
MESSVERFAHREN
ZUR
BESTIMMUNG
DER
LADUNGSTRAE
GERLEBENSDAUER
AN
MOS-KONDENSATOREN
.
38
2.3.1.1.1
BESTIMMUNG
DER
GENERATIONSLEBENSDAUER
.
38
2.3.1.1.2
MESSUNG
DER
REKOMBINATIONSLEBENSDAUER
.
43
3
EXPERIMENT
46
3.1
PROBENPRAEPARATION
.
46
3.1.1
SUBSTRATE
.
-47
3.1.2
PROZESSTECHNOLOGIE
.
47
3.1.2.1
REINIGUNG
.
47
3.1.2.2
OXIDATION
.
47
3.1.2.3
A-SI:H-ABSCHEIDUNG
.
49
3.1.2.3.1
DIE
ABSCHEIDEANLAGE
AM
HMI,
BERLIN
.
51
3.1.2.3.2
DIE
ABSCHEIDEANLAGE
MRG,
SERIES-SYSTEM
1000
.
.
51
3.1.2.4
PHOTOLITHOGRAPHIE
.
54
3.1.2.5
AETZUNG
.
54
3.1.3
SCHICHTFOLGE
.
55
2
INHALTSVERZEICHNIS
3.1.3.1
KONVENTIONELLE
MOS-PROBEN
.
57
3.1.3.2
MESA-PROBEN
.
58
3.2
MESSAPPARATUREN
.
60
3.2.1
MESSUNG
DER
ADMITTANZ
.
60
3.2.1.1
ADMITTANZMESSUNG
BEI
VARIABLER
FREQUENZ
UND
TEMPERATUR
.
60
3.2.1.2
ADMITTANZMESSUNG
BEI
1MHZ
.
62
3.2.1.3
AUFBAU
ZUR
MESSUNG
DER
LEBENSDAUER
NACH
ZERBST
.
62
3.2.2
AUFBAU
ZUR
MESSUNG
DER
QUASISTATISCHEN
KAPAZITAET
.
62
4
ZWISCHENERGEBNISSE
66
4.1
ERMITTLUNG
DER
ERSATZSCHALTBILDER
.
66
4.1.1
ADMITTANZMESSUNG
.
66
4.1.2
QUASISTATISCHE
KAPAZITAETSMESSUNG
.
73
4.2
PARAMETEREXTRAKTION
.
77
4.2.1
OXIDKAPAZITAET
.
77
4.2.2
DICKE
DER
A-SI:H-SCHICHT
.
78
4.2.3
SPEZIFISCHER
WIDERSTAND
UND
LADUNGSTRAEGERDICHTE
.
78
4.3
ZERBSTMESSUNGEN
.
78
5
DISPERSIONSMETHODE
ZUR
BESTIMMUNG
VON
R
MT
YY
81
5.1
THEORIE
FUER
MONOKRISTALLINES
SILIZIUM
.
81
5.1.1
GROSSSIGNAL-RELAXATION
-
XS
-
X
D
I
OO
L
D
.
83
5.1.2
KLEINSIGNAL-ADMITTANZ
-
AS
-
XO,
X
C
L
D
.
84
5.2
DISKUSSION
-
VERGLEICH
DER
LEBENSDAUER
MESSMETHODEN
FUER
C-SI
.
86
5.3
THEORIE
FUER
AMORPHES,
HYDROGENISIERTES
SILIZIUM
.
91
6
SIMULATION
UND
AUSWERTUNG
97
6.1
DIE
MODELLHAFTE
BESCHREIBUNG
DES
A-SI:H-MOS-KONDENSATORS
.
97
6.1.1
DIE
KOMPONENTEN
DES
ERSATZSCHALTBILDES
.
97
6.1.2
DIE
ELEKTRONISCHE
STRUKTUR
DES
ARSI:H-SCHICHT
.
98
6.2
DIE
SIMULATION
.
99
6.3
NUMERISCHE
UMSETZUNG
.
99
6.3.1
TEST
DES
SIMULATIONSPROGRAMMS
.
104
6.3.2
BERECHNUNG
DER
POTENTIALVERTEILUNG
FUER
DIE
BESTIMMUNG
DER
LEBENSDAUER
107
6.4
ERGEBNIS
.
113
7
DISKUSSION
115
8
AUSBLICK
116
LITERATURVERZEICHNIS
119
INHALTSVERZEICHNIS
3
ANHAENGE
125
A
SYMBOLLISTE
125
B
DANKSAGUNG
129
C
VEROEFFENTLICHUNGEN
130
D
DAS
SIMULATIONSPROGRAMM
ITER44
132
D.L
HAUPTPROGRAMM
ITER44.PAS
.
133
D.2
UNIT
SUNPA$40.PAS
.
158
E
LEBENSLAUF
160 |
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