Silizium-Halbleitertechnologie:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Stuttgart
Teubner
1996
|
| Schriftenreihe: | Teubner-Studienskripten
149 : Elektrotechnik |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | XI, 280 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 3519001497 |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
1.1
AUFGABE
3
2
HERSTELLUNG
VON
SILIZIUMSCHEIBEN
4
2.1
SILIZIUM
ALS
BASISMATERIAL
4
2.2
HERSTELLUNG
UND
REINIGUNG
DES
ROHMATERIALS
7
2.2.1
HERSTELLUNG
VON
TECHNISCHEM
SILIZIUM
7
2.2.2
CHEMISCHE
REINIGUNG
DES
TECHNISCHEN
SILIZIUMS
7
2.2.3
ZONENREINIGUNG
9
2.3
HERSTELLUNG
VON
EINKRISTALLEN
10
2.3.1
DIE
KRISTALLSTRUKTUR
11
2.3.2
KRISTALLZIEHVERFAHREN
NACH
CZOCHRALSKI
12
2.3.3
TIEGELFREIES
ZONENZIEHEN
15
2.3.4
KRISTALLFEHLER
16
2.4
KRISTALLBEARBEITUNG
17
2.4.1
SAEGEN
18
2.4.2
OBERFLAECHENBEHANDLUNG
19
2.4.2.1
LAEPPEN
19
2.4.2.2
SCHEIBENRAND
ABRUNDEN
20
2.4.2.3
AETZEN
21
2.4.2.4
POLIEREN
21
2.5
AUFGABEN
ZUR
SCHEIBENHERSTELLUNG
22
3
OXIDATION
DES
DOTIERTEN
SILIZIUMS
23
3.1
DIE
THERMISCHE
OXIDATION
VON
SILIZIUM
24
3.1.1
TROCKENE
OXIDATION
25
3.1.2
NASSE
OXIDATION
25
3.1.3
H
2
O
2
-VERBRENNUNG
27
3.2
MODELLIERUNG
DER
OXIDATION
28
3.3
DIE
GRENZFLAECHE
SIO
2
/SILIZIUM
29
3.4
SEGREGATION
31
VI
INHALTSVERZEICHNIS
3.5
ABSCHEIDEVERFAHREN
FUER
OXID
33
3.5.1
DIE
SILAN
PYROLYSE
34
3.5.2
DIE
TEOS-OXIDABSCHEIDUNG
34
3.6
AUFGABEN
ZUR
OXIDATION
DES
SILIZIUMS
35
4
LITHOGRAFIE
36
4.1
MASKENTECHNIK
37
4.1.1
PATTERN-GENERATOR
UND
STEP-UND-REPEAT-BELICHTUNG
37
4.1.2
DIREKTSCHREIBEN
DER
MASKE
MIT
DEM
ELEKTRONENSTRAHL
38
4.2
BELACKUNG
39
4.2.1
AUFBAU
DER
FOTOLACKE
39
4.2.2
AUFBRINGEN
DER
LACKSCHICHTEN
40
4.3
BELICHTUNGSVERFAHREN
42
4.3.1
OPTISCHE
LITHOGRAFIE
(FOTOLITHOGRAFIE)
42
4.3.1.1
KONTAKTBELICHTUNG
42
4.3.1.2
ABSTANDSBELICHTUNG
(PROXIMITY)
43
4.3.1.3
PROJEKTIONSBELICHTUNG
44
4.3.1.4
VERKLEINERNDE
PROJEKTIONSBELICHTUNG
46
4.3.2
ELEKTRONENSTRAHL-LITHOGRAFIE
47
4.3.3
ROENTGENSTRAHL-LITHOGRAFIE
48
4.3.4
WEITERE
VERFAHREN
ZUR
STRUKTURIERUNG
49
4.4
LACKBEARBEITUNG
50
4.4.1
ENTWICKELN
UND
HAERTEN
DES
LACKES
50
4.4.2
LINIENWEITENKONTROLLE
51
4.4.3
ABLOESEN
DER
LACKMASKE
53
4.5
AUFGABEN
ZUR
LITHOGRAFIETECHNIK
54
5
AETZTECHNIK
55
5.1
NASSCHEMISCHES
AETZEN
56
5.1.1
TAUCHAETZUNG
57
5.1.2
SPRUEHAETZUNG
5
7
5.1.3
AETZLOESUNGEN
FUER
DIE
NASSCHEMISCHE
STRUKTURIERUNG
58
5.1.3.1
ISOTROP
WIRKENDE
AETZLOESUNGEN
58
5.1.3.2
ANISOTROPE
SILIZIUMAETZUNG
59
INHALTSVERZEICHNIS
VII
5.2
TROCKENAETZEN
61
5.2.1
PLASMAAETZEN
(PE)
62
5.2.2
REAKTIVES
LONENAETZEN
(RIE)
64
5.2.2.1
PROZESSPARAMETER
DES
REAKTIVEN
LONENAETZENS
65
5.2.2.2
REAKTIONSGASE
68
5.2.3
LONENSTRAHLAETZEN
72
5.3
ENDPUNKTDETEKTION
73
5.3.1
VISUELLE
KONTROLLE
74
5.3.2
ELLIPSOMETRIE
74
5.3.3
SPEKTROSKOPIE
75
5.3.4
INTERFEROMETRIE
75
5.3.5
MASSENSPEKTROMETRIE
76
5.4
AUFGABEN
ZUR
AETZTECHNIK
76
6
DOTIERTECHNIKEN
78
6.1
LEGIERUNG
79
6.2
DIFFUSION
81
6.2.1
FICK
'
SEHE
GESETZE
82
6.2.1.1
DIE
DIFFUSION
AUS
UNERSCHOEPFLICHER
QUELLE
83
6.2.1.2
DIE
DIFFUSION
AUS
ERSCHOEPFLICHER
QUELLE
85
6.2.2
DIFFUSIONSVERFAHREN
87
6.2.3
ABLAUF
DES
DIFFUSIONSPROZESSES
90
6.2.4
GRENZEN
DER
DIFFUSIONSTECHNIK
91
6.3
IONENIMPLANTATION
92
6.3.1
REICHWEITE
IMPLANTIERTER
IONEN
93
6.3.2
CHANNELING
95
6.3.3
AKTIVIERUNG
DER
DOTIERSTOFFE
96
6.3.4
TECHNISCHE
AUSFUEHRUNG
DER
IONENIMPLANTATION
99
6.3.5
CHARAKTERISTIKEN
DER
IMPLANTATION
103
6.4
AUFGABEN
ZU
DEN
DOTIERTECHNIKEN
104
VIII
INHALTSVERZEICHNIS
7
DEPOSITIONSVERFAHREN
106
7.1
CHEMISCHE
DEPOSITIONSVERFAHREN
106
7.1.1
DIE
SILIZIUM-GASPHASENEPITAXIE
106
7.1.2
DIE
CVD-VERFAHREN
ZUR
SCHICHTDEPOSITION
110
7.1.2.1
APCVD-VERFAHREN
111
7.1.2.2
LOW
PRESSURE
CVD-VERFAHREN
(LPCVD)
113
7.1.2.3
PLASMA
ENHANCED
CVD-VERFAHREN
(PECVD)
115
7.2
PHYSIKALISCHE
DEPOSITIONSVERFAHREN
116
7.2.1
MOLEKULARSTRAHLEPITAXIE
(MBE)
116
7.2.2
AUFDAMPFEN
117
7.2.3
KATHODENZERSTAEUBUNG
(SPUTTERN)
120
7.3
AUFGABEN
ZU
DEN
ABSCHEIDETECHNIKEN
124
8
METALLISIERUNG
UND
KONTAKTE
125
8.1
DER
METALL-HALBLEITER-KONTAKT
126
8.2
MEHRLAGENVERDRAHTUNG
131
8.2.1
PLANARISIERUNGSTECHNIKEN
131
8.2.1.1
DER
BPSG-REFLOW
131
8.2.1.2
REFLOW
UND
RUECKAETZTECHNIK
ORGANISCHER
SCHICHTEN
133
8.2.1.3
CHEMISCH-MECHANISCHES
POLIEREN
134
8.2.2
AUFFULLEN
VON
KONTAKTOEFFHUNGEN
135
8.3
ZUVERLAESSIGKEIT
DER
ALUMINIUM-METALLISIERUNG
136
8.4
AUFGABEN
ZUR
KONTAKTIERUNG
138
9
SCHEIBENREINIGUNG
139
9.1
VERUNREINIGUNGEN
UND
IHRE
AUSWIRKUNGEN
140
9.1.1
MIKROSKOPISCHE
VERUNREINIGUNGEN
140
9.1.2
MOLEKULARE
VERUNREINIGUNGEN
141
9.1.3
ALKALISCHE
UND
METALLISCHE
VERUNREINIGUNGEN
142
9.2
REINIGUNGSTECHNIKEN
143
9.3
AETZLOESUNGEN
ZUR
SCHEIBENREINIGUNG
145
9.4
BEISPIEL
EINER
REINIGUNGSSEQUENZ
146
INHALTSVERZEICHNIS
IX
9.5
AUFGABEN
ZUR
SCHEIBENREINIGUNG
147
10
MOS-TECHNOLOGIEN
ZUR
SCHALTUNGSINTEGRATION
149
10.1
EINKANAL
MOS-TECHNIKEN
149
10.1.1
DER
PMOS
ALUMINIUM-GATE-PROZESS
149
10.1.2
DIE
N-KANAL
ALUMINIUM-GATE
MOS-TECHNIK
152
10.1.3
DIE
NMOS
SILIZIUM-GATE-TECHNOLOGIE
155
10.2
DER
N-WANNEN
SILIZIUM-GATE
CMOS-PROZESS
158
10.2.1
SCHALTUNGSELEMENTE
DER
CMOS-TECHNIK
167
10.2.2
LATCHUP-EFFEKT
170
10.3
FUNKTIONSTEST
UND
PARAMETERERFASSUNG
174
10.4
AUFGABEN
ZUR
MOS-TECHNIK
176
11
ERWEITERUNGEN
ZUR
HOECHSTINTEGRATION
178
11.1
LOKALE
OXIDATION
VON
SILIZIUM
(LOCOS-TECHNIK)
178
11.1.1
DIE
LOKALE
OXIDATION
VON
SILIZIUM
178
11.1.2
SPOT-TECHNIK
ZUR
LOKALEN
OXIDATION
181
11.1.3
DIE
SILO-TECHNIK
183
11.1.4
POLY-BUFFERED
LOCOS
184
11.1.5
DIE
SWAMI-LOCOS-TECHNIK
185
11.2
MOS-TRANSISTOREN
FUER
DIE
HOECHSTINTEGRATION
188
11.2.1
DURCHBRUCHMECHANISMEN
IN
MOS-TRANSISTOREN
190
11.2.1.1
KANALLAENGENMODULATION
191
11.2.1.2
DRAIN-DURCHGRIFF
(PUNCH-THROUGH)
191
11.2.1.3
DRAIN-SUBSTRAT
DURCHBRUCH
(SNAP-BACK)
192
11.2.1.4
TRANSISTORALTERUNG
DURCH
HEISSE
ELEKTRONEN
192
11.2.2
DIE
SPACER-TECHNIK
ZUR
DOTIERUNGSOPTIMIERUNG
193
11.2.2.1
LDD
N-KANAL
MOS-TRANSISTOREN
193
11.2.2.2
P-KANAL
OFFSET-TRANSISTOREN
196
11.2.3
SELBSTJUSTIERENDE
KONTAKTE
199
X
INHALTSVERZEICHNIS
11.3
SOI-TECHNIKEN
201
11.3.1
SOI-SUBSTRATE
202
11.3.1.1
FIPOS
-
FULL
ISOLATION
BY
POROUS
OXIDIZED
SILICON
202
11.3.1.2
SIMOX
-
SILICON
IMPLANTED
OXIDE
204
11.3.1.3
WAFER-BONDING
206
11.3.1.4
ELO
-
EPITAXIAL
LATERAL
OVERGROWTH
207
11.3.1.5
DIE
SOS-TECHNIK
207
11.3.1.6
SOI-SCHICHTEN
DURCH
REKRISTALLISATIONSVERFAHREN
208
11.3.2
PROZESSFUHRUNG
IN
DER
SOI-TECHNIK
210
11.4
AUFGABEN
ZUR
HOECHSTINTEGRATIONSTECHNIK
212
12
BIPOLAR-TECHNOLOGIE
214
12.1
DIE
STANDARD-BURIED-COLLECTOR
TECHNIK
214
12.2
FORTGESCHRITTENE
SBC-TECHNIK
218
12.3
SELBSTJUSTIERENDER
BIPOLARPROZESS
220
12.4
BICMOS-TECHNIKEN
224
12.5
AUFGABEN
ZUR
BIPOLARTECHNOLOGIE
226
13
MONTAGE
INTEGRIERTER
SCHALTUNGEN
227
13.1
VORBEREITUNG
DER
SCHEIBEN
ZUR
MONTAGE
227
13.1.1
VERRINGERUNG
DER
SCHEIBENDICKE
228
13.1.2
RUECKSEITENMETALLISIERUNG
229
13.1.3
TRENNEN
DER
CHIPS
230
13.1.3.1
RITZEN
230
13.1.3.2
LASERTRENNEN
231
13.1.3.3
SAEGEN/TRENNSCHLEIFEN
232
13.2
SCHALTUNGSMONTAGE
232
13.2.1
SUBSTRATE
233
13.2.2
BEFESTIGUNGSTECHNIKEN
235
13.2.2.1
KLEBEN
236
13.2.2.2
LOETEN
236
13.2.2.3
LEGIEREN
237
INHALTSVERZEICHNIS
XI
13.3
KONTAKTIERVERFAHREN
238
13.3.1
EINZELDRAHT-KONTAKTIERUNG
(BONDING)
238
13.3.1.1
THERMOKOMPRESSIONSVERFAHREN
239
13.3.1.2
ULTRASCHALLBONDEN
241
13.3.1.3
THERMOSONIC-VERFAHREN
243
13.3.2
KOMPLETTKONTAKTIERUNG
244
13.3.2.1
SPIDER-KONTAKTIERUNG
244
13.3.2.2
FLIPCHIP-KONTAKTIERUNG
246
13.3.2.3
BEAMLEAD-KONTAKTIERUNG
249
13.4
ENDBEARBEITUNG
DER
SUBSTRATE
250
13.5
AUFGABEN
ZUR
CHIPMONTAGE
252
ANHANG:
LOESUNGEN
DER
AUFGABEN
254
LITERATURVERZEICHNIS
271
STICHWORTVERZEICHNIS
272 |
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| discipline | Physik Elektrotechnik Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
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